公开(公告)号：CN113394076A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110650580.9

申请日：2021-06-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘志强 ,  冯涛 ,  梁萌 ,  伊晓燕 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L21/02 ,  C01B32/194

Abstract: 本发明提出了一种氮化物生长方法，包括：准备一衬底；在所述衬底上制作石墨烯缓冲层；将所述石墨烯缓冲层进行图形化，得到图形化石墨烯缓冲层；在所述图形化石墨烯缓冲层上生长氮化物，得到生长完成的氮化物。该方法生长的氮化物可以极大的释放应力，同时图形化的石墨烯可以保证有裸露的衬底对外延生长的氮化物起到很好的调控作用，获得晶体质量较好的外延材料，解决氮化物异质外延的晶格大失配问题，减小器件的可靠性问题。

公开(公告)号：CN111816729B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201910297009.6

申请日：2019-04-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 伊晓燕 ,  张硕 ,  刘志强 ,  梁萌 ,  冯涛 ,  任芳 ,  王蕴玉 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L31/167 ,  H01L31/18

Abstract: 一种LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及其制备方法，该器件通过在UVA波段LED上生长垂直ZnO纳米线阵列，顶端通过石墨烯作为电流扩展层来制作电极。其中LED的N电极作为晶体管栅极，ZnO纳米线阵列一端作为源极，LED的P电极即LED与ZnO异质结界面作为漏极，通过栅极电压大小调节LED发光功率，进一步调控ZnO纳米线阵列的光电导大小。本发明利用ZnO纳米线阵列对近紫外光优良的光敏特性，使LED与ZnO纳米线阵列进行集成，实现了GaN基的光电互联，从而获得了光电集成晶体管芯片。

公开(公告)号：CN111816729A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201910297009.6

申请日：2019-04-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 伊晓燕 ,  张硕 ,  刘志强 ,  梁萌 ,  冯涛 ,  任芳 ,  王蕴玉 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L31/167 ,  H01L31/18

Abstract: 一种LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及其制备方法，该器件通过在UVA波段LED上生长垂直ZnO纳米线阵列，顶端通过石墨烯作为电流扩展层来制作电极。其中LED的N电极作为晶体管栅极，ZnO纳米线阵列一端作为源极，LED的P电极即LED与ZnO异质结界面作为漏极，通过栅极电压大小调节LED发光功率，进一步调控ZnO纳米线阵列的光电导大小。本发明利用ZnO纳米线阵列对近紫外光优良的光敏特性，使LED与ZnO纳米线阵列进行集成，实现了GaN基的光电互联，从而获得了光电集成晶体管芯片。

公开(公告)号：CN115372898A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202110548879.3

申请日：2021-05-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘志强 ,  冯涛 ,  梁萌 ,  伊晓燕 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: G01S5/16

Abstract: 一种基于LED可见光的定位方法，包括：发射LED可见光，使LED可见光射向预设空间内的各探测位置；探测各探测位置的可见光光强；将可见光光强输入预设的位置数据库，使可见光光强与预设的位置数据库中的预存光强匹配，其中，位置数据库中预存有预设空间内各探测位置的预存光强和位置信息；当可见光光强与预存光强匹配时，输出对应的探测位置的位置信息。该方法利用光通信技术实现了一种离线定位技术，方法简单，易于实现，设备成本低。

公开(公告)号：CN115347052A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202110525116.7

申请日：2021-05-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘志强 ,  冯涛 ,  梁萌 ,  伊晓燕 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管及其制备方法，肖特基势垒二极管包括：异质结，异质结包括依次叠加的氮化镓层，石墨烯插入层和势垒层；其中，石墨烯插入层用于提高氮化镓层与势垒层之间的二维电子气迁移率。本发明提供的肖特基势垒二极管突破了GaN材料本身对载流子迁移率的限制，极大提升了二维电子气的迁移率，得到满足太赫兹波段工作要求的工作器件。

公开(公告)号：CN114759088A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202110039389.0

申请日：2021-01-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘志强 ,  冯涛 ,  梁萌 ,  伊晓燕 ,  张硕 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L29/165 ,  H01L21/336

Abstract: 一种石墨烯作为插入层的GaN/AlGaN异质结构及其制备方法，该GaN/AlGaN异质结构包括：衬底，氮化镓层设置在衬底上，石墨烯插入层，设置在氮化镓层上；势垒层，设置在石墨烯插入层上；帽层，设置在势垒层上。本发明为GaN基高迁移率晶体管提供了一种新型结构，利用石墨烯0.3至1.2nm超薄厚度，以及10000至15000cm2/V·s的超高迁移率特性，提高GaN/AlGaN异质结中二维电子气的迁移率，从而解决器件逻辑电压的摆幅与缩短传输时间问题，以及降低开关能量之间矛盾的关键问题，使GaN基高迁移率晶体管在高频、高速器件领域发挥重大作用。