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公开(公告)号：CN118374877A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410465054.9
申请日：2024-04-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种氧化镓晶体及其异质外延方法，应用于半导体技术领域，该方法包括：制备具有特定双向偏角的蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上生长氧化镓晶体；在氧化镓晶体上沉积功能性材料，得到目标器件。本发明提供的氧化镓晶体异质外延方法，引入三维扭转的定向设计制备具体特定双向偏角的蓝宝石衬底，蓝宝石衬底中不同偏角对应的原子间距和原子台阶高度不同，从而有效限制β相氧化镓在面内生长的各向对称性。在具有特定双向偏角的蓝宝石衬底上进行氧化镓晶体生长，可以有效提高β相氧化镓晶体生长取向的一致性，从而提升氧化镓晶体质量。
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公开(公告)号：CN118352402A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410460933.2
申请日：2024-04-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种氧化镓器件及其制备方法，该器件包括：肖特基器件、绝缘高导热叠层以及散热基板；肖特基器件包括：衬底、外延层、介质层、肖特基接触金属层、欧姆接触金属层以及电极引脚；绝缘高导热叠层设置于电极引脚的两侧；散热基板通过焊盘与肖特基器件中的电极引脚相连接。本发明提供的氧化镓器件，在氧化镓器件的电极及器件功能区域覆盖有绝缘高导热叠层材料，并以倒装的方式将器件连接在封装散热基板上，通过散热基板实现外接电路。提升器件的散热能力，降低温度对电子漂移的影响；使氧化镓器件所产生的热量被及时导出，降低器件自身的温度，提升氧化镓器件的耐压性能、可靠性以及器件工作稳定性。
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公开(公告)号：CN102637787B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210124792.4
申请日：2012-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法，包括：在蓝宝石图形衬底上外延生长uGaN，在uGaN上生长nGaN，然后在nGaN上生长MQW应力释放层；在MQW应力释放层上外延生长InGaN/GaN多量子阱；在InGaN/GaN多量子阱上重复生长多个InGaN/GaN多量子阱；在该多个InGaN/GaN多量子阱上生长GaN基LED所需的pAlGaN和pGaN。本发明选用金属有机物化学气相沉积法，利用在切换量子阱和垒生长条件过程中保持GaN生长，即进行量子阱无间断生长，缩短了多量子阱生长所需的时间，大大提高了生产效率，同时获取高质量InGaN/GaN多量子阱的LED外延片。
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公开(公告)号：CN102544289B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210056638.8
申请日：2012-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延结构；步骤2：配制一预定比例的混合溶液，将外延结构表面浸入混合溶液中，随即捞出；步骤3：烘干，从而在外延结构的表面形成规则排列的由混合溶液析出的颗粒掩膜；步骤4：以所述的颗粒掩膜作为掩膜，对外延结构表面进行刻蚀，使得外延结构表面粗糙化；步骤5：清洗去掉外延结构上的掩膜，完成粗化方法的制备。本发明的方法是与后工艺相互配合，可以提高发光二极管芯片的提取效率。该方法还具有制作工艺简单、成本极低，而且比较环保等优点。
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公开(公告)号：CN102886609A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210309067.4
申请日：2012-08-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B23K26/36 , B23K26/067
Abstract: 一种应用于LED器件分离的多焦点飞秒激光划片方法，包括：步骤1：将制备好的LED器件固定在水平移动平台上，并位于CCD成像设备的成像中心；步骤2：在飞秒激光器的激光光路上放置多个透镜，将激光分成多个焦点；步骤3：将多个焦点聚焦在LED器件衬底内部不同深度的部位；步骤4：横向和纵向移动水平移动平台，完成飞秒激光划片；步骤5：对LED器件进行裂片，得到单个LED器件。本发明可以达到不同光束同时切割蓝宝石衬底，实现一次切割、多处划痕的效果，从而实现对较厚蓝宝石衬底的低损伤切割，以达到发光二极管的器件分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113410363B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110674991.1
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种Micro LED芯片结构及其制备方法、显示装置，该芯片结构包括：第一衬底；反射镜，设置在第一衬底上；外延结构，设置在反射镜的表面上，包括位于外延结构顶部的n‑GaN层，用于发出光信号；钝化层，覆盖外延结构侧壁，并覆盖反射镜表面剩余部分；钝化层与n‑GaN层形成平面，剩余部分为反射镜表面未被外延覆盖的部分；介质层，设置在钝化层与n‑GaN层形成的平面上，用于当外部电压高于阈值电压时，为Micro LED芯片结构提供电注入通道；透明电极层，设置在介质层上，用于多个Micro LED芯片结构之间形成电连接，并用于透过外延结构发出的光信号。本发明采用非接触式的电注入结构，采用透明电极层作为光传输通道和芯片结构的电极，避免因单独制备互联电路而引起的光的吸收损耗。
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公开(公告)号：CN113410363A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110674991.1
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种Micro LED芯片结构及其制备方法、显示装置，该芯片结构包括：第一衬底；反射镜，设置在第一衬底上；外延结构，设置在反射镜的表面上，包括位于外延结构顶部的n‑GaN层，用于发出光信号；钝化层，覆盖外延结构侧壁，并覆盖反射镜表面剩余部分；钝化层与n‑GaN层形成平面，剩余部分为反射镜表面未被外延覆盖的部分；介质层，设置在钝化层与n‑GaN层形成的平面上，用于当外部电压高于阈值电压时，为Micro LED芯片结构提供电注入通道；透明电极层，设置在介质层上，用于多个Micro LED芯片结构之间形成电连接，并用于透过外延结构发出的光信号。本发明采用非接触式的电注入结构，采用透明电极层作为光传输通道和芯片结构的电极，避免因单独制备互联电路而引起的光的吸收损耗。
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公开(公告)号：CN103066195A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310030351.2
申请日：2013-01-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L2224/14 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明公开了一种应用石墨烯作为导热层的倒装结构发光二极管，包括：衬底，该衬底上下表面均覆盖有绝缘层，绝缘层表面各有一层金属线层；LED芯片，该LED芯片由下至上依次包括外延衬底、成核层、电子注入层、发光层和空穴注入层，以及对空穴注入层、发光层和电子注入层进行部分刻蚀后在空穴注入层之上形成的p电极和在电子注入层之上形成的n电极；该LED芯片在剥离完外延衬底后倒装键合在所述衬底上，该LED芯片的p电极和n电极与所述衬底上表面的金属线层相连接；以及导热层，形成于该LED芯片在剥离完外延衬底后的成核层之上。本发明利用石墨烯优越的导电性能，使得部分热量可以经由石墨烯导热层传递到衬底上，增加了器件的导热通道，提高了散热效果。
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公开(公告)号：CN102709410A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210180419.0
申请日：2012-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种纳米柱发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上依次外延u-GaN层、n型GaN层、二氧化硅掩蔽层和聚苯乙烯球；采用加热和ICP的方法，刻蚀聚苯乙烯球；采用加温处理，使聚苯乙烯球在二氧化硅掩蔽层的表面有稍微塌陷，把点接触变成面接触；在其上蒸金属；去除聚苯乙烯球表面的金属；采用加热处理和刻蚀二氧化硅掩蔽层；酸液腐蚀去掉金属掩膜，形成二氧化硅纳米孔状阵列结构；在其上依次外延MQW层、EBL层和p-GaN层，形成基片，在基片上生长ITO透明电极；分割成小芯片，将小芯片置于BOE溶液中超声时间为80s，使二氧化硅纳米孔状阵列结构的二氧化硅掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成器件的制备。该方法使用自组装技术，工艺简单，技术先进，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN102637787A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210124792.4
申请日：2012-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法，包括：在蓝宝石图形衬底上外延生长uGaN，在uGaN上生长nGaN，然后在nGaN上生长MQW应力释放层；在MQW应力释放层上外延生长InGaN/GaN多量子阱；在InGaN/GaN多量子阱上重复生长多个InGaN/GaN多量子阱；在该多个InGaN/GaN多量子阱上生长GaN基LED所需的pAlGaN和pGaN。本发明选用金属有机物化学气相沉积法，利用在切换量子阱和垒生长条件过程中保持GaN生长，即进行量子阱无间断生长，缩短了多量子阱生长所需的时间，大大提高了生产效率，同时获取高质量InGaN/GaN多量子阱的LED外延片。
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