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公开(公告)号：CN117855049A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410145119.1
申请日：2024-02-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/428 , H01L21/465 , H01L23/367 , H01L21/02
Abstract: 提供了一种氧化镓衬底及其制备方法，所述方法包括以下步骤：按照激光烧蚀版图，采用激光烧蚀法在所述初始氧化镓衬底表面加工出第一沟槽；对所述第一沟槽进行湿法化学腐蚀修复得到第二沟槽；以及在所述第二沟槽内填充导热层，以形成具有导热层的氧化镓衬底。通过激光刻蚀加工方法填充高导热材料，得到的具有导热层的氧化镓衬底结构简单，散热性能优异。
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公开(公告)号：CN102214740A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110136242.X
申请日：2011-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化镓成核层；在该氮化镓成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长一氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层；在该氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。利用本发明，可以调制外延层中因为晶格失配带来的应力，同时使GaN外延层中的位错转向、合并，从而降低后续生长的外延层中穿透位错的密度，改善材料质量，提高发光二极管的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN119183818A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411407112.9
申请日：2024-10-10
Applicant: 广东省农业科学院果树研究所 , 中国科学院半导体研究所 , 中国农业科学院农业环境与可持续发展研究所
IPC: A01G7/04
Abstract: 本发明提供了一种高效诱导燕窝果反季节成花的光配方及其应用，所述光配方包括波长为620nm及565nm的光，620nm与565nm光照的光强比为3‑5：1。本发明所述的高效诱导燕窝果反季节成花的光配方包括特定波长及特定比例LED混合光源，使用该光配方的LED光源照射燕窝果能够诱导实现燕窝果反季节成花，且可以显著提高成花数量，从而大幅度提高单株产量，使得种植燕窝果的经济效益大大增加，促进了燕窝果种植行业的发展。
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公开(公告)号：CN102534769A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210075720.5
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上生长一第一非故意掺杂氮化镓层；步骤5：在第一非故意掺杂氮化镓层上生长一第二非故意掺杂氮化镓层；步骤6：在第二非故意掺杂氮化镓层上依次生长N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层，得到完整外延结构。本发明可以使得氮化镓外延层有较低的缺陷密度一尤其是穿透性位错缺陷，因此能有效的提高器件的效率和使用寿命，同时该发明方法具有很宽的生长工艺窗口。
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公开(公告)号：CN102214739A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110136088.6
申请日：2011-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基LED的外延粗化方法的流程图，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化铝镓铟成核层；在该氮化铝镓铟成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层，该层为单层或者不同组分与厚度的氮化铝镓铟叠层结构；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。利用本发明，实现了P型掺杂的氮化铝镓铟层生长时的表面粗化，制备出的LED效率相对与传统结构提高了30％以上，且其电学性质优良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103579423B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310585931.8
申请日：2013-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，包括：在衬底的表面打两个通孔；在衬底的正反两面蒸镀二氧化硅膜保护膜；将衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，清洗；去掉衬底表面的二氧化硅膜保护膜；在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；在ITO层上一侧向下刻蚀，形成台面，该台面的中心处有一通孔；在台面的通孔的上面制作N型电极；在台面另一侧的ITO层上的通孔上制作P型电极；在台面另一侧的ITO层上的通孔的内壁制作绝缘层；在衬底背面及两个通孔内蒸镀铬金引导层；在衬底背面旋转涂覆光刻胶并做出图形，腐蚀铬金引导层。本发明可以降低了发光二极管的封装成本，特别适合大尺寸功率型发光二极管的封装应用。
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公开(公告)号：CN103579422A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310585913.X
申请日：2013-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2933/005
Abstract: 一种植物补光发光二极管的制作方法，包括在衬底的表面打通孔；在衬底的正反两面蒸度二氧化硅膜保护膜；将衬底清洗；在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；在ITO层上一侧及中间向下刻蚀，形成第一台面和第二台面，该第一、第二台面的中心处有一通孔；制作N型电极；制作P型电极；在ITO层上的通孔的内壁制作绝缘层；在衬底背面及通孔内蒸度铬金引导层；在衬底背面旋转涂覆光刻胶并做出图形，形成两个独立的芯片；用一丝网固定在其中的一个芯片表面，遮挡芯片；涂覆荧光粉；烘烤，完成制备。本发明的芯片上能解决植物光合作用需求的光。比原来植物生长LED光源大大节约成本和能量。
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公开(公告)号：CN102569567A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210075711.6
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化物LED外延结构的生长方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，在MOCVD反应室里将衬底进行热处理后，降温；步骤2：在衬底生长一层氮化物成核层；步骤3：退火，使衬底表面形成成核层的结晶；步骤4：在结晶的氮化物成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；步骤5：在非故意掺杂氮化镓上生长氮化镓应力控制层；步骤6：在氮化镓应力控制层上生长依次生长N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层，得到完整LED外延结构。本发明可以提高发光二极管外延质量，调制外延层中因为晶格失配带来的应力，并有效的改善发光二极管的漏电和抗静电性能。
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公开(公告)号：CN118374877A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410465054.9
申请日：2024-04-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种氧化镓晶体及其异质外延方法，应用于半导体技术领域，该方法包括：制备具有特定双向偏角的蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上生长氧化镓晶体；在氧化镓晶体上沉积功能性材料，得到目标器件。本发明提供的氧化镓晶体异质外延方法，引入三维扭转的定向设计制备具体特定双向偏角的蓝宝石衬底，蓝宝石衬底中不同偏角对应的原子间距和原子台阶高度不同，从而有效限制β相氧化镓在面内生长的各向对称性。在具有特定双向偏角的蓝宝石衬底上进行氧化镓晶体生长，可以有效提高β相氧化镓晶体生长取向的一致性，从而提升氧化镓晶体质量。
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公开(公告)号：CN118352402A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410460933.2
申请日：2024-04-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种氧化镓器件及其制备方法，该器件包括：肖特基器件、绝缘高导热叠层以及散热基板；肖特基器件包括：衬底、外延层、介质层、肖特基接触金属层、欧姆接触金属层以及电极引脚；绝缘高导热叠层设置于电极引脚的两侧；散热基板通过焊盘与肖特基器件中的电极引脚相连接。本发明提供的氧化镓器件，在氧化镓器件的电极及器件功能区域覆盖有绝缘高导热叠层材料，并以倒装的方式将器件连接在封装散热基板上，通过散热基板实现外接电路。提升器件的散热能力，降低温度对电子漂移的影响；使氧化镓器件所产生的热量被及时导出，降低器件自身的温度，提升氧化镓器件的耐压性能、可靠性以及器件工作稳定性。
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