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公开(公告)号：CN109142414A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810967001.1
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2251
CPC classification number: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种金属表面二次电子能谱分布测试方法，包括双层栅网球形二次电子收集器的结构、信号测试回路与测试流程；本发明的有益效果是：本发明的二次电子能谱分布测试方法，用于对金属材料样品的二次电子能谱分布进行测量，可以通过在偏压栅网上接入负偏压，对样品表面发射出的二次电子进行能量甑选，从而测得二次电子信号随负偏压的变化曲线，进而得到二次电子能谱分布曲线；双层栅网球形二次电子收集器，可以接收到整个空间中的二次电子，不仅可以对二次电子进行能量甑选，还可以测得二次电子能谱随电子入射角度的变化曲线；本发明可为金属材料表面二次电子发射特性改性效果提供评估依据。
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公开(公告)号：CN109060855A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810965994.9
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/22
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种金属表面二次电子发射系数测试方法，所述方法包括：采用双层栅网球形二次电子收集器收集金属材料样品表面发射出的二次电子，通过偏压栅网接正负50V偏压对二次电子进行能量甄选；实现金属材料表面二次电子发射特性改性效果评估与改性机制分析对金属材料二次电子发射系数的测试需求，分别测得金属材料表面的真二次电子发射系数、电子背散射系数和总二次电子发射系数，以实现一种测试精度高、测试结果完备的二次电子发射系数测试方法。
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公开(公告)号：CN107739859A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711026835.4
申请日：2017-10-27
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种储氢无裂纹锆钛铜合金电极源片的制备工艺，(a)采用金属钛、金属锆和金属铜作为原料，根据原料的配比，采用水冷铜坩埚电磁感应真空悬浮熔炼的方法制备锆钛铜合金；(b)将步骤(a)得到的锆钛铜合金锭加工成一定形状和尺寸的样品，并对其表面进行一系列预处理；(c)将步骤(b)得到的锆钛铜合金样品进行吸氢反应，制备出成品。本发明的将从更为本质的材料本身着手，重点研制一种性能优良的合金材料，这种合金材料能够在吸氢过程中，通过某些微量元素的钉扎作用，减少因氢化作用产生的体涨和氢脆效应。
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公开(公告)号：CN103978215B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410241645.4
申请日：2014-06-03
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: B22F3/14
Abstract: 本发明涉及电极制备技术领域，具体公开了一种金属氢化物电极制备方法和装置及其使用方法，金属氢化物电极制备方法，采用金属氢化物粉末热压成型制备金属氢化物电极，采用0.5GPa -5Gpa高压将金属氢化物粉末压制成型；保持高压并加热成型电极至300℃-900℃并在此温度范围内保持0.5min以上，消除内应力，制备满足形状、尺寸和强度要求的储氢电极。本发明能够获得成分更均匀的电极，能改善现有技术中成型引起的应力等内部缺陷，制备的电极强度高，并且电极制备时间短，具有结构均匀性好、通用性强的等优点。
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公开(公告)号：CN111641110B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202010630490.9
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种伪火花开关，包括伪火花开关本体，该伪火花开关本体包括阴极封接件、绝缘外壳、空心阴极、空心阳极和阳极封接件，该伪火花开关还包括触发极、绝缘体、触发电源和放电电路，以实现通过放电电路放电触发伪火花开关工作，提高伪火花开关的工作效率，使得伪火花开关可以适用于对时间要求高的工作场景中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117042276A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310925038.9
申请日：2023-07-26
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H3/06
Abstract: 本发明公开了一种高引出效率的离子源结构及密封中子管结构；由TiT薄膜靶紧贴在封闭外壳的内壁；靶栅网紧靠TiT薄膜靶，在靶栅网与封闭外壳之间加载电压产生负偏压；在放电阳极与放电阴极之间加载电压后产生等离子体；本方案基于现在有的真空弧放电的离子源结构进行结构上的改进，在放电阴极与阳极栅网之间预留空间供等离子体自由膨胀，为等离子体提供开放的膨胀空间，使得放电产生的等离子体大部分都可以膨胀进入加速区获得能量并轰击靶面，从而可以将弧流利用率提高到1％左右，实现中子产额突破1×1010n/s。
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公开(公告)号：CN113533404A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110789989.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用，测试方法包括以下步骤：S1、采用脉冲电子束轰击样品表面考察样品表面正电荷积聚对二次电子发射过程的影响并确定电荷中和操作的次数；S2、基于电荷中和操作的次数测定样品的二次电子产额。本发明的测试方法是基于双层栅网球形二次电子收集器；本发明的二次电子产额测试方法，可以有效对绝缘介质材料表面二次电子发射后积聚的正电荷进行补偿，防止积聚电荷影响二次电子发射带来测试误差；电荷补偿的效果不受材料二次电子产额大小以及样品厚度等因素影响，测试方法的准确性没有适用范围的限制；可以同时测得绝缘介质材料样品的真二次电子产额、背散射电子产额和总二次电子产额。
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公开(公告)号：CN103683981B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410000814.5
申请日：2014-01-02
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种单极性低温等离子体电源，包括依次连接的交流变换单元、波形整形单元和材料表面处理单元。本发明的有益效果是：本发明的波形整形单元采用多原边变压器，能够输出多种前沿脉冲输出，再通过方波发生器的输出方波的调节脉宽，实现了频率0-50kHZ可调、电压0-50kV可调、脉宽1-100μs可调、上升沿300ns-15μs可调的单极性脉冲；本发明的输出电压为单极性，使得两个电极板之间放电非常均匀，对工件和电极板基本没有破坏性，保证了工件或材料的完整性，延长了电极板的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104202897A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410442285.4
申请日：2014-09-02
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及材料表面处理技术领域，具体公开了一种DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法，装置包括功率源和DBD等离子体反应器，DBD等离子体反应器的反应室内设置有至少3层介质板，相邻介质板之间具有间隙；方法是采用前述DBD低温等离子体产生装置进行处理。本发明的每两层介质板之间都能够放电形成均匀良好的低温等离子体，处于中间位置的每一层介质板两侧均可处理聚合物薄膜，覆盖在两个电极上的介质板能够处理一层聚合物薄膜，能够提高单次处理的聚合物薄膜的数量和面积；应用该方法处理聚合物薄膜的单次处理量增加、处理效率高。
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公开(公告)号：CN103978215A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410241645.4
申请日：2014-06-03
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: B22F3/14
Abstract: 本发明涉及电极制备技术领域，具体公开了一种金属氢化物电极制备方法和装置及其使用方法，金属氢化物电极制备方法，采用金属氢化物粉末热压成型制备金属氢化物电极，采用0.5GPa-5Gpa高压将金属氢化物粉末压制成型；保持高压并加热成型电极至300℃-900℃并在此温度范围内保持0.5min以上，消除内应力，制备满足形状、尺寸和强度要求的储氢电极。本发明能够获得成分更均匀的电极，能改善现有技术中成型引起的应力等内部缺陷，制备的电极强度高，并且电极制备时间短，具有结构均匀性好、通用性强的等优点。
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