公开(公告)号：CN118315867A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410538320.6

申请日：2024-04-30

Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所

Inventor： 刘平 ,  杨洁 ,  秦臻 ,  向军 ,  李晨 ,  李天涛 ,  陈欣 ,  黄刚 ,  赵伟 ,  张晓宁 ,  何小中 ,  袁建强 ,  李洪涛

IPC: H01R13/639 ,  H01R13/52 ,  H01R13/621 ,  H01R43/00 ,  H01R43/20

Abstract: 本发明涉及高压电缆插头技术领域，具体涉及一种用于电子束焊机的高压电缆插头及其制备方法，包括：电缆头插针、环氧树脂头、电缆头固定环、高压电缆、电缆头压筒、电缆头压环法兰，电缆头插针连接在环氧树脂头的顶端，高压电缆连接在环氧树脂头的底端，电缆头固定环与环氧树脂头的底端连接；电缆头压筒与高压电缆固定连接，电缆头压筒的端面与电缆头固定环的端面连接；电缆头压环法兰与电缆头压筒连接；本发明可以保证电缆头环氧树脂与插座的侧接触面完全且紧密贴合，保证了高压电缆插头的耐高压能力和使用可靠性；同时，通过电缆头固定环、电缆头压筒以及电缆头压环法兰保证了与高压电缆插座的连接稳定性。

公开(公告)号：CN113529041A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110791204.1

申请日：2021-07-13

Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所

Inventor： 何佳龙 ,  董攀 ,  刘飞翔 ,  李杰 ,  王韬 ,  赵伟 ,  张晓宁 ,  杨洁 ,  陈欣 ,  刘平 ,  石金水

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明公开了抑制绝缘介质材料二次电子发射的离子束注入装置及方法，离子束注入装置包括真空弧离子束源系统、真空辅助系统和离子注入靶盘系统，所述真空弧离子束源系统包括离子束高压加速电源、离子束引出电源、等离子体电源、真空弧离子源和接地栅网。通过在绝缘介质材料表面注入能量为几十至一百keV的金属离子，通过离子束注入，在材料表面离子束射程范围内，产生离子束辐照缺陷，提高材料内部真二次电子与载流子碰撞损失能量，进而被辐照缺陷俘获的概率，从而显著降低材料的二次电子产额。

公开(公告)号：CN113529041B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202110791204.1

申请日：2021-07-13

Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所

Inventor： 何佳龙 ,  董攀 ,  刘飞翔 ,  李杰 ,  王韬 ,  赵伟 ,  张晓宁 ,  杨洁 ,  陈欣 ,  刘平 ,  石金水

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明公开了抑制绝缘介质材料二次电子发射的离子束注入装置及方法，离子束注入装置包括真空弧离子束源系统、真空辅助系统和离子注入靶盘系统，所述真空弧离子束源系统包括离子束高压加速电源、离子束引出电源、等离子体电源、真空弧离子源和接地栅网。通过在绝缘介质材料表面注入能量为几十至一百keV的金属离子，通过离子束注入，在材料表面离子束射程范围内，产生离子束辐照缺陷，提高材料内部真二次电子与载流子碰撞损失能量，进而被辐照缺陷俘获的概率，从而显著降低材料的二次电子产额。

公开(公告)号：CN113533404A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110789989.9

申请日：2021-07-13

Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所

Inventor： 何佳龙 ,  杨洁 ,  张晓宁 ,  刘平 ,  陈欣 ,  赵伟 ,  李杰 ,  董攀 ,  王韬 ,  刘飞翔 ,  石金水

IPC: G01N23/2251

Abstract: 本发明公开了一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用，测试方法包括以下步骤：S1、采用脉冲电子束轰击样品表面考察样品表面正电荷积聚对二次电子发射过程的影响并确定电荷中和操作的次数；S2、基于电荷中和操作的次数测定样品的二次电子产额。本发明的测试方法是基于双层栅网球形二次电子收集器；本发明的二次电子产额测试方法，可以有效对绝缘介质材料表面二次电子发射后积聚的正电荷进行补偿，防止积聚电荷影响二次电子发射带来测试误差；电荷补偿的效果不受材料二次电子产额大小以及样品厚度等因素影响，测试方法的准确性没有适用范围的限制；可以同时测得绝缘介质材料样品的真二次电子产额、背散射电子产额和总二次电子产额。

公开(公告)号：CN113533404B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202110789989.9

申请日：2021-07-13

Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所

Inventor： 何佳龙 ,  杨洁 ,  张晓宁 ,  刘平 ,  陈欣 ,  赵伟 ,  李杰 ,  董攀 ,  王韬 ,  刘飞翔 ,  石金水

IPC: G01N23/2251

Abstract: 本发明公开了一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用，测试方法包括以下步骤：S1、采用脉冲电子束轰击样品表面考察样品表面正电荷积聚对二次电子发射过程的影响并确定电荷中和操作的次数；S2、基于电荷中和操作的次数测定样品的二次电子产额。本发明的测试方法是基于双层栅网球形二次电子收集器；本发明的二次电子产额测试方法，可以有效对绝缘介质材料表面二次电子发射后积聚的正电荷进行补偿，防止积聚电荷影响二次电子发射带来测试误差；电荷补偿的效果不受材料二次电子产额大小以及样品厚度等因素影响，测试方法的准确性没有适用范围的限制；可以同时测得绝缘介质材料样品的真二次电子产额、背散射电子产额和总二次电子产额。

公开(公告)号：CN212433427U

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202021329126.0

申请日：2020-07-08

Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所

Inventor： 张晓宁 ,  龙继东 ,  彭宇飞 ,  李晨 ,  何佳龙 ,  赵伟

IPC: G01T1/38 ,  G01N23/201

Abstract: 本实用新型公开了电子弹性反冲探测系统，包括真空室，还包括置于真空室中的电子枪、靶材料和探测器，所述电子枪和探测器均安装在靶材料上方；所述电子枪用于提供轰击靶材料的入射粒子束，所述电子枪提供的入射粒子束为低能量电子束；所述探测器用于接收入射粒子束轰击靶材料后产生的弹性反冲氢离子。本实用新型采用低能量电子束作为入射粒子束，在不损伤材料表面的同时对其氢同位素的测量分辨率达到纳米级；解决了现有探测技术分辨率较低的问题。