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公开(公告)号：CN113005037B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110391230.5
申请日：2021-04-12
Applicant: 深圳市第二人民医院(深圳市转化医学研究院) , 中国工程物理研究院流体物理研究所 , 四川两用技术有限公司
Abstract: 本发明涉及生物医疗领域及医疗设备技术，公开了一种用于细胞培养的电极绝缘垫及其非接触电场装置和方法。用于细胞培养的电极绝缘垫包括金属电极片、用于容纳金属电极片且隔绝金属电极片与细胞培养液接触的绝缘垫套件，所述绝缘垫套件设有用于与细胞培养孔板固定的安装结构。非接触电场装置，包括上述电极绝缘垫和细胞培养孔板，所述电极绝缘垫相对固定于细胞培养孔板的壁上。本发明培养细胞的方法，通过非接触电场装置，在细胞培养孔内形成水平电场，实现非接触给与细胞水平电场刺激。本发明由于金属电极没有与细胞培养液接触，因此在通电后，电流没有经过细胞培养液，不会电分解细胞培养液而影响培养液的化学环境等。
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公开(公告)号：CN116953334A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310962103.5
申请日：2023-08-01
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种10GHz脉冲高电压信号测量装置及方法，测量装置包括信号传输结构和探头；信号传输结构采用内外导体同轴结构，用于对脉冲高电压信号进行传输；信号传输结构和探头结构构成电容分压器，利用该电容分压器进行脉冲高电压信号的传输与测量。本发明采用同轴传输线结构来实现脉冲高电压信号的传输，同时利用同轴探头结构并在探头与传输线外导体之间形成绝缘膜，从而实现探头与对应传输线外导体尺寸的精密配合，有效减小探头绝缘的杂散参数，提高探头的高频响应能力。
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公开(公告)号：CN113990967B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111241120.7
申请日：2021-10-25
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/10 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例提供一种堆栈结构GaAs光导开关及制作方法和冲激脉冲源，通过光导开关的低导通电阻以提高冲激脉冲源的输出功率；包括：在半绝缘GaAs材料表面外延生长一层n+‑GaAs层；将半绝缘GaAs材料表面除电极区域外的n+‑GaAs层去除；将锗、金、镍和金依次沉积到电极区域的n+‑GaAs层表面；在去除n+‑GaAs层的半绝缘GaAs材料的半绝缘GaAs材料表面刻蚀槽；在槽内蒸镀金属或者外延生长n+‑GaAs；经过高温快速退火在电极区域形成欧姆接触，制作得到光导开关。本发明实施例得到了欧姆接触电阻率小于10‑6Ω·cm2的光导开关，使采用该光导开关的冲激脉冲源提高了输出功率。
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公开(公告)号：CN114361287A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210003973.5
申请日：2022-01-04
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01L31/111 , H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种用于高温环境的硅基光触发多门极半导体开关芯片，所述硅基光触发多门极半导体开关芯片包括依次形成的阴极电极、PN结结构和阳极电极，所述PN结结构为N+PN‑NP+结构，从上到下依次包括N+层、基层、N‑层、N层和P+层，通过所述PN结结构实现降低光触发多门极半导体开关芯片的漏电流。所述PN结结构为N+PN‑NP+结构的形成方式包括：将N基区分成N‑层和N层，或者在P区和N基区之间增加N‑层。所述阴极电极的结构为圆环状或梳条状电极结构。本发明解决了传统光触发多门极半导体开关芯片在高温(125℃)工作时由于晶体管增益会产生较大漏电流而使开关导通，导致应用系统崩溃或无法使用的问题。
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公开(公告)号：CN113005037A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110391230.5
申请日：2021-04-12
Applicant: 深圳市第二人民医院(深圳市转化医学研究院) , 中国工程物理研究院流体物理研究所 , 四川两用技术有限公司
Abstract: 本发明涉及生物医疗领域及医疗设备技术，公开了一种用于细胞培养的电极绝缘垫及其非接触电场装置和方法。用于细胞培养的电极绝缘垫包括金属电极片、用于容纳金属电极片且隔绝金属电极片与细胞培养液接触的绝缘垫套件，所述绝缘垫套件设有用于与细胞培养孔板固定的安装结构。非接触电场装置，包括上述电极绝缘垫和细胞培养孔板，所述电极绝缘垫相对固定于细胞培养孔板的壁上。本发明培养细胞的方法，通过非接触电场装置，在细胞培养孔内形成水平电场，实现非接触给与细胞水平电场刺激。本发明由于金属电极没有与细胞培养液接触，因此在通电后，电流没有经过细胞培养液，不会电分解细胞培养液而影响培养液的化学环境等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111082792A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911386053.0
申请日：2019-12-29
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H03K17/94 , H01L31/111
Abstract: 本发明公开了一种光控半导体开关。所述的光控半导体开关的内部包括从上至下依次排列的屏蔽地电极、片式半导体激光器、激光分光耦合器、大面积半导体单元和屏蔽高压电极，在片式半导体激光器、激光分光耦合器的间隙内连接有取电模块或升压模块，光控半导体开关的侧面包裹有绝缘封装外壳，绝缘封装外壳与屏蔽电极共同构成光控半导体开关封装外壳；光控半导体开关的供电与触发信号接口伸出光控半导体开关封装外壳。本发明的光控半导体开关可以用于高功率脉冲电源、紧凑型高功率脉冲组件、小体积高能量脉冲触发等多种场合，具有功率容量高、可靠性高、寿命长、体积小等多种优势。
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公开(公告)号：CN107192931A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710585588.5
申请日：2017-07-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01R31/12 , G01R31/26 , G01R31/327
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R31/129 , G01R31/3272
Abstract: 本发明公开了一种高压脉冲电容器与开关综合实验平台，包括：主回路测试模块，用于放置被测试部件，将被测部件连接入测试回路进行测试；直流局放测试模块，用于诊断高压脉冲电容器在高电压过程中产生的直流局部放电信号；重频触发电源模块，用于触发控制主回路测试模块中的高压开关；直流测量及高压接地开关，用于高压脉冲电容器的高压直流监测和安全接地；气体处理单元模块，用于高压开关的气体循环与处理；放电参数检测及判断模块，用于监测高压脉冲电容器与开关的参数；总控单元模块，用于将数据进行集中化处理，保证实验平台中的自动化运行，实现了通过本试验平台能够自动化高效的对高压脉冲电容器与开关进行试验的技术效果。
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公开(公告)号：CN116979935A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310998354.9
申请日：2023-08-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H03K3/57
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型强电流脉冲驱动源，涉及脉冲驱动技术领域，包括：触发信号源产生触发信号；激光二极管根据触发信号发出光信号触发光触发多门极半导体开关；激光二极管与触发信号源连接；光触发多门极半导体开关控制高压电源产生电流脉冲提供给负载；光触发多门极半导体开关连接在高压电源与负载之间；本发明在现有的强电流脉冲驱动技术的基础上，进行结构上的改进，以光触发多门极半导体开关实现大电流、快前沿的脉冲电流输出，解决了气体开关使用带来的固有技术问题，基于激光二极管实现脉冲放电的触发控制，触发元件驱动电压低，同时以激光二极管作为触发元件，具有可靠性高、结构紧凑等优势。
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公开(公告)号：CN106972841B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201710277203.9
申请日：2017-04-25
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H03K3/53
Abstract: 本发明公开了一种简化脉冲形成电路及LTD模块，所述电路包括：两个基波电容、两个谐波电容、一个开关，其中，每个基波电容和对应的一个谐波电容并联构成一组电容器，第一组电容器一端接地，第一组电容器另一端与开关的一端连接，开关的另一端与第二组电容器一端连接，第二组电容器另一端接地，解决了现有的方波LTD空间设计不合理，开关数量较多，规模大成本高的技术问题，实现了简化了脉冲形成电路及LTD模块，使得LTD模块结构简单紧凑，开关数量较少，成本较低，保障运行可靠性的技术效果。
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公开(公告)号：CN112490231B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202011394810.1
申请日：2020-12-03
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种基于SiC载流子寿命调控的贴片式全固态高功率微波源，包括半导体晶圆片，晶圆片上集成有光导开关和平面辐射天线，通过将SiC光导开关和平面辐射天线集成在同一SiC晶圆上，而且辐射天线为采用离子注入等工艺基于半绝缘SiC材料制作而成，可实现一个高功率微波源单元为贴片式结构，通过触发激光的皮秒同步，并能实现多个高功率微波源单元的功率合成，基于SiC半导体材料高功率容量的优点，可实现单个贴片式结构的高功率微波源单元输出微波功率达到MW量级，具有极大的推广价值和广阔的应用前景。
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