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公开(公告)号：CN117042276A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310925038.9
申请日：2023-07-26
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H3/06
Abstract: 本发明公开了一种高引出效率的离子源结构及密封中子管结构；由TiT薄膜靶紧贴在封闭外壳的内壁；靶栅网紧靠TiT薄膜靶，在靶栅网与封闭外壳之间加载电压产生负偏压；在放电阳极与放电阴极之间加载电压后产生等离子体；本方案基于现在有的真空弧放电的离子源结构进行结构上的改进，在放电阴极与阳极栅网之间预留空间供等离子体自由膨胀，为等离子体提供开放的膨胀空间，使得放电产生的等离子体大部分都可以膨胀进入加速区获得能量并轰击靶面，从而可以将弧流利用率提高到1％左右，实现中子产额突破1×1010n/s。
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公开(公告)号：CN113533404A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110789989.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用，测试方法包括以下步骤：S1、采用脉冲电子束轰击样品表面考察样品表面正电荷积聚对二次电子发射过程的影响并确定电荷中和操作的次数；S2、基于电荷中和操作的次数测定样品的二次电子产额。本发明的测试方法是基于双层栅网球形二次电子收集器；本发明的二次电子产额测试方法，可以有效对绝缘介质材料表面二次电子发射后积聚的正电荷进行补偿，防止积聚电荷影响二次电子发射带来测试误差；电荷补偿的效果不受材料二次电子产额大小以及样品厚度等因素影响，测试方法的准确性没有适用范围的限制；可以同时测得绝缘介质材料样品的真二次电子产额、背散射电子产额和总二次电子产额。
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公开(公告)号：CN117645504A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311673105.9
申请日：2023-12-07
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本申请提供了一种铁氧体陶瓷金属化及钎焊的方法，包括：将BaCO3粉末、SiO2粉末、CaO粉末、MgO粉末以及Al2O3粉末混合后在1300～1400℃下煅烧1～2小时，取出依次进行水淬和研磨，得到低温共熔物；将Ag粉末、CuO粉末以及低温共熔物混合研磨后与有机物制成膏体，将膏体涂覆于铁氧体陶瓷表面，烘干后进行2个阶段的煅烧，最后自然冷却至室温，得到金属化铁氧体陶瓷，将金属化铁氧体陶瓷、焊料以及金属装配进行钎焊。无机氧化物在金属化烧结过程中金属化层，与Ag在烧结后可以长期在800℃以上的高温工作，金属化层可以耐受银基焊料及常用的低温焊料的溶蚀，有效实现金属化后铁氧体陶瓷与金属的钎焊。
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公开(公告)号：CN106353259B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201610984993.X
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了含氘电极真空弧离子源瞬态氘分子气压的测量方法，包括以下步骤：步骤一、向真空弧离子源的真空腔添加示踪气体；步骤二、测量放电前通入真空腔的示踪气体气压；步骤三、测量放电后某一瞬间示踪元素和氘原子的光谱强度，并计算此时示踪元素与氘原子两者光谱强度的比值；步骤四、采用放电前测得的示踪气体气压除以步骤三所获得的光谱强度比值，得到步骤三测量时刻的瞬时氘分子气压。本发明还公开了实施上述测量方法的装置。本发明应用时能在不干扰放电的前提下快速得到局域瞬态氘分子气压。
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公开(公告)号：CN113529041A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110791204.1
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了抑制绝缘介质材料二次电子发射的离子束注入装置及方法，离子束注入装置包括真空弧离子束源系统、真空辅助系统和离子注入靶盘系统，所述真空弧离子束源系统包括离子束高压加速电源、离子束引出电源、等离子体电源、真空弧离子源和接地栅网。通过在绝缘介质材料表面注入能量为几十至一百keV的金属离子，通过离子束注入，在材料表面离子束射程范围内，产生离子束辐照缺陷，提高材料内部真二次电子与载流子碰撞损失能量，进而被辐照缺陷俘获的概率，从而显著降低材料的二次电子产额。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107027236B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201710405958.2
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H3/06
Abstract: 本发明公开了中子发生器，包括绝缘管壁，绝缘管壁的一个端面封闭形成离子源的安装基板，另一端作为封接口，在安装基板上设置有一个环状阳极板，在环状阳极板内沿径向依次套装有同轴的触发绝缘块、阴极，环状阳极板通过一个同轴的圆筒状出口金属栅网与板状阳极板连接，在绝缘管壁的内侧设置有与出口金属栅网分离的环形靶；还包括一个与阴极间隔设置的触发电极、以及电源系统。本发明结构采用了径向引出的方法，保持轴向放电的方式，金属离子仍然会分布在轴线上，最终大部分会损失在边壁上，而氘离子由于分布在边沿处，受引出电场的影响，会有较高的引出效率。
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公开(公告)号：CN113529041B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110791204.1
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了抑制绝缘介质材料二次电子发射的离子束注入装置及方法，离子束注入装置包括真空弧离子束源系统、真空辅助系统和离子注入靶盘系统，所述真空弧离子束源系统包括离子束高压加速电源、离子束引出电源、等离子体电源、真空弧离子源和接地栅网。通过在绝缘介质材料表面注入能量为几十至一百keV的金属离子，通过离子束注入，在材料表面离子束射程范围内，产生离子束辐照缺陷，提高材料内部真二次电子与载流子碰撞损失能量，进而被辐照缺陷俘获的概率，从而显著降低材料的二次电子产额。
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公开(公告)号：CN106356269B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201610984994.4
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种沿面触发结构，包括阴极、触发极、触发绝缘块、触发极馈电杆及触发电源，其中，触发绝缘块水平设置且其上端面为平面，触发极为圆环状，触发极水平设置于触发绝缘块上端面。阴极穿过触发绝缘块且其上端的端头部位设于触发极中央，阴极下端与触发电源负极连接。触发极馈电杆穿过触发绝缘块且其上端与触发极连接，触发极馈电杆下端与触发电源正极连接，触发绝缘块上端面位于阴极与触发极之间的区域涂覆有金属薄膜。本发明还公开了上述沿面触发结构构成的真空弧离子源。本发明整体结构简单，便于实现，成本低，且应用时能提升触发放电的可靠性和离子源稳定性，便于推广应用。
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公开(公告)号：CN107027236A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710405958.2
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H3/06
CPC classification number: H05H3/06
Abstract: 本发明公开了中子发生器，包括绝缘管壁，绝缘管壁的一个端面封闭形成离子源的安装基板，另一端作为封接口，在安装基板上设置有一个环状阳极板，在环状阳极板内沿径向依次套装有同轴的触发绝缘块、阴极，环状阳极板通过一个同轴的圆筒状出口金属栅网与板状阳极板连接，在绝缘管壁的内侧设置有与出口金属栅网分离的环形靶；还包括一个与阴极间隔设置的触发电极、以及电源系统。本发明结构采用了径向引出的方法，保持轴向放电的方式，金属离子仍然会分布在轴线上，最终大部分会损失在边壁上，而氘离子由于分布在边沿处，受引出电场的影响，会有较高的引出效率。
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公开(公告)号：CN113533404B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110789989.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用，测试方法包括以下步骤：S1、采用脉冲电子束轰击样品表面考察样品表面正电荷积聚对二次电子发射过程的影响并确定电荷中和操作的次数；S2、基于电荷中和操作的次数测定样品的二次电子产额。本发明的测试方法是基于双层栅网球形二次电子收集器；本发明的二次电子产额测试方法，可以有效对绝缘介质材料表面二次电子发射后积聚的正电荷进行补偿，防止积聚电荷影响二次电子发射带来测试误差；电荷补偿的效果不受材料二次电子产额大小以及样品厚度等因素影响，测试方法的准确性没有适用范围的限制；可以同时测得绝缘介质材料样品的真二次电子产额、背散射电子产额和总二次电子产额。
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