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公开(公告)号：CN117042276A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310925038.9
申请日：2023-07-26
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H3/06
Abstract: 本发明公开了一种高引出效率的离子源结构及密封中子管结构；由TiT薄膜靶紧贴在封闭外壳的内壁；靶栅网紧靠TiT薄膜靶，在靶栅网与封闭外壳之间加载电压产生负偏压；在放电阳极与放电阴极之间加载电压后产生等离子体；本方案基于现在有的真空弧放电的离子源结构进行结构上的改进，在放电阴极与阳极栅网之间预留空间供等离子体自由膨胀，为等离子体提供开放的膨胀空间，使得放电产生的等离子体大部分都可以膨胀进入加速区获得能量并轰击靶面，从而可以将弧流利用率提高到1％左右，实现中子产额突破1×1010n/s。
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公开(公告)号：CN113533404A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110789989.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用，测试方法包括以下步骤：S1、采用脉冲电子束轰击样品表面考察样品表面正电荷积聚对二次电子发射过程的影响并确定电荷中和操作的次数；S2、基于电荷中和操作的次数测定样品的二次电子产额。本发明的测试方法是基于双层栅网球形二次电子收集器；本发明的二次电子产额测试方法，可以有效对绝缘介质材料表面二次电子发射后积聚的正电荷进行补偿，防止积聚电荷影响二次电子发射带来测试误差；电荷补偿的效果不受材料二次电子产额大小以及样品厚度等因素影响，测试方法的准确性没有适用范围的限制；可以同时测得绝缘介质材料样品的真二次电子产额、背散射电子产额和总二次电子产额。
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公开(公告)号：CN112449475A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011422922.3
申请日：2020-12-08
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种新的直线感应加速腔结构，包括铁磁室，铁磁室内设有磁芯组，磁芯组包括铁氧体磁芯和非晶磁芯。本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：横向阻抗大大降低，不需要像常规非晶磁芯感应腔那样采用增加束管道半径的方式来降低非晶磁芯感应腔的横向耦合阻抗以满足强流束的输运要求；铁氧体磁性材料近似绝缘材料且它将非晶磁芯与高压馈入板隔开，这大幅度增加了非晶磁芯感应加速腔的耐压能力；结构紧凑、可靠，既可用于短脉冲，也可用于长脉冲、多脉冲等需要提供更多伏秒数的情形；与现有感应腔相比，可以减小磁芯的用量，提高加速梯度，减少加速器的长度，利于强流束的传输，同时大幅降低加速器的造价。
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公开(公告)号：CN104202897A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410442285.4
申请日：2014-09-02
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及材料表面处理技术领域，具体公开了一种DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法，装置包括功率源和DBD等离子体反应器，DBD等离子体反应器的反应室内设置有至少3层介质板，相邻介质板之间具有间隙；方法是采用前述DBD低温等离子体产生装置进行处理。本发明的每两层介质板之间都能够放电形成均匀良好的低温等离子体，处于中间位置的每一层介质板两侧均可处理聚合物薄膜，覆盖在两个电极上的介质板能够处理一层聚合物薄膜，能够提高单次处理的聚合物薄膜的数量和面积；应用该方法处理聚合物薄膜的单次处理量增加、处理效率高。
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公开(公告)号：CN103915305A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410156712.2
申请日：2014-04-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01J37/08
Abstract: 本发明公开了一种电阻触发式真空弧离子源装置，包括阳极（1）、阴极（2）、触发极（3）、阴极-触发极绝缘件（4）、触发电阻（5）以及连接在阴极（2）下端的阴极固定导电接头（6），上述阳极（1）由中空圆筒状的阳极支撑体（11）和连接在阳极支撑体（11）上端的环形阳极（12）构成，上述触发电阻（5）、触发极（3）、阴极-触发极绝缘件（4）和阴极（2）从外至内依次设置在阳极支撑体（11）内。本发明的触发电阻内置在真空弧离子源装置内，结构紧凑、体积小、节省安装空间，并且保证了电接触和绝缘可靠性，并能有效改善分布参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109142414A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810967001.1
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2251
CPC classification number: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种金属表面二次电子能谱分布测试方法，包括双层栅网球形二次电子收集器的结构、信号测试回路与测试流程；本发明的有益效果是：本发明的二次电子能谱分布测试方法，用于对金属材料样品的二次电子能谱分布进行测量，可以通过在偏压栅网上接入负偏压，对样品表面发射出的二次电子进行能量甑选，从而测得二次电子信号随负偏压的变化曲线，进而得到二次电子能谱分布曲线；双层栅网球形二次电子收集器，可以接收到整个空间中的二次电子，不仅可以对二次电子进行能量甑选，还可以测得二次电子能谱随电子入射角度的变化曲线；本发明可为金属材料表面二次电子发射特性改性效果提供评估依据。
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公开(公告)号：CN109060855A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810965994.9
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/22
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种金属表面二次电子发射系数测试方法，所述方法包括：采用双层栅网球形二次电子收集器收集金属材料样品表面发射出的二次电子，通过偏压栅网接正负50V偏压对二次电子进行能量甄选；实现金属材料表面二次电子发射特性改性效果评估与改性机制分析对金属材料二次电子发射系数的测试需求，分别测得金属材料表面的真二次电子发射系数、电子背散射系数和总二次电子发射系数，以实现一种测试精度高、测试结果完备的二次电子发射系数测试方法。
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公开(公告)号：CN112449475B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202011422922.3
申请日：2020-12-08
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种直线感应加速腔结构，包括铁磁室，铁磁室内设有磁芯组，磁芯组包括铁氧体磁芯和非晶磁芯。本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：横向阻抗大大降低，不需要像常规非晶磁芯感应腔那样采用增加束管道半径的方式来降低非晶磁芯感应腔的横向耦合阻抗以满足强流束的输运要求；铁氧体磁性材料近似绝缘材料且它将非晶磁芯与高压馈入板隔开，这大幅度增加了非晶磁芯感应加速腔的耐压能力；结构紧凑、可靠，既可用于短脉冲，也可用于长脉冲、多脉冲等需要提供更多伏秒数的情形；与现有感应腔相比，可以减小磁芯的用量，提高加速梯度，减少加速器的长度，利于强流束的传输，同时大幅降低加速器的造价。
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公开(公告)号：CN113533404B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110789989.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用，测试方法包括以下步骤：S1、采用脉冲电子束轰击样品表面考察样品表面正电荷积聚对二次电子发射过程的影响并确定电荷中和操作的次数；S2、基于电荷中和操作的次数测定样品的二次电子产额。本发明的测试方法是基于双层栅网球形二次电子收集器；本发明的二次电子产额测试方法，可以有效对绝缘介质材料表面二次电子发射后积聚的正电荷进行补偿，防止积聚电荷影响二次电子发射带来测试误差；电荷补偿的效果不受材料二次电子产额大小以及样品厚度等因素影响，测试方法的准确性没有适用范围的限制；可以同时测得绝缘介质材料样品的真二次电子产额、背散射电子产额和总二次电子产额。
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公开(公告)号：CN108896594A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201811087187.8
申请日：2018-09-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置，包括真空腔体及真空泵，还包括加热装置，所述加热装置包括底桶及压盖；还包括驱动部，所述驱动部用于驱动压盖沿着底桶开口端的朝向方向运动；还包括样品存储台，在所述压盖扣合于底桶开口端上时，所述样品存储台位于底桶与压盖两者所围成的空间内；还包括抓取转运部及闸门部，所述闸门部作为所述封闭空间与真空腔体外侧的通道；所述加热装置用于对底桶与压盖两者所围成的空间进行加热。该预处理装置不仅能够有效消除样品表面吸附气体与挥发性有机沾染物对材料二次电子发射特性测量的影响，同时其结构设计可有效避免样品由预处理腔转移至测量腔过程中受到二次污染。
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