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公开(公告)号：CN119260092A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411378696.1
申请日：2024-09-30
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种铍箔与不锈钢件封接的方法，包括步骤：S1、预处理，将铍箔进行去油清洗、酸洗，去除表面的油污、氧化物；对不锈钢件、焊料进行包括去油清洗的预处理，去除表面的油污；S2、装配，由下而上依次将铍箔、焊料、不锈钢件的进行装配，得到待钎焊的装配好的组件；S3、钎焊，将装配好的组件置于真空炉内，升高真空炉的炉温并保温，通过高温分解铍箔上的氧化物，使焊料能够有效润湿铍箔，充分有效反应，保温结束后控制降温至室温，取出钎焊后封接件。依据本发明的铍箔与不锈钢件封接法能够有效破除铍箔表面的氧化物，焊料对不锈钢件具有良好的润湿性，发生反应，从而直接实现铍箔与不锈钢件之间的焊接，获得高质量的铍箔与不锈钢件封接件。
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公开(公告)号：CN113533404A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110789989.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用，测试方法包括以下步骤：S1、采用脉冲电子束轰击样品表面考察样品表面正电荷积聚对二次电子发射过程的影响并确定电荷中和操作的次数；S2、基于电荷中和操作的次数测定样品的二次电子产额。本发明的测试方法是基于双层栅网球形二次电子收集器；本发明的二次电子产额测试方法，可以有效对绝缘介质材料表面二次电子发射后积聚的正电荷进行补偿，防止积聚电荷影响二次电子发射带来测试误差；电荷补偿的效果不受材料二次电子产额大小以及样品厚度等因素影响，测试方法的准确性没有适用范围的限制；可以同时测得绝缘介质材料样品的真二次电子产额、背散射电子产额和总二次电子产额。
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公开(公告)号：CN108658627B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201810555372.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: C04B41/88 , C04B35/581
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝陶瓷的金属化方法，包括以下步骤：1)、制备活化Mo‑Mn粉末；2)、加入有机载体，将活化Mo‑Mn粉末配成金属化膏剂；3)、在氮化铝陶瓷表面涂覆金属化膏剂；4)、陶瓷氧化与金属化层烧结：在低温下通入干氢或氢氮混合气体，在900℃后通入湿氢或湿氢氮混合气体，并在900～1100℃保温30～90min，露点控制在15±5℃，在氮化铝陶瓷表面出现氧化铝层；然后继续升温，在1400～1500℃保温45～90min，升温阶段通入干氢或氢氮混合气体，控制露点为5±10℃。本发明解决采用现有活化Mo‑Mn法对氮化铝陶瓷进行金属化处理导致氮化铝陶瓷氧化过度、在烧结过程中氮化铝陶瓷易发生水解的问题，且氧化和烧结一步完成，制备的氮化铝陶瓷‑金属封接件封接强度较高，气密性良好。
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公开(公告)号：CN107225336B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201710585204.X
申请日：2017-07-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: B23K31/02 , B23K37/00 , B23K103/18
Abstract: 本发明公开了一种铁氧体与金属的焊接方法，包括以下步骤：1)、在铁氧体表面涂银进行烧渗形成银层；2)、在所述银层外覆盖阻挡层；3)、将焊料置于铁氧体与金属基体之间进行焊接，制得铁氧体与金属的焊接部件。本发明通过在银层外包裹阻挡层，不仅可以实现铁氧体与金属的牢固焊接，而且可以有效解决焊料对银层熔蚀的问题，能够提高焊接部件的工作温度，能够保证铁氧体和金属的有效贴合面积，确保满足导热和力学等要求，并进一步拓展其在高真空领域的应用。
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公开(公告)号：CN106816350B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201710182049.7
申请日：2017-03-24
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01J37/063 , H01J37/065
Abstract: 本发明公开了一种电子枪，包括中空的支撑组件，在支撑组件内安装有阴极组件，在支撑组件上端通过栅网压片环固定安装有与阴极组件相匹配的栅网，还包括与支撑组件、阴极组件连接的插针组件。本发明的电子枪，通过中空的支撑组件、阴极组件、栅网、插针组件的有机结合，大大缩小了其本身的空间体积，使得其结构经凑，使用寿命延长，在相同功率的情况下，体积的缩小极大地提高了其使用的便利性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109142414A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810967001.1
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2251
CPC classification number: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种金属表面二次电子能谱分布测试方法，包括双层栅网球形二次电子收集器的结构、信号测试回路与测试流程；本发明的有益效果是：本发明的二次电子能谱分布测试方法，用于对金属材料样品的二次电子能谱分布进行测量，可以通过在偏压栅网上接入负偏压，对样品表面发射出的二次电子进行能量甑选，从而测得二次电子信号随负偏压的变化曲线，进而得到二次电子能谱分布曲线；双层栅网球形二次电子收集器，可以接收到整个空间中的二次电子，不仅可以对二次电子进行能量甑选，还可以测得二次电子能谱随电子入射角度的变化曲线；本发明可为金属材料表面二次电子发射特性改性效果提供评估依据。
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公开(公告)号：CN109060855A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810965994.9
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/22
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种金属表面二次电子发射系数测试方法，所述方法包括：采用双层栅网球形二次电子收集器收集金属材料样品表面发射出的二次电子，通过偏压栅网接正负50V偏压对二次电子进行能量甄选；实现金属材料表面二次电子发射特性改性效果评估与改性机制分析对金属材料二次电子发射系数的测试需求，分别测得金属材料表面的真二次电子发射系数、电子背散射系数和总二次电子发射系数，以实现一种测试精度高、测试结果完备的二次电子发射系数测试方法。
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公开(公告)号：CN106816350A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710182049.7
申请日：2017-03-24
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01J37/063 , H01J37/065
Abstract: 本发明公开了一种电子枪，包括中空的支撑组件，在支撑组件内安装有阴极组件，在支撑组件上端通过栅网压片环固定安装有与阴极组件相匹配的栅网，还包括与支撑组件、阴极组件连接的插针组件。本发明的电子枪，通过中空的支撑组件、阴极组件、栅网、插针组件的有机结合，大大缩小了其本身的空间体积，使得其结构经凑，使用寿命延长，在相同功率的情况下，体积的缩小极大地提高了其使用的便利性。
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公开(公告)号：CN119729987A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510075674.6
申请日：2025-01-17
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H3/06
Abstract: 本发明提供一种直流高压脉冲工作强流脉冲中子发生器，涉及中子发生器技术领域，包括主弧电源模块(3)、高压加速电源模块(9)和中子管(12)，本发明的中子发生器采用直流高压加速、脉冲模式工作的强流脉冲中子发生器工作和驱动方式，能够实现脉冲参数可调，且实现更加简单，将中子脉宽从亚μs拓宽到数ms，有助于拓宽强流脉冲中子发生器的应用领域，比如ms级的强流脉冲中子源可以应用在基于中子活化的质量流速及成分测量。
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公开(公告)号：CN118315867A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410538320.6
申请日：2024-04-30
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01R13/639 , H01R13/52 , H01R13/621 , H01R43/00 , H01R43/20
Abstract: 本发明涉及高压电缆插头技术领域，具体涉及一种用于电子束焊机的高压电缆插头及其制备方法，包括：电缆头插针、环氧树脂头、电缆头固定环、高压电缆、电缆头压筒、电缆头压环法兰，电缆头插针连接在环氧树脂头的顶端，高压电缆连接在环氧树脂头的底端，电缆头固定环与环氧树脂头的底端连接；电缆头压筒与高压电缆固定连接，电缆头压筒的端面与电缆头固定环的端面连接；电缆头压环法兰与电缆头压筒连接；本发明可以保证电缆头环氧树脂与插座的侧接触面完全且紧密贴合，保证了高压电缆插头的耐高压能力和使用可靠性；同时，通过电缆头固定环、电缆头压筒以及电缆头压环法兰保证了与高压电缆插座的连接稳定性。
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