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公开(公告)号：CN119260092A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411378696.1
申请日：2024-09-30
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种铍箔与不锈钢件封接的方法，包括步骤：S1、预处理，将铍箔进行去油清洗、酸洗，去除表面的油污、氧化物；对不锈钢件、焊料进行包括去油清洗的预处理，去除表面的油污；S2、装配，由下而上依次将铍箔、焊料、不锈钢件的进行装配，得到待钎焊的装配好的组件；S3、钎焊，将装配好的组件置于真空炉内，升高真空炉的炉温并保温，通过高温分解铍箔上的氧化物，使焊料能够有效润湿铍箔，充分有效反应，保温结束后控制降温至室温，取出钎焊后封接件。依据本发明的铍箔与不锈钢件封接法能够有效破除铍箔表面的氧化物，焊料对不锈钢件具有良好的润湿性，发生反应，从而直接实现铍箔与不锈钢件之间的焊接，获得高质量的铍箔与不锈钢件封接件。
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公开(公告)号：CN113533404A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110789989.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用，测试方法包括以下步骤：S1、采用脉冲电子束轰击样品表面考察样品表面正电荷积聚对二次电子发射过程的影响并确定电荷中和操作的次数；S2、基于电荷中和操作的次数测定样品的二次电子产额。本发明的测试方法是基于双层栅网球形二次电子收集器；本发明的二次电子产额测试方法，可以有效对绝缘介质材料表面二次电子发射后积聚的正电荷进行补偿，防止积聚电荷影响二次电子发射带来测试误差；电荷补偿的效果不受材料二次电子产额大小以及样品厚度等因素影响，测试方法的准确性没有适用范围的限制；可以同时测得绝缘介质材料样品的真二次电子产额、背散射电子产额和总二次电子产额。
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公开(公告)号：CN109142414A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810967001.1
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2251
CPC classification number: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种金属表面二次电子能谱分布测试方法，包括双层栅网球形二次电子收集器的结构、信号测试回路与测试流程；本发明的有益效果是：本发明的二次电子能谱分布测试方法，用于对金属材料样品的二次电子能谱分布进行测量，可以通过在偏压栅网上接入负偏压，对样品表面发射出的二次电子进行能量甑选，从而测得二次电子信号随负偏压的变化曲线，进而得到二次电子能谱分布曲线；双层栅网球形二次电子收集器，可以接收到整个空间中的二次电子，不仅可以对二次电子进行能量甑选，还可以测得二次电子能谱随电子入射角度的变化曲线；本发明可为金属材料表面二次电子发射特性改性效果提供评估依据。
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公开(公告)号：CN109060855A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810965994.9
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/22
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种金属表面二次电子发射系数测试方法，所述方法包括：采用双层栅网球形二次电子收集器收集金属材料样品表面发射出的二次电子，通过偏压栅网接正负50V偏压对二次电子进行能量甄选；实现金属材料表面二次电子发射特性改性效果评估与改性机制分析对金属材料二次电子发射系数的测试需求，分别测得金属材料表面的真二次电子发射系数、电子背散射系数和总二次电子发射系数，以实现一种测试精度高、测试结果完备的二次电子发射系数测试方法。
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公开(公告)号：CN108896594B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201811087187.8
申请日：2018-09-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置，包括真空腔体及真空泵，还包括加热装置，所述加热装置包括底桶及压盖；还包括驱动部，所述驱动部用于驱动压盖沿着底桶开口端的朝向方向运动；还包括样品存储台，在所述压盖扣合于底桶开口端上时，所述样品存储台位于底桶与压盖两者所围成的空间内；还包括抓取转运部及闸门部，所述闸门部作为所述封闭空间与真空腔体外侧的通道；所述加热装置用于对底桶与压盖两者所围成的空间进行加热。该预处理装置不仅能够有效消除样品表面吸附气体与挥发性有机沾染物对材料二次电子发射特性测量的影响，同时其结构设计可有效避免样品由预处理腔转移至测量腔过程中受到二次(56)对比文件陈达新;常天海;秦晓刚.空间材料二次电子发射特性智能测试系统的设计.真空与低温.2009,(第03期),170-173、184.王洁.新一代加速器真空室结构材料表面处理及二次电子特性研究《.中国博士学位论文全文数据库 工程科技Ⅱ辑》.2018,(第02期),C040-1.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115831692A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202310011534.3
申请日：2023-01-05
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种整体旋转寻址工作的X射线管及其工作方法，X射线管包括绝缘管壳、阴极组件和阳极组件，所述阴极组件和阳极组件均设置在所述绝缘管壳上，且所述阴极组件和阳极组件与所述绝缘管壳同步旋转。相较于现有大功率X射线源采用真空轴承驱动旋转靶，真空轴承技术难度大，成本高，而且散热效率低的问题；本发明提出的整管旋转X射线管无需采用真空轴承，易于实现，成本低。同时本发明的X射线管热量传递路径短，可以快速将沉积在阳极靶上的热量传递到管壳外部进行冷却散热，大大提高了散热效率。
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公开(公告)号：CN113529041B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110791204.1
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了抑制绝缘介质材料二次电子发射的离子束注入装置及方法，离子束注入装置包括真空弧离子束源系统、真空辅助系统和离子注入靶盘系统，所述真空弧离子束源系统包括离子束高压加速电源、离子束引出电源、等离子体电源、真空弧离子源和接地栅网。通过在绝缘介质材料表面注入能量为几十至一百keV的金属离子，通过离子束注入，在材料表面离子束射程范围内，产生离子束辐照缺陷，提高材料内部真二次电子与载流子碰撞损失能量，进而被辐照缺陷俘获的概率，从而显著降低材料的二次电子产额。
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公开(公告)号：CN114975045A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210561829.3
申请日：2022-05-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种X射线源及其水平场致发射结构，该水平场致发射结构包括基体、阴极和栅极；所述阴极和栅极布置在所述基体的同一表面，形成阴极‑栅极对；所述栅极用于将所述阴极发射来的电子转换为二次电子。相较于现有的垂直场致发射结构，本发明采用阴极‑栅极对水平布置和二次电子效应，可以获得制备工艺简单，耐受离子轰击的场致发射阴极。
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公开(公告)号：CN109100380B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201810966450.4
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种双层栅网球形二次电子收集器，包括由内到外的：球形接地栅网、球形偏压栅网、球形二次电子收集极、球形接地屏蔽电极；上半球的顶部开有用于导入入射电子束的孔，下半球的底部开有用于将被测样品通过样品测试载台送入二次电子收集器中心的孔；两层球形栅网与两层球形电极之间彼此绝缘，内层球形栅网接地，用于屏蔽偏压球形栅网引入的电场；外层球形栅网接偏压电源，通过正负偏压的切换实现对真二次电子和背散射电子的甑别；外层球形栅网接可调电压的负电压源，对能够通过外层球形栅网的二次电子进行能量筛选；该收集器可以提高二次电子收集效率，降低被测信号受到的干扰，从而提高固体材料二次电子发射特性的测量准确度。
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公开(公告)号：CN109100380A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810966450.4
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/22
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种双层栅网球形二次电子收集器，包括由内到外的：球形接地栅网、球形偏压栅网、球形二次电子收集极、球形接地屏蔽电极；上半球的顶部开有用于导入入射电子束的孔，下半球的底部开有用于将被测样品通过样品测试载台送入二次电子收集器中心的孔；两层球形栅网与两层球形电极之间彼此绝缘，内层球形栅网接地，用于屏蔽偏压球形栅网引入的电场；外层球形栅网接偏压电源，通过正负偏压的切换实现对真二次电子和背散射电子的甑别；外层球形栅网接可调电压的负电压源，对能够通过外层球形栅网的二次电子进行能量筛选；该收集器可以提高二次电子收集效率，降低被测信号受到的干扰，从而提高固体材料二次电子发射特性的测量准确度。
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