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公开(公告)号：CN108419356A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810467930.6
申请日：2018-05-16
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了用于提升回旋加速器内离子源寿命的方法及离子源设备，本发明采用了阳极筒的沉台孔结构，结合下沉式或喷管式的准直器及阴极配合这种间隙结构，增加阴极与准直孔之间的距离，增加准直器面对阴极部分的表面积，提升准直器上冷凝阴极金属蒸汽的有效体积，削弱由于阴极金属蒸汽冷凝带来的影响；阴阳极组成的放电结构有效的提升了负氢离子的生产效率，同时也减少了阴极材料的蒸发速率；在不改变阳极筒长度的前提下，将准直器安装在阳极筒内部，可以使离子源内气压保持在一个更高的值，从而降低外界对离子源的供气量，有效减少束流在加速器中的输运损失，有效提升了离子源的放电稳定性与放电寿命，以此有效提升离子源设备的工作寿命。
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公开(公告)号：CN104835713B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510275757.6
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及离子迁移谱仪离子门控制技术领域，具体公开了一种离子迁移谱仪离子门控制器及其控制方法，离子门控制器包括高压电源、给电极环供电的分压电阻电路、两路可调电源，分压电阻电路一端连接高压电源、另一端接地，所述分压电阻电路包括多个串联的分压电阻，两路可调电源的输出端各连接一个离子门电极。本发明可对离子门两个电极的电位进行任意调节，可以对离子门进行对称或者非对称控制，控制效果好；整个电路的信号控制无需悬浮在高压下，结构简单，应用方便；可以调整离子门两个电极之间的电极差，可适配于多种离子迁移谱仪，通用性强。
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公开(公告)号：CN106455282A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610958464.2
申请日：2016-11-04
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H3/06
CPC classification number: H05H3/06
Abstract: 本发明公开了一种具有离子过滤功能的栅网、中子发生器和离子过滤方法。具有离子过滤功能的栅网，其引出孔的中心轴线与栅网所在平面形成夹角α，α的范围为30°-60°。中子发生器包括真空弧离子源、栅网、靶片、束流引出系统，束流引出系统将真空弧离子源产生的离子束流引出并加速到靶片上，栅网位于真空弧离子源与靶片之间，栅网所在平面垂直于离子束流引出方向。离子过滤方法为在真空弧离子源与靶片之间设置栅网对离子进行过滤。本发明通过一个具有倾斜引出孔的栅网直接进行离子的过滤，能有效过滤掉重离子，提高轻离子的引出比例，无需真空弧放电产生的离子具有空间分布，同时也无需磁场，结构简单、光路设计简便、成本低。
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公开(公告)号：CN104202897A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410442285.4
申请日：2014-09-02
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及材料表面处理技术领域，具体公开了一种DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法，装置包括功率源和DBD等离子体反应器，DBD等离子体反应器的反应室内设置有至少3层介质板，相邻介质板之间具有间隙；方法是采用前述DBD低温等离子体产生装置进行处理。本发明的每两层介质板之间都能够放电形成均匀良好的低温等离子体，处于中间位置的每一层介质板两侧均可处理聚合物薄膜，覆盖在两个电极上的介质板能够处理一层聚合物薄膜，能够提高单次处理的聚合物薄膜的数量和面积；应用该方法处理聚合物薄膜的单次处理量增加、处理效率高。
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公开(公告)号：CN103978215A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410241645.4
申请日：2014-06-03
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: B22F3/14
Abstract: 本发明涉及电极制备技术领域，具体公开了一种金属氢化物电极制备方法和装置及其使用方法，金属氢化物电极制备方法，采用金属氢化物粉末热压成型制备金属氢化物电极，采用0.5GPa-5Gpa高压将金属氢化物粉末压制成型；保持高压并加热成型电极至300℃-900℃并在此温度范围内保持0.5min以上，消除内应力，制备满足形状、尺寸和强度要求的储氢电极。本发明能够获得成分更均匀的电极，能改善现有技术中成型引起的应力等内部缺陷，制备的电极强度高，并且电极制备时间短，具有结构均匀性好、通用性强的等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103915305A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410156712.2
申请日：2014-04-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01J37/08
Abstract: 本发明公开了一种电阻触发式真空弧离子源装置，包括阳极（1）、阴极（2）、触发极（3）、阴极-触发极绝缘件（4）、触发电阻（5）以及连接在阴极（2）下端的阴极固定导电接头（6），上述阳极（1）由中空圆筒状的阳极支撑体（11）和连接在阳极支撑体（11）上端的环形阳极（12）构成，上述触发电阻（5）、触发极（3）、阴极-触发极绝缘件（4）和阴极（2）从外至内依次设置在阳极支撑体（11）内。本发明的触发电阻内置在真空弧离子源装置内，结构紧凑、体积小、节省安装空间，并且保证了电接触和绝缘可靠性，并能有效改善分布参数。
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公开(公告)号：CN108419356B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201810467930.6
申请日：2018-05-16
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了用于提升回旋加速器内离子源寿命的方法及离子源设备，本发明采用了阳极筒的沉台孔结构，结合下沉式或喷管式的准直器及阴极配合这种间隙结构，增加阴极与准直孔之间的距离，增加准直器面对阴极部分的表面积，提升准直器上冷凝阴极金属蒸汽的有效体积，削弱由于阴极金属蒸汽冷凝带来的影响；阴阳极组成的放电结构有效的提升了负氢离子的生产效率，同时也减少了阴极材料的蒸发速率；在不改变阳极筒长度的前提下，将准直器安装在阳极筒内部，可以使离子源内气压保持在一个更高的值，从而降低外界对离子源的供气量，有效减少束流在加速器中的输运损失，有效提升了离子源的放电稳定性与放电寿命，以此有效提升离子源设备的工作寿命。
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公开(公告)号：CN106353259B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201610984993.X
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了含氘电极真空弧离子源瞬态氘分子气压的测量方法，包括以下步骤：步骤一、向真空弧离子源的真空腔添加示踪气体；步骤二、测量放电前通入真空腔的示踪气体气压；步骤三、测量放电后某一瞬间示踪元素和氘原子的光谱强度，并计算此时示踪元素与氘原子两者光谱强度的比值；步骤四、采用放电前测得的示踪气体气压除以步骤三所获得的光谱强度比值，得到步骤三测量时刻的瞬时氘分子气压。本发明还公开了实施上述测量方法的装置。本发明应用时能在不干扰放电的前提下快速得到局域瞬态氘分子气压。
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公开(公告)号：CN105848403B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610416387.8
申请日：2016-06-15
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Inventor： 何小中 , 赵良超 , 庞健 , 马超凡 , 张开志 , 邓建军 , 石金水 , 刘本玉 , 章林文 , 李雷 , 李劲 , 杨国君 , 杨兴林 , 杨振 , 荆晓兵 , 董攀 , 杨安民 , 江孝国 , 唐蜜 , 龙全红
Abstract: 本发明公开了一种内离子源回旋加速器，包括：相对于一平面上下对称设置的上磁极和下磁极；分别围绕上磁极和下磁极外周面的上线圈和下线圈；多个围绕上线圈布置的上磁轭，多个围绕下线圈布置的下磁轭；位于上磁极和下磁极之间，并与上磁极和下磁极连接的真空盒；上磁极开设有从上至下贯穿上磁极，且与真空盒连通的上通道；贯穿真空盒的壁，且出射端位于真空盒内的离子源；位于上磁极上方的分子泵，分子泵的输入端朝下设置，分子泵的输入端与上通道连通。分子泵的安装方向便于调整，从而能够将分子泵的输入端朝下设置，将分子泵的输入端从上方与上磁极的上通道连通，从而避免了分子泵在运行或维护过程中容易引入杂质的问题。
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公开(公告)号：CN106507576A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610958462.3
申请日：2016-11-04
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H3/06
CPC classification number: H05H3/06
Abstract: 本发明公开了一种金属氢化物离子源的离子过滤装置、方法及中子发生器。离子过滤装置，包括相互平行的第一栅网、第二栅网，第一栅网上开设有第一引出孔，第二栅网上开设有第二引出孔；第一引出孔和第二引出孔在H平面上的投影不重合，H平面为任意一个平行于第一栅网的平面。本发明通过设置引出孔相互错开的双层栅网直接进行离子的过滤，利用真空弧等离子体金属离子和D离子在荷质比和动能的差别，有效过滤掉重离子，提高D离子的引出比例，D离子的比例可以得到大幅提升，从39%提升到80%。本发明结构简单、光路设计简便、成本低。
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