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公开(公告)号：CN116979935A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310998354.9
申请日：2023-08-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H03K3/57
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型强电流脉冲驱动源，涉及脉冲驱动技术领域，包括：触发信号源产生触发信号；激光二极管根据触发信号发出光信号触发光触发多门极半导体开关；激光二极管与触发信号源连接；光触发多门极半导体开关控制高压电源产生电流脉冲提供给负载；光触发多门极半导体开关连接在高压电源与负载之间；本发明在现有的强电流脉冲驱动技术的基础上，进行结构上的改进，以光触发多门极半导体开关实现大电流、快前沿的脉冲电流输出，解决了气体开关使用带来的固有技术问题，基于激光二极管实现脉冲放电的触发控制，触发元件驱动电压低，同时以激光二极管作为触发元件，具有可靠性高、结构紧凑等优势。
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公开(公告)号：CN113990967A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111241120.7
申请日：2021-10-25
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/10 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例提供一种堆栈结构GaAs光导开关及制作方法和冲激脉冲源，通过光导开关的低导通电阻以提高冲激脉冲源的输出功率；包括：在半绝缘GaAs材料表面外延生长一层n+‑GaAs层；将半绝缘GaAs材料表面除电极区域外的n+‑GaAs层去除；将锗、金、镍和金依次沉积到电极区域的n+‑GaAs层表面；在去除n+‑GaAs层的半绝缘GaAs材料的半绝缘GaAs材料表面刻蚀槽；在槽内蒸镀金属或者外延生长n+‑GaAs；经过高温快速退火在电极区域形成欧姆接触，制作得到光导开关。本发明实施例得到了欧姆接触电阻率小于10‑6Ω·cm2的光导开关，使采用该光导开关的冲激脉冲源提高了输出功率。
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公开(公告)号：CN110518898A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910768776.0
申请日：2019-08-20
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种猝发重频大功率高压充电电源电路，属于脉冲功率源的技术领域，包括电容负载，还包括多个高功率放电模块、低功率直流电源、大功率脉冲变压器和高压隔离硅堆，所述低功率直流电源分别与各所述高功率放电模块连接，各所述高功率放电模块产生放电脉冲并进行重频输出且各所述高功率放电模块的另一端均连接至所述大功率脉冲变压器，大功率脉冲变压器与高压隔离硅堆连接，通过该高压隔离硅堆对电容负载充电，以达到能够对脉冲功率源进行猝发重频脉冲充电，同时满足小型化、轻量化、一体化以及便携要求的目的。
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公开(公告)号：CN103683981B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410000814.5
申请日：2014-01-02
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种单极性低温等离子体电源，包括依次连接的交流变换单元、波形整形单元和材料表面处理单元。本发明的有益效果是：本发明的波形整形单元采用多原边变压器，能够输出多种前沿脉冲输出，再通过方波发生器的输出方波的调节脉宽，实现了频率0-50kHZ可调、电压0-50kV可调、脉宽1-100μs可调、上升沿300ns-15μs可调的单极性脉冲；本发明的输出电压为单极性，使得两个电极板之间放电非常均匀，对工件和电极板基本没有破坏性，保证了工件或材料的完整性，延长了电极板的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104079279A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410267916.3
申请日：2014-06-17
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H03K17/78
Abstract: 高功率气体开关触发系统，包括串联在高压电极和低压电极之间的高压臂电阻和低压臂电阻，所述高压臂电阻与低压臂电阻的公共端通过第一脉冲器件与触发电极连接，所述低压臂电阻两端并联有第二脉冲器件；所述第一脉冲器件与触发电极之间连接有回路限流电阻；所述第一脉冲器件与第二脉冲器件分别为储能电容、光导开关二者之一；还包括能将激光光照作用至光导开关的发光器件。本发明具有如下优越性，（1）高功率脉冲功率装置的触发系统更简约；（2）易于实现多个高功率气体开关同步工作；（3）触发光导开关的激光通过光纤引入；可以实现脉冲功率装置同外部系统的高压隔离；（4）脉冲功率装置输出波形的调控更灵活。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111082792B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201911386053.0
申请日：2019-12-29
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H03K17/94 , H01L31/111
Abstract: 本发明公开了一种光控半导体开关。所述的光控半导体开关的内部包括从上至下依次排列的屏蔽地电极、片式半导体激光器、激光分光耦合器、大面积半导体单元和屏蔽高压电极，在片式半导体激光器、激光分光耦合器的间隙内连接有取电模块或升压模块，光控半导体开关的侧面包裹有绝缘封装外壳，绝缘封装外壳与屏蔽电极共同构成光控半导体开关封装外壳；光控半导体开关的供电与触发信号接口伸出光控半导体开关封装外壳。本发明的光控半导体开关可以用于高功率脉冲电源、紧凑型高功率脉冲组件、小体积高能量脉冲触发等多种场合，具有功率容量高、可靠性高、寿命长、体积小等多种优势。
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公开(公告)号：CN117674631A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311660294.6
申请日：2023-12-05
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于变压器及氧化锌压敏电阻的小型脉冲高压电源，涉及小型脉冲高压电源技术领域，解决了现有小型脉冲高压电源难以获得电压平台，有效工作电压脉宽受限的问题，其技术方案要点是：包括：电源初级和电源次级；电源初级包括：供电模块、倍压模块和电容器；电源次级包括：脉冲高压变压器和氧化锌压敏电阻模块；其中，供电模块与倍压模块连接，倍压模块与电容器连接，电容器通过开关与变压器的初级连接，变压器的次级与氧化锌压敏电阻模块并联，变压器的次级作为小型脉冲高压电源的输出端子；采用小型的脉冲高压变压器升压，氧化锌压敏电阻模块稳压形成小型脉冲高压电源，可输出近方波脉冲高压，解决上述问题。
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公开(公告)号：CN107192931B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201710585588.5
申请日：2017-07-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01R31/12 , G01R31/26 , G01R31/327
Abstract: 本发明公开了一种高压脉冲电容器与开关综合实验平台，包括：主回路测试模块，用于放置被测试部件，将被测部件连接入测试回路进行测试；直流局放测试模块，用于诊断高压脉冲电容器在高电压过程中产生的直流局部放电信号；重频触发电源模块，用于触发控制主回路测试模块中的高压开关；直流测量及高压接地开关，用于高压脉冲电容器的高压直流监测和安全接地；气体处理单元模块，用于高压开关的气体循环与处理；放电参数检测及判断模块，用于监测高压脉冲电容器与开关的参数；总控单元模块，用于将数据进行集中化处理，保证实验平台中的自动化运行，实现了通过本试验平台能够自动化高效的对高压脉冲电容器与开关进行试验的技术效果。
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公开(公告)号：CN107393717B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201710585118.9
申请日：2017-07-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种高压脉冲电容器，所述高压脉冲电容器包括：储能单元、密封外壳、插接式电极结构，储能单元由多个储能元件依次串联连接组成，储能单元位于密封外壳内，插接式电极结构中的电极分别穿过密封外壳与储能单元两端连接；采用了偶数元件几何对称排布设计、嵌入铜箔式低温焊接方法、整体外壳密封工艺、触指式插接结构等，使高压脉冲电容器具有放电电流大、内电感小、内电阻小、寿命长的技术效果。
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公开(公告)号：CN114826233B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210754299.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H03K17/78 , H03K17/795 , H03F3/08
Abstract: 本发明公开了一种光放大和电放大组合控制的高功率重频固态开关及方法，开关包括光脉冲单元、光放大器件、光耦合器件和光电半导体结构；光电半导体结构为以光电效应材料为基底，在光电效应材料上制作多层掺杂结构；光脉冲单元用于向光放大器件输出光脉冲信号；光放大器件用于将光脉冲信号放大；光耦合器件用于将放大后的光脉冲信号整形扩散成阵列光脉冲信号输出至光电半导体结构；光电效应材料在光脉冲信号照射下产生光生载流子，光生载流子在多层掺杂结构中进行光致线性模式放大和/或场致非线性模式放大，实现高功率放大导通。本发明采用光放大和电放大结合控制的方式，使得开关器件获得高电压、大电流、快导通速度、高电荷转移量等优点。
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