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公开(公告)号：CN111641110B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202010630490.9
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种伪火花开关，包括伪火花开关本体，该伪火花开关本体包括阴极封接件、绝缘外壳、空心阴极、空心阳极和阳极封接件，该伪火花开关还包括触发极、绝缘体、触发电源和放电电路，以实现通过放电电路放电触发伪火花开关工作，提高伪火花开关的工作效率，使得伪火花开关可以适用于对时间要求高的工作场景中。
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公开(公告)号：CN106816350B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201710182049.7
申请日：2017-03-24
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01J37/063 , H01J37/065
Abstract: 本发明公开了一种电子枪，包括中空的支撑组件，在支撑组件内安装有阴极组件，在支撑组件上端通过栅网压片环固定安装有与阴极组件相匹配的栅网，还包括与支撑组件、阴极组件连接的插针组件。本发明的电子枪，通过中空的支撑组件、阴极组件、栅网、插针组件的有机结合，大大缩小了其本身的空间体积，使得其结构经凑，使用寿命延长，在相同功率的情况下，体积的缩小极大地提高了其使用的便利性。
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公开(公告)号：CN104202897A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410442285.4
申请日：2014-09-02
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及材料表面处理技术领域，具体公开了一种DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法，装置包括功率源和DBD等离子体反应器，DBD等离子体反应器的反应室内设置有至少3层介质板，相邻介质板之间具有间隙；方法是采用前述DBD低温等离子体产生装置进行处理。本发明的每两层介质板之间都能够放电形成均匀良好的低温等离子体，处于中间位置的每一层介质板两侧均可处理聚合物薄膜，覆盖在两个电极上的介质板能够处理一层聚合物薄膜，能够提高单次处理的聚合物薄膜的数量和面积；应用该方法处理聚合物薄膜的单次处理量增加、处理效率高。
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公开(公告)号：CN103978215A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410241645.4
申请日：2014-06-03
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: B22F3/14
Abstract: 本发明涉及电极制备技术领域，具体公开了一种金属氢化物电极制备方法和装置及其使用方法，金属氢化物电极制备方法，采用金属氢化物粉末热压成型制备金属氢化物电极，采用0.5GPa-5Gpa高压将金属氢化物粉末压制成型；保持高压并加热成型电极至300℃-900℃并在此温度范围内保持0.5min以上，消除内应力，制备满足形状、尺寸和强度要求的储氢电极。本发明能够获得成分更均匀的电极，能改善现有技术中成型引起的应力等内部缺陷，制备的电极强度高，并且电极制备时间短，具有结构均匀性好、通用性强的等优点。
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公开(公告)号：CN103915305A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410156712.2
申请日：2014-04-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01J37/08
Abstract: 本发明公开了一种电阻触发式真空弧离子源装置，包括阳极（1）、阴极（2）、触发极（3）、阴极-触发极绝缘件（4）、触发电阻（5）以及连接在阴极（2）下端的阴极固定导电接头（6），上述阳极（1）由中空圆筒状的阳极支撑体（11）和连接在阳极支撑体（11）上端的环形阳极（12）构成，上述触发电阻（5）、触发极（3）、阴极-触发极绝缘件（4）和阴极（2）从外至内依次设置在阳极支撑体（11）内。本发明的触发电阻内置在真空弧离子源装置内，结构紧凑、体积小、节省安装空间，并且保证了电接触和绝缘可靠性，并能有效改善分布参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110942967A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911283990.3
申请日：2019-12-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种X射线管，包括阳极座、阳极靶、聚焦槽和阴极，所述阳极座呈圆环形结构，阳极靶沿圆环形结构周向分布设置在阳极座的内壁上、且在X射线管轴向截面方向上阳极靶的轰击面呈倒圆台形结构；所述阴极位于圆环形结构圆心处，沿阴极的外壁周向设有聚焦槽，聚焦槽内分布设有阴极灯丝。本发明提供的一种X射线管，可大幅提高固定阳极X射线管功率，提供均匀性好的大剂量定向X射线辐射场。一般固定阳极X射线管的实际焦点尺寸最大在5mm水平，由于本发明的阳极是安装在阴极及聚焦槽的外面，可形成尺寸大得多的环形焦斑，最大可在100mm以上，X射线辐射场均匀性更好。
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公开(公告)号：CN109142414A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810967001.1
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2251
CPC classification number: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种金属表面二次电子能谱分布测试方法，包括双层栅网球形二次电子收集器的结构、信号测试回路与测试流程；本发明的有益效果是：本发明的二次电子能谱分布测试方法，用于对金属材料样品的二次电子能谱分布进行测量，可以通过在偏压栅网上接入负偏压，对样品表面发射出的二次电子进行能量甑选，从而测得二次电子信号随负偏压的变化曲线，进而得到二次电子能谱分布曲线；双层栅网球形二次电子收集器，可以接收到整个空间中的二次电子，不仅可以对二次电子进行能量甑选，还可以测得二次电子能谱随电子入射角度的变化曲线；本发明可为金属材料表面二次电子发射特性改性效果提供评估依据。
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公开(公告)号：CN109060855A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810965994.9
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/22
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种金属表面二次电子发射系数测试方法，所述方法包括：采用双层栅网球形二次电子收集器收集金属材料样品表面发射出的二次电子，通过偏压栅网接正负50V偏压对二次电子进行能量甄选；实现金属材料表面二次电子发射特性改性效果评估与改性机制分析对金属材料二次电子发射系数的测试需求，分别测得金属材料表面的真二次电子发射系数、电子背散射系数和总二次电子发射系数，以实现一种测试精度高、测试结果完备的二次电子发射系数测试方法。
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公开(公告)号：CN107739859A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711026835.4
申请日：2017-10-27
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种储氢无裂纹锆钛铜合金电极源片的制备工艺，(a)采用金属钛、金属锆和金属铜作为原料，根据原料的配比，采用水冷铜坩埚电磁感应真空悬浮熔炼的方法制备锆钛铜合金；(b)将步骤(a)得到的锆钛铜合金锭加工成一定形状和尺寸的样品，并对其表面进行一系列预处理；(c)将步骤(b)得到的锆钛铜合金样品进行吸氢反应，制备出成品。本发明的将从更为本质的材料本身着手，重点研制一种性能优良的合金材料，这种合金材料能够在吸氢过程中，通过某些微量元素的钉扎作用，减少因氢化作用产生的体涨和氢脆效应。
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公开(公告)号：CN106816350A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710182049.7
申请日：2017-03-24
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01J37/063 , H01J37/065
Abstract: 本发明公开了一种电子枪，包括中空的支撑组件，在支撑组件内安装有阴极组件，在支撑组件上端通过栅网压片环固定安装有与阴极组件相匹配的栅网，还包括与支撑组件、阴极组件连接的插针组件。本发明的电子枪，通过中空的支撑组件、阴极组件、栅网、插针组件的有机结合，大大缩小了其本身的空间体积，使得其结构经凑，使用寿命延长，在相同功率的情况下，体积的缩小极大地提高了其使用的便利性。
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