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公开(公告)号：CN116936152A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310881329.2
申请日：2023-07-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于同位素生产的装置及同位素生产方法，用于同位素生产的装置包括准连续波短脉冲电子束注入模块、加速模块、高频功率源、分束模块以及同位素产生模块，高频功率源对加速模块馈电产生交变的高频加速电场，加速模块包括至少一个同轴线加速腔，同位素产生模块包括至少二个同位素生产靶，同位素生产靶的数量和分束模块产生的电子束的数量相同。工作于准连续波(占空比大于95％)，相比于脉冲工作模式，电子束在短脉冲工作模式下，可大幅减轻靶体的发热以及温度交替变化带来的破坏失效。本发明公开的用于同位素生产的装置可产生大功率高能电子束，具有高的同位素产能。
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公开(公告)号：CN113099601B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110355910.1
申请日：2021-04-01
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种低能重离子加速器及加速方法，涉及离子加速器领域，该加速器包括带有时序控制功能的脉冲功率源以及多个连续设置的加速单元，加速单元具有加速腔，所有加速腔相互连通并形成离子的加速传输通道；该加速方法将脉冲功率源按照一定时序控制对所有加速单元逐级加载电压，并在对应加速单元的加速腔内形成电场，以使刚好运动至该形成电场的加速腔内的离子得到加速。本发明提供的加速器及加速方法对待加速离子种类的兼容性高，可以通过控制输出高压脉冲的时序实现任意离子束的加速，使离子束始终处于加速相位；并且可根据实际应用需要，通过控制加速电压幅值或控制加载功率的数目，实现束流能量的调节。
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公开(公告)号：CN113529041A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110791204.1
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了抑制绝缘介质材料二次电子发射的离子束注入装置及方法，离子束注入装置包括真空弧离子束源系统、真空辅助系统和离子注入靶盘系统，所述真空弧离子束源系统包括离子束高压加速电源、离子束引出电源、等离子体电源、真空弧离子源和接地栅网。通过在绝缘介质材料表面注入能量为几十至一百keV的金属离子，通过离子束注入，在材料表面离子束射程范围内，产生离子束辐照缺陷，提高材料内部真二次电子与载流子碰撞损失能量，进而被辐照缺陷俘获的概率，从而显著降低材料的二次电子产额。
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公开(公告)号：CN105848403B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610416387.8
申请日：2016-06-15
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Inventor： 何小中 , 赵良超 , 庞健 , 马超凡 , 张开志 , 邓建军 , 石金水 , 刘本玉 , 章林文 , 李雷 , 李劲 , 杨国君 , 杨兴林 , 杨振 , 荆晓兵 , 董攀 , 杨安民 , 江孝国 , 唐蜜 , 龙全红
Abstract: 本发明公开了一种内离子源回旋加速器，包括：相对于一平面上下对称设置的上磁极和下磁极；分别围绕上磁极和下磁极外周面的上线圈和下线圈；多个围绕上线圈布置的上磁轭，多个围绕下线圈布置的下磁轭；位于上磁极和下磁极之间，并与上磁极和下磁极连接的真空盒；上磁极开设有从上至下贯穿上磁极，且与真空盒连通的上通道；贯穿真空盒的壁，且出射端位于真空盒内的离子源；位于上磁极上方的分子泵，分子泵的输入端朝下设置，分子泵的输入端与上通道连通。分子泵的安装方向便于调整，从而能够将分子泵的输入端朝下设置，将分子泵的输入端从上方与上磁极的上通道连通，从而避免了分子泵在运行或维护过程中容易引入杂质的问题。
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公开(公告)号：CN106211727A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610521964.X
申请日：2016-07-01
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Inventor： 何小中 , 赵良超 , 庞健 , 马超凡 , 章林文 , 李雷 , 邓建军 , 石金水 , 刘本玉 , 张开志 , 李劲 , 李晓强 , 龙继东 , 魏涛 , 李洪 , 李成刚 , 陈宇航 , 李勤 , 王韬 , 王敏鸿
IPC: H05K9/00
CPC classification number: H05K9/0003
Abstract: 本发明公开了一种屏蔽体，包括多个间隔设置的固体屏蔽层，相邻的固体屏蔽层之间设置有液体屏蔽层。屏蔽体由固体屏蔽层和液体屏蔽层组成，则可以预先制造固体屏蔽层，固体屏蔽层体积重量小，便于运输和安装，在将固体屏蔽层运输和安装到位后，即可在相邻的固体屏蔽层之间充入屏蔽液构成液体屏蔽层，如此降低屏蔽体的运输和安装难度。另外，液体屏蔽层能够填充固体屏蔽层之间的间隙，从而能够保障辐射屏蔽性能。本发明还公开了一种包含该屏蔽体的屏蔽装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111208552B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202010134783.8
申请日：2020-03-02
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种共振式在线束流位置探测器，包括信号处理件，还包括圆柱结构的探测器本体，探测器本体内部设有腔体，探测器本体上设有束流通道，探测器本体的空腔内还设有圆环结构的PCB基体，束流通道与探测器本体和PCB基体保持同轴度，PCB基体上设有磁探针回路线圈，信号处理件与磁探针回路线圈连接，探测器本体的腔体内还设有金属垫片，金属垫片呈环形阵列分布在PCB基体的两侧，金属垫片一侧与束流通道连接，另一侧朝向磁探针回路线圈。本发明用于加速器的束流位置以及束流流强测量，对加速器的研发调试起到非常重大的作用，并且对于纳秒级单脉冲以及纳秒级的连续微脉冲，该发明能够快速响应，并且对于连续微脉冲，能够实现共振式测量。
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公开(公告)号：CN113533404A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110789989.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用，测试方法包括以下步骤：S1、采用脉冲电子束轰击样品表面考察样品表面正电荷积聚对二次电子发射过程的影响并确定电荷中和操作的次数；S2、基于电荷中和操作的次数测定样品的二次电子产额。本发明的测试方法是基于双层栅网球形二次电子收集器；本发明的二次电子产额测试方法，可以有效对绝缘介质材料表面二次电子发射后积聚的正电荷进行补偿，防止积聚电荷影响二次电子发射带来测试误差；电荷补偿的效果不受材料二次电子产额大小以及样品厚度等因素影响，测试方法的准确性没有适用范围的限制；可以同时测得绝缘介质材料样品的真二次电子产额、背散射电子产额和总二次电子产额。
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公开(公告)号：CN104914119A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510331159.6
申请日：2015-06-15
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种匹配束流为平行束的带电粒子照相装置，包括束流传输线和光学成像结构，所述束流传输线包括呈中心对称的前段四极磁铁组和后段四极磁铁组，光学成像结构位于束流传输线的末端，其中前段四极磁铁组和后段四极磁铁组形状完全相同且均包括四块完全相同的四极磁铁，在前段四极磁铁组和后段四极磁铁组的中心对称点上还安装角度准直器，前段四极磁铁组的传输矩阵采用四阶矩阵M：四阶矩阵M为满足平行束入射条件为：M11＝0、M22＝0、M33＝0、M44＝0的四阶传输矩阵，以上矩阵元素的前、后下标分别表示该元素所在的行和列。本发明采用上述结构，采用点对点成像，且匹配束流为平行束，能够克服点光源照相图像模糊的缺陷，提高照相的分辨率。
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公开(公告)号：CN103940502A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410173537.8
申请日：2014-04-28
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01H9/00
Abstract: 本发明提供了一种非接触式振动绝对位移的快速光学直接测量装置，所述的测量装置中的光源发出的光线经透镜产生一个圆柱型平行光束，平行光束经光束成型器的限制而形成需要的长度及宽度合适的矩形平行光束，矩形平行光束分别照射在被测量物体和线阵CCD探测器上，线阵CCD探测器将获得特征位置的电信号输送到测量系统及信号处理系统进行处理，处理结果再送到计算机处理。本发明的测量装置结构简单，可靠性高。
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公开(公告)号：CN103414369A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310364559.8
申请日：2013-08-21
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H02M9/00
Abstract: 本发明提供了一种布鲁莱恩脉冲形成线倍压器。所述的倍压器由多个单级平板布鲁莱恩脉冲形成线交叉层叠构成，每个单级平板布鲁莱恩脉冲形成线包括陶瓷固态平板传输线、GaAs光导开关、激光二极管触发系统以及无感电阻负载。所述的数个单级平板布鲁莱恩脉冲形成线紧凑地布局在平台上，构成多级层叠平板布鲁莱恩脉冲形成线倍压器。本发明能够获得多倍于单级平板布鲁莱恩脉冲形成线输出电压幅值的脉宽为纳秒量级的短脉冲高压输出，也可以通过多组多级平板布鲁莱恩脉冲形成线倍压器层叠构成多组多级平板布鲁莱恩脉冲形成线倍压器，或者设计级数更多的多级层叠平板布鲁莱恩脉冲形成线可以获得电压幅值更大、峰值功率更高的短脉冲高压。
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