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公开(公告)号：CN111641110B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202010630490.9
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种伪火花开关，包括伪火花开关本体，该伪火花开关本体包括阴极封接件、绝缘外壳、空心阴极、空心阳极和阳极封接件，该伪火花开关还包括触发极、绝缘体、触发电源和放电电路，以实现通过放电电路放电触发伪火花开关工作，提高伪火花开关的工作效率，使得伪火花开关可以适用于对时间要求高的工作场景中。
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公开(公告)号：CN119260092A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411378696.1
申请日：2024-09-30
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种铍箔与不锈钢件封接的方法，包括步骤：S1、预处理，将铍箔进行去油清洗、酸洗，去除表面的油污、氧化物；对不锈钢件、焊料进行包括去油清洗的预处理，去除表面的油污；S2、装配，由下而上依次将铍箔、焊料、不锈钢件的进行装配，得到待钎焊的装配好的组件；S3、钎焊，将装配好的组件置于真空炉内，升高真空炉的炉温并保温，通过高温分解铍箔上的氧化物，使焊料能够有效润湿铍箔，充分有效反应，保温结束后控制降温至室温，取出钎焊后封接件。依据本发明的铍箔与不锈钢件封接法能够有效破除铍箔表面的氧化物，焊料对不锈钢件具有良好的润湿性，发生反应，从而直接实现铍箔与不锈钢件之间的焊接，获得高质量的铍箔与不锈钢件封接件。
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公开(公告)号：CN113533404A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110789989.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用，测试方法包括以下步骤：S1、采用脉冲电子束轰击样品表面考察样品表面正电荷积聚对二次电子发射过程的影响并确定电荷中和操作的次数；S2、基于电荷中和操作的次数测定样品的二次电子产额。本发明的测试方法是基于双层栅网球形二次电子收集器；本发明的二次电子产额测试方法，可以有效对绝缘介质材料表面二次电子发射后积聚的正电荷进行补偿，防止积聚电荷影响二次电子发射带来测试误差；电荷补偿的效果不受材料二次电子产额大小以及样品厚度等因素影响，测试方法的准确性没有适用范围的限制；可以同时测得绝缘介质材料样品的真二次电子产额、背散射电子产额和总二次电子产额。
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公开(公告)号：CN108658627B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201810555372.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: C04B41/88 , C04B35/581
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝陶瓷的金属化方法，包括以下步骤：1)、制备活化Mo‑Mn粉末；2)、加入有机载体，将活化Mo‑Mn粉末配成金属化膏剂；3)、在氮化铝陶瓷表面涂覆金属化膏剂；4)、陶瓷氧化与金属化层烧结：在低温下通入干氢或氢氮混合气体，在900℃后通入湿氢或湿氢氮混合气体，并在900～1100℃保温30～90min，露点控制在15±5℃，在氮化铝陶瓷表面出现氧化铝层；然后继续升温，在1400～1500℃保温45～90min，升温阶段通入干氢或氢氮混合气体，控制露点为5±10℃。本发明解决采用现有活化Mo‑Mn法对氮化铝陶瓷进行金属化处理导致氮化铝陶瓷氧化过度、在烧结过程中氮化铝陶瓷易发生水解的问题，且氧化和烧结一步完成，制备的氮化铝陶瓷‑金属封接件封接强度较高，气密性良好。
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公开(公告)号：CN107225336B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201710585204.X
申请日：2017-07-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: B23K31/02 , B23K37/00 , B23K103/18
Abstract: 本发明公开了一种铁氧体与金属的焊接方法，包括以下步骤：1)、在铁氧体表面涂银进行烧渗形成银层；2)、在所述银层外覆盖阻挡层；3)、将焊料置于铁氧体与金属基体之间进行焊接，制得铁氧体与金属的焊接部件。本发明通过在银层外包裹阻挡层，不仅可以实现铁氧体与金属的牢固焊接，而且可以有效解决焊料对银层熔蚀的问题，能够提高焊接部件的工作温度，能够保证铁氧体和金属的有效贴合面积，确保满足导热和力学等要求，并进一步拓展其在高真空领域的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106816350B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201710182049.7
申请日：2017-03-24
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01J37/063 , H01J37/065
Abstract: 本发明公开了一种电子枪，包括中空的支撑组件，在支撑组件内安装有阴极组件，在支撑组件上端通过栅网压片环固定安装有与阴极组件相匹配的栅网，还包括与支撑组件、阴极组件连接的插针组件。本发明的电子枪，通过中空的支撑组件、阴极组件、栅网、插针组件的有机结合，大大缩小了其本身的空间体积，使得其结构经凑，使用寿命延长，在相同功率的情况下，体积的缩小极大地提高了其使用的便利性。
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公开(公告)号：CN106816350A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710182049.7
申请日：2017-03-24
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01J37/063 , H01J37/065
Abstract: 本发明公开了一种电子枪，包括中空的支撑组件，在支撑组件内安装有阴极组件，在支撑组件上端通过栅网压片环固定安装有与阴极组件相匹配的栅网，还包括与支撑组件、阴极组件连接的插针组件。本发明的电子枪，通过中空的支撑组件、阴极组件、栅网、插针组件的有机结合，大大缩小了其本身的空间体积，使得其结构经凑，使用寿命延长，在相同功率的情况下，体积的缩小极大地提高了其使用的便利性。
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公开(公告)号：CN115831692A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202310011534.3
申请日：2023-01-05
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种整体旋转寻址工作的X射线管及其工作方法，X射线管包括绝缘管壳、阴极组件和阳极组件，所述阴极组件和阳极组件均设置在所述绝缘管壳上，且所述阴极组件和阳极组件与所述绝缘管壳同步旋转。相较于现有大功率X射线源采用真空轴承驱动旋转靶，真空轴承技术难度大，成本高，而且散热效率低的问题；本发明提出的整管旋转X射线管无需采用真空轴承，易于实现，成本低。同时本发明的X射线管热量传递路径短，可以快速将沉积在阳极靶上的热量传递到管壳外部进行冷却散热，大大提高了散热效率。
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公开(公告)号：CN113529041B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110791204.1
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了抑制绝缘介质材料二次电子发射的离子束注入装置及方法，离子束注入装置包括真空弧离子束源系统、真空辅助系统和离子注入靶盘系统，所述真空弧离子束源系统包括离子束高压加速电源、离子束引出电源、等离子体电源、真空弧离子源和接地栅网。通过在绝缘介质材料表面注入能量为几十至一百keV的金属离子，通过离子束注入，在材料表面离子束射程范围内，产生离子束辐照缺陷，提高材料内部真二次电子与载流子碰撞损失能量，进而被辐照缺陷俘获的概率，从而显著降低材料的二次电子产额。
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公开(公告)号：CN111641110A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010630490.9
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种伪火花开关，包括伪火花开关本体，该伪火花开关本体包括阴极封接件、绝缘外壳、空心阴极、空心阳极和阳极封接件，该伪火花开关还包括触发极、绝缘体、触发电源和放电电路，以实现通过放电电路放电触发伪火花开关工作，提高伪火花开关的工作效率，使得伪火花开关可以适用于对时间要求高的工作场景中。
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