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公开(公告)号：CN116979935A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310998354.9
申请日：2023-08-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H03K3/57
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型强电流脉冲驱动源，涉及脉冲驱动技术领域，包括：触发信号源产生触发信号；激光二极管根据触发信号发出光信号触发光触发多门极半导体开关；激光二极管与触发信号源连接；光触发多门极半导体开关控制高压电源产生电流脉冲提供给负载；光触发多门极半导体开关连接在高压电源与负载之间；本发明在现有的强电流脉冲驱动技术的基础上，进行结构上的改进，以光触发多门极半导体开关实现大电流、快前沿的脉冲电流输出，解决了气体开关使用带来的固有技术问题，基于激光二极管实现脉冲放电的触发控制，触发元件驱动电压低，同时以激光二极管作为触发元件，具有可靠性高、结构紧凑等优势。
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公开(公告)号：CN112490231B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202011394810.1
申请日：2020-12-03
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种基于SiC载流子寿命调控的贴片式全固态高功率微波源，包括半导体晶圆片，晶圆片上集成有光导开关和平面辐射天线，通过将SiC光导开关和平面辐射天线集成在同一SiC晶圆上，而且辐射天线为采用离子注入等工艺基于半绝缘SiC材料制作而成，可实现一个高功率微波源单元为贴片式结构，通过触发激光的皮秒同步，并能实现多个高功率微波源单元的功率合成，基于SiC半导体材料高功率容量的优点，可实现单个贴片式结构的高功率微波源单元输出微波功率达到MW量级，具有极大的推广价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113996204A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111448672.5
申请日：2021-11-30
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及X光机技术领域，公开了一种用于激光开关的搅拌式混合气体压力罐，包括用于存储混合气体的压力罐，所述压力罐包括罐体和盖体，所述盖体远离所述罐体的一侧设有凸缘，所述凸缘上设有磁力耦合器，所述罐体中设有搅拌轴和搅拌桨叶，所述磁力耦合器的动力输入端与电机连接，所述磁力耦合器的动力输出端与所述搅拌轴连接，所述罐体上设有充气口和排气口，所述排气口通过管道与X光机连接，所述充气口通过若干管道分别与不同的气体源连接。本发明中的压力罐安装搅拌桨叶可以充入不同的混合气体，并且对气体实现搅拌功能，使其充分混合。
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公开(公告)号：CN113990967A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111241120.7
申请日：2021-10-25
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/10 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例提供一种堆栈结构GaAs光导开关及制作方法和冲激脉冲源，通过光导开关的低导通电阻以提高冲激脉冲源的输出功率；包括：在半绝缘GaAs材料表面外延生长一层n+‑GaAs层；将半绝缘GaAs材料表面除电极区域外的n+‑GaAs层去除；将锗、金、镍和金依次沉积到电极区域的n+‑GaAs层表面；在去除n+‑GaAs层的半绝缘GaAs材料的半绝缘GaAs材料表面刻蚀槽；在槽内蒸镀金属或者外延生长n+‑GaAs；经过高温快速退火在电极区域形成欧姆接触，制作得到光导开关。本发明实施例得到了欧姆接触电阻率小于10‑6Ω·cm2的光导开关，使采用该光导开关的冲激脉冲源提高了输出功率。
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公开(公告)号：CN113543398B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111075073.3
申请日：2021-09-14
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05B41/36
Abstract: 本发明公开了一种提升高功率脉冲氙灯光源可靠性的装置及方法，该装置采用预电离和主放电均为高压晶闸管开关组件的双固态放电开关，避免出现开关自激，提升高功率脉冲氙灯光源的可靠性和使用寿命，并采用先预电离‑后主放电的工作模式，首先对预电离电流进行检测判断，判断预电离正常情况下，FPGA进行主放电触发，然后对主放电电流进行检测判断，判断主放电实际输出电流正常情况下，FPGA输出起爆信号，作为起爆设备的同步触发，在预电离或主放电输出电流不正常情况下，FPGA均不会输出起爆信号，实现对脉冲氙灯光源的工作状态的自动检测、故障判断和实验中止等功能，提高脉冲氙灯光源的工作稳定性和可靠性，为大型爆轰实验的顺利实施提供重要的技术支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113543398A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202111075073.3
申请日：2021-09-14
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05B41/36
Abstract: 本发明公开了一种提升高功率脉冲氙灯光源可靠性的装置及方法，该装置采用预电离和主放电均为高压晶闸管开关组件的双固态放电开关，避免出现开关自激，提升高功率脉冲氙灯光源的可靠性和使用寿命，并采用先预电离‑后主放电的工作模式，首先对预电离电流进行检测判断，判断预电离正常情况下，FPGA进行主放电触发，然后对主放电电流进行检测判断，判断主放电实际输出电流正常情况下，FPGA输出起爆信号，作为起爆设备的同步触发，在预电离或主放电输出电流不正常情况下，FPGA均不会输出起爆信号，实现对脉冲氙灯光源的工作状态的自动检测、故障判断和实验中止等功能，提高脉冲氙灯光源的工作稳定性和可靠性，为大型爆轰实验的顺利实施提供重要的技术支撑。
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公开(公告)号：CN113109614A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110412043.0
申请日：2021-04-16
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有电子干扰防护功能的电容分压器及传输线装置，涉及脉冲高电压测量技术领域，解决了现有电容分压器受空间电子影响导致测量结果不准确的问题，其技术方案要点是：包括同轴设置的内导体和外导体，外导体外侧设置有主壳体，主壳体内对称设置有第一磁极、第二磁极，第一磁极、第二磁极之间设有沿背离外导体方向依次设置的电极体、电极绝缘层、磁铁，电极体耦合内导体的电压，电极体一侧连接有突伸出主壳体的信号线缆。本发明在磁铁的磁场方向与传输线中内导体电流的磁场方向相同时，位于电极体表面的磁场能够偏转阴极发射的电子，减少电子发射到电极体表面，具有降低电子干扰的防护效果，有效提高了电容分压器测量结果的准确度。
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公开(公告)号：CN111510124A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010200729.9
申请日：2020-03-20
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H03K17/78
Abstract: 本发明涉及脉冲功率技术领域，本发明公开了一种磁偏置弱光触发大功率光导开关，包括光导开关、绝缘介质、绝缘容器、磁场产生元件和触发激光，光导开关浸没于绝缘介质中，绝缘介质用于增加光导开关的沿面耐压强度，光导开关和绝缘介质均置于绝缘容器中，磁场产生元件置于绝缘容器外侧，且磁场产生元件所产生的磁场垂直于光导开关的内部电场，触发激光用于控制光导开关的导通。本发明采用激光触发，触发控制与高电压实现光电隔离，本发明还采用磁场偏置使得光导开关内部电子倍增方向发生偏转，从而增加载流子雪崩的横向截面积，并使得电流丝发生横向移动，降低导通过程电流丝电流密度，以达到提高弱光触发大功率光导开关工作寿命的目的。
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公开(公告)号：CN110518898A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910768776.0
申请日：2019-08-20
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种猝发重频大功率高压充电电源电路，属于脉冲功率源的技术领域，包括电容负载，还包括多个高功率放电模块、低功率直流电源、大功率脉冲变压器和高压隔离硅堆，所述低功率直流电源分别与各所述高功率放电模块连接，各所述高功率放电模块产生放电脉冲并进行重频输出且各所述高功率放电模块的另一端均连接至所述大功率脉冲变压器，大功率脉冲变压器与高压隔离硅堆连接，通过该高压隔离硅堆对电容负载充电，以达到能够对脉冲功率源进行猝发重频脉冲充电，同时满足小型化、轻量化、一体化以及便携要求的目的。
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公开(公告)号：CN110068585A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910199388.5
申请日：2019-03-15
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/20 , G01N23/20008 , G01N23/20016
Abstract: 本发明提供一种双能X射线光栅干涉成像系统及方法，具备：具有一定相干性能通过调节产生预定的两种不同能量X射线的光源；能对预定的两种不同能量的X射线产生相同的相位移动的双能相位光栅，从而在双能相位光栅后相同位置产生同样的周期性竖状条纹；分辨率优于竖状条纹的周期的X射线探测器，光源为平行光，从光源入射X射线的方向依次配置待测样品、双能相位光栅和探测器。根据本发明，针对上述问题，本发明的目的在于提供一种双能X射线光栅干涉成像系统及方法，可实现双能光栅干涉成像，从而能获取样品两个能量下的线性衰减因子、相移因子、散射因子等信息，可有效进行物质鉴别、缺陷诊断等。
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