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公开(公告)号：CN113533404B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110789989.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用，测试方法包括以下步骤：S1、采用脉冲电子束轰击样品表面考察样品表面正电荷积聚对二次电子发射过程的影响并确定电荷中和操作的次数；S2、基于电荷中和操作的次数测定样品的二次电子产额。本发明的测试方法是基于双层栅网球形二次电子收集器；本发明的二次电子产额测试方法，可以有效对绝缘介质材料表面二次电子发射后积聚的正电荷进行补偿，防止积聚电荷影响二次电子发射带来测试误差；电荷补偿的效果不受材料二次电子产额大小以及样品厚度等因素影响，测试方法的准确性没有适用范围的限制；可以同时测得绝缘介质材料样品的真二次电子产额、背散射电子产额和总二次电子产额。
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公开(公告)号：CN108896594A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201811087187.8
申请日：2018-09-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置，包括真空腔体及真空泵，还包括加热装置，所述加热装置包括底桶及压盖；还包括驱动部，所述驱动部用于驱动压盖沿着底桶开口端的朝向方向运动；还包括样品存储台，在所述压盖扣合于底桶开口端上时，所述样品存储台位于底桶与压盖两者所围成的空间内；还包括抓取转运部及闸门部，所述闸门部作为所述封闭空间与真空腔体外侧的通道；所述加热装置用于对底桶与压盖两者所围成的空间进行加热。该预处理装置不仅能够有效消除样品表面吸附气体与挥发性有机沾染物对材料二次电子发射特性测量的影响，同时其结构设计可有效避免样品由预处理腔转移至测量腔过程中受到二次污染。
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公开(公告)号：CN106356269A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610984994.4
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
CPC classification number: H01J27/022 , H01J27/08
Abstract: 本发明公开了一种沿面触发结构，包括阴极、触发极、触发绝缘块、触发极馈电杆及触发电源，其中，触发绝缘块水平设置且其上端面为平面，触发极为圆环状，触发极水平设置于触发绝缘块上端面。阴极穿过触发绝缘块且其上端的端头部位设于触发极中央，阴极下端与触发电源负极连接。触发极馈电杆穿过触发绝缘块且其上端与触发极连接，触发极馈电杆下端与触发电源正极连接，触发绝缘块上端面位于阴极与触发极之间的区域涂覆有金属薄膜。本发明还公开了上述沿面触发结构构成的真空弧离子源。本发明整体结构简单，便于实现，成本低，且应用时能提升触发放电的可靠性和离子源稳定性，便于推广应用。
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公开(公告)号：CN106353259A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610984993.X
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了含氘电极真空弧离子源瞬态氘分子气压的测量方法，包括以下步骤：步骤一、向真空弧离子源的真空腔添加示踪气体；步骤二、测量放电前通入真空腔的示踪气体气压；步骤三、测量放电后某一瞬间示踪元素和氘原子的光谱强度，并计算此时示踪元素与氘原子两者光谱强度的比值；步骤四、采用放电前测得的示踪气体气压除以步骤三所获得的光谱强度比值，得到步骤三测量时刻的瞬时氘分子气压。本发明还公开了实施上述测量方法的装置。本发明应用时能在不干扰放电的前提下快速得到局域瞬态氘分子气压。
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公开(公告)号：CN104944375A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510291419.1
申请日：2015-06-01
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: C01B6/02
Abstract: 本发明公布了一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，包括（a）采用金属钛作为原料制造电极源片工件，并对其表面进行预处理；（b）将步骤（a）得到的预处理电极源片工件在真空下进行高温退火；（c）将退火后的电极源片工件进行吸氢反应；（d）设置降温曲线使得吸氢反应进行一定时间，将吸氢后的工件进行冷却至室温，得到成品电极源片。本发明生产出的电极源片表面均匀的氢化层没有宏观裂纹，在强磁脉冲放电的情况下，各个部位的氢化层受到的外部冲击是一样的，不会发生并形成喷裂，大大提升了产品的放电稳定性，也极大地延长了电极源片的寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119729987A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510075674.6
申请日：2025-01-17
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H3/06
Abstract: 本发明提供一种直流高压脉冲工作强流脉冲中子发生器，涉及中子发生器技术领域，包括主弧电源模块(3)、高压加速电源模块(9)和中子管(12)，本发明的中子发生器采用直流高压加速、脉冲模式工作的强流脉冲中子发生器工作和驱动方式，能够实现脉冲参数可调，且实现更加简单，将中子脉宽从亚μs拓宽到数ms，有助于拓宽强流脉冲中子发生器的应用领域，比如ms级的强流脉冲中子源可以应用在基于中子活化的质量流速及成分测量。
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公开(公告)号：CN108419356B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201810467930.6
申请日：2018-05-16
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了用于提升回旋加速器内离子源寿命的方法及离子源设备，本发明采用了阳极筒的沉台孔结构，结合下沉式或喷管式的准直器及阴极配合这种间隙结构，增加阴极与准直孔之间的距离，增加准直器面对阴极部分的表面积，提升准直器上冷凝阴极金属蒸汽的有效体积，削弱由于阴极金属蒸汽冷凝带来的影响；阴阳极组成的放电结构有效的提升了负氢离子的生产效率，同时也减少了阴极材料的蒸发速率；在不改变阳极筒长度的前提下，将准直器安装在阳极筒内部，可以使离子源内气压保持在一个更高的值，从而降低外界对离子源的供气量，有效减少束流在加速器中的输运损失，有效提升了离子源的放电稳定性与放电寿命，以此有效提升离子源设备的工作寿命。
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公开(公告)号：CN106353259B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201610984993.X
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了含氘电极真空弧离子源瞬态氘分子气压的测量方法，包括以下步骤：步骤一、向真空弧离子源的真空腔添加示踪气体；步骤二、测量放电前通入真空腔的示踪气体气压；步骤三、测量放电后某一瞬间示踪元素和氘原子的光谱强度，并计算此时示踪元素与氘原子两者光谱强度的比值；步骤四、采用放电前测得的示踪气体气压除以步骤三所获得的光谱强度比值，得到步骤三测量时刻的瞬时氘分子气压。本发明还公开了实施上述测量方法的装置。本发明应用时能在不干扰放电的前提下快速得到局域瞬态氘分子气压。
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公开(公告)号：CN113529041A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110791204.1
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了抑制绝缘介质材料二次电子发射的离子束注入装置及方法，离子束注入装置包括真空弧离子束源系统、真空辅助系统和离子注入靶盘系统，所述真空弧离子束源系统包括离子束高压加速电源、离子束引出电源、等离子体电源、真空弧离子源和接地栅网。通过在绝缘介质材料表面注入能量为几十至一百keV的金属离子，通过离子束注入，在材料表面离子束射程范围内，产生离子束辐照缺陷，提高材料内部真二次电子与载流子碰撞损失能量，进而被辐照缺陷俘获的概率，从而显著降低材料的二次电子产额。
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公开(公告)号：CN105848403B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610416387.8
申请日：2016-06-15
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Inventor： 何小中 , 赵良超 , 庞健 , 马超凡 , 张开志 , 邓建军 , 石金水 , 刘本玉 , 章林文 , 李雷 , 李劲 , 杨国君 , 杨兴林 , 杨振 , 荆晓兵 , 董攀 , 杨安民 , 江孝国 , 唐蜜 , 龙全红
Abstract: 本发明公开了一种内离子源回旋加速器，包括：相对于一平面上下对称设置的上磁极和下磁极；分别围绕上磁极和下磁极外周面的上线圈和下线圈；多个围绕上线圈布置的上磁轭，多个围绕下线圈布置的下磁轭；位于上磁极和下磁极之间，并与上磁极和下磁极连接的真空盒；上磁极开设有从上至下贯穿上磁极，且与真空盒连通的上通道；贯穿真空盒的壁，且出射端位于真空盒内的离子源；位于上磁极上方的分子泵，分子泵的输入端朝下设置，分子泵的输入端与上通道连通。分子泵的安装方向便于调整，从而能够将分子泵的输入端朝下设置，将分子泵的输入端从上方与上磁极的上通道连通，从而避免了分子泵在运行或维护过程中容易引入杂质的问题。
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