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公开(公告)号：CN100403405C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200510093882.1
申请日：2005-08-31
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
CPC classification number: G11C13/0004 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 本发明的第一目的是提供一种可靠性高的相变存储器。本发明的第二目的是提供一种耐反复改写性高的相变存储器。在包含在基板的一个主面侧形成的相变记录膜的相变存储器中，使具有和相变记录膜的无定形相的原子排列相同的原子排列的无定形材料与相变记录膜接触，此外还对相变记录膜施以拉伸变形。
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公开(公告)号：CN101206872A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710199751.0
申请日：2007-12-12
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
Abstract: 本发明的课题是提供可靠性和功能良好的图案化磁介质、磁记录介质和磁存储装置。在具备基板和在上述基板的一个主面侧形成的软磁性基底膜、非磁性膜、中间膜图案化磁介质、记录层、与上述记录层接触地形成的第一保护膜、与上述第一保护膜接触地形成的第二保护膜、与上述第二保护膜接触地形成的第三保护膜，且上述记录层具有磁性膜与非磁性材料的凹凸图案接触地形成的图案结构的图案化磁介质中，将上述第一保护膜和上述第三保护膜的主构成材料定为碳，将上述第二保护膜定为涂敷膜。由于碳与涂敷膜的密接性高，故可防止剥离，涂敷膜作为缓冲材料吸收冲击力。
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公开(公告)号：CN1767012A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510093882.1
申请日：2005-08-31
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
CPC classification number: G11C13/0004 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 本发明的第一目的是提供一种可靠性高的相变存储器。本发明的第二目的是提供一种耐反复改写性高的相变存储器。在包含在基板的一个主面侧形成的相变记录膜的相变存储器中，使具有和相变记录膜的无定形相的原子排列相同的原子排列的无定形材料与相变记录膜接触，此外还对相变记录膜施以拉伸变形。
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公开(公告)号：CN1574431A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410061666.4
申请日：2004-06-23
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01M4/926 , F01N3/2053 , F01N13/009 , F01N13/0093 , H01M4/86 , H01M4/8636 , H01M4/90 , H01M4/921 , H01M2008/1095 , Y02E60/324
Abstract: 提供一种催化剂结构体和具有催化剂结构体的燃料电池，可以提高催化剂结构体的催化剂活性，且提高燃料电池的电池输出。该催化剂结构体的特征在于具有：导电膜、和在上述导电膜上形成的催化剂粒子，且构成上述导电膜的材料的晶格常数和构成上述催化剂粒子的材料的晶格常数的差≤16％。
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公开(公告)号：CN100521224C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610082640.7
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/24 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法。硫属化物材料与硅氧化膜的接合性差，因此出现了在相变存储器的制造工序中容易剥离的课题。另外，相变存储器复位时(非晶化)必须要将硫属化物材料加热到熔点以上，因而出现了需要非常大的重写电流的课题。为解决上述课题，在硫属化物材料层和层间绝缘膜之间、以及硫属化物材料层和插塞之间，插入兼具了接合层和高电阻层(热电阻层)的功能的、由极薄的绝缘体或半导体构成的界面层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1866533A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610082640.7
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/24 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法。硫属化物材料与硅氧化膜的接合性差，因此出现了在相变存储器的制造工序中容易剥离的课题。另外，相变存储器复位时(非晶化)必须要将硫属化物材料加热到熔点以上，因而出现了需要非常大的重写电流的课题。为解决上述课题，在硫属化物材料层和层间绝缘膜之间、以及硫属化物材料层和插塞之间，插入兼具了接合层和高电阻层(热电阻层)的功能的、由极薄的绝缘体或半导体构成的界面层。
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公开(公告)号：CN1954428B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200580015301.0
申请日：2005-05-09
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 硫属化物材料与高熔点金属或硅氧化物膜的接合性差，因此具有在相变存储器的制造工序中容易剥离的问题。另外，硫属化物材料热稳定性差，因此具有在相变存储器的制造工序中容易升华的问题。在硫属化物材料层的上部和下部形成导电性或绝缘性的接合层，使剥离强度提高。另外，在硫属化物材料层的侧壁形成由氮化膜构成的保护膜来抑制升华。
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公开(公告)号：CN100461414C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510073840.1
申请日：2005-05-24
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823481 , H01L21/02134 , H01L21/02137 , H01L21/02203 , H01L21/3124 , H01L21/31662 , H01L29/7833
Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法，抑制半导体器件的栅电极端部的衬底中产生的位错。具有在半导体衬底的主表面上形成的多个元件形成区，位于上述元件形成区之间且嵌入有上述元件隔离绝缘膜的元件隔离沟槽，在上述元件形成区形成的栅绝缘膜和上述栅电极和上述栅电极的上方形成的多个布线层；上述元件隔离沟槽具有在上述半导体衬底和上述元件隔离绝缘膜之间形成的热氧化膜；上述元件隔离绝缘膜内部含有多个微细孔隙，比上述热氧化膜孔隙更多地形成上述元件隔离绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1625810A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN03803048.9
申请日：2003-02-05
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6659 , H01L21/26513 , H01L29/4925 , H01L29/4983 , H01L29/7833
Abstract: 本发明的目的在于提供可靠性高、成品率高的半导体装置。本发明的半导体装置具备硅衬底、在上述硅衬底主表面侧形成的栅绝缘膜、层叠在上述栅绝缘膜上形成的栅电极，以及含有砷和磷的扩散层，其中，砷的最高浓度部分的浓度和磷的最高浓度部分的浓度都在大于等于1026原子/m3、小于等于1027原子/m3的范围内，且使得磷的最高浓度部分从上述硅衬底表面向下的深度小于等于砷的最高浓度部分的深度。
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公开(公告)号：CN1574338A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410061683.8
申请日：2004-06-24
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2224/4851 , H01L2224/48624 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85205 , H01L2225/06558 , H01L2225/06568 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20303 , H01L2924/20304 , H01L2924/20305 , H01L2924/20751 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015
Abstract: 一种半导体器件，对于Cu布线/Low－k材料的叠层布线结构LSI，可降低对键合焊盘的损伤，确立可与现有的铝布线的LSI同样使用的窄间距焊丝键合技术。在由Cu布线/Low－k绝缘膜材料形成多层叠层布线的半导体元件中，通过全部由Cu布线层形成，直至最上层的帽盖布线，在由Cu层形成的键合焊盘部中，在其上层形成Ti(钛)膜或(钨)膜等的高熔点的中间金属层，在其上层再形成铝合金层的键合焊盘结构来实现所述技术。
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