开发电子架构设计布局的系统、方法和计算机可读介质

    公开(公告)号:CN112307702A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202010757158.9

    申请日:2020-07-31

    Abstract: 电子设计流程从原理图为模拟回路生成电子架构设计布局。电子设计流程将原理图的模拟电路分配给模拟电路的各种类别。电子设计流程将与模拟电路的这些类别对应的各种模拟标准单元布局到分配给模拟电路的模拟布局位点中。这些模拟标准单元具有均匀的单元高度,这允许这些模拟标准单元可以容易地连接或合并到数字标准单元,这减小了电子架构设计布局的面积。与非均匀的模拟标准单元相比,这些模拟标准单元之间的高度均匀性额外提供了更可靠的良率。本发明的实施例还涉及开发电子架构设计布局的系统、方法和计算机可读介质。

    用于比较器的电路和用于减少比较器中的反冲噪声方法

    公开(公告)号:CN110957999A

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201910911710.2

    申请日:2019-09-25

    Abstract: 本公开用于减少和消除反冲噪声的电路和方法。在一个实例中,公开一种用于比较器的电路。电路包括:第一晶体管组、第二晶体管组以及第一开关。第一晶体管组包括具有耦合到第一节点的漏极的第一晶体管以及具有耦合到第一节点的源极的第二晶体管。第一晶体管及第二晶体管的栅极一起耦合到比较器的第一输入端。第二晶体管组包括具有耦合到第二节点的漏极的第三晶体管,以及具有耦合到第二节点的源极的第四晶体管。第三晶体管及第四晶体管的栅极一起耦合到比较器的第二输入端。第一开关连接到第一节点及第二节点且在第一节点与第二节点之间。

    半导体失配的减少
    45.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102683169B

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201210039247.5

    申请日:2012-02-20

    CPC classification number: H01L27/0207

    Abstract: 公开了用于半导体失配减少的系统和方法。实施例包括:半导体器件的高密度区域和低密度区域的导体密度和有源区域密度。为了提高导体密度和有源区域密度,可以将伪材料添加至低密度区域,从而减少了在高密度区域和低密度区域之间的内部密度失配。另外,可以将类似处理用于减少在位于半导体衬底上的不同区域之间的外部失配。一旦已经减少了这些失配,为了减少导体密度失配和有源区域密度失配,就可以额外填充围绕不同区域的空白区域。

    设计半导体器件、制造器件的系统以及使用系统的方法

    公开(公告)号:CN103577625A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201310300865.5

    申请日:2013-07-17

    CPC classification number: H01L27/0207 G06F17/5072 G06F17/5081

    Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。所述方法包括比较所述半导体器件的电路图设计与所述半导体器件的布局设计。所述方法进一步包括基于所述布局设计生成布局样式信息以及基于所述布局设计和所述电路图设计生成阵列边缘信息。所述方法进一步包括用智能伪插入使用述布局样式信息和所述阵列边缘信息选择性地修正布局设计。所述方法进一步包括使用所述布局样式信息和所述阵列边缘信对在修正的布局设计执行设计规则检查。本发明还涉及用于制造半导体器件的系统和半导体器件。

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