基于电荷的电容测量的系统及方法

    公开(公告)号:CN113295929A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110577966.1

    申请日:2021-05-26

    Abstract: 本文描述用于基于电荷的电容测量的系统及方法。系统包括第一伪反相器电路及第二伪反相器电路。系统亦包括控制电路,该控制电路耦接在第一反相器电路与第二反相器电路之间。控制电路用以为第一伪反相器电路及第二伪反相器电路产生独立且不重叠的控制信号。屏蔽金属耦接至第一伪反相器电路、第二伪反相器电路以及控制电路。屏蔽金属用以耗散第一伪反相器电路或第二伪反相器电路中的至少一者的寄生电容量。受测装置耦接至第一反相器电路及第二反相器电路中的每一者。

    半导体器件及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114597192A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202210073362.8

    申请日:2022-01-21

    Abstract: 本申请公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括在衬底之上的有源区域,该有源区域沿第一横向方向延伸。该半导体器件包括多个第一导电结构,可操作地耦合到有源区域。第一导电结构沿第二横向方向延伸。该半导体器件包括设置在多个第一导电结构之上的多个第二导电结构。第二导电结构沿第一横向方向延伸。该半导体器件包括具有第一电极和第二电极的第一电容器。第一电极包括第一导电结构之一和有源区域,并且第二电极包括第二导电结构中的第一个。有源区域和第一导电结构中的每一个电耦合到被配置为载送电源电压的电源轨结构。

    用于时间电流转换的方法和装置

    公开(公告)号:CN102970007B

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201210241810.7

    申请日:2012-07-12

    CPC classification number: H03K5/131 H03K5/135

    Abstract: 一种时间电流转换装置和方法。包含阻抗,该阻抗具有选择性地接收时变周期信号或已知电压信号的输入;以及电流输出,连接至阻抗。透过观测在时间周期内已知电压信号流经阻抗的平均电流以及观测时变周期信号流经阻抗的平均电流,可以借着评估第一平均电流和第二平均电流的比率来找出时变周期信号的工作周期,其中,在时变周期信号连接至阻抗的同时在电流输出处观测第一平均电流并且在已知电压信号连接至阻抗的同时在电流输出处观测第二平均电流。提供了时间电流转换电路的实施例。提供了用于找出时变周期信号的工作周期的方法实施例。

    半导体器件及其形成方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116978902A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202310641471.X

    申请日:2023-06-01

    Abstract: 一种半导体器件及其形成方法,半导体器件包括:对应地包括在邻接第一和第二模拟单元区中的第一有源区和第二有源区(AR),第一和第三模拟单元区邻接的区域(模拟单元边界(ACB)区域)从第一AR的顶部边界附近延伸到第二AR的底部边界附近;通孔‑至‑PGBM_1st区段接触结构(VB)对应地位于第一AR或第二AR之下,每个VB的长轴和第一AR和第二AR中的每个AR的短轴具有大约相同的长度;以及第一埋入式金属化(第一BM)层中的PG区段(PGBM_1st区段),PGBM_1st区段位于每个VB的大部分之下,并且PGBM_1st区段的Y中线位于第一和第二模拟单元区邻接的位置处或附近,因此位于ACB区的中间处或附近。

    半导体器件及其制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116387288A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310083880.2

    申请日:2023-02-07

    Inventor: 杨忠杰 吕宗庭

    Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件,包括金属‑氧化物‑金属(MOM)单元,该单元包括在第一高度且沿第一方向延伸的第一总线,以及在第二高度且沿不同于第一方向的第二方向延伸并且通过通孔电连接至第一总线的第二总线。MOM单元还包括位于第一高度且沿第一方向延伸的第一组指部;以及位于第二高度且沿第二方向延伸的第二组指部。第一组指部的每个指部均通过对应的通孔电连接至第二总线,第二组指部的每个指部均通过对应的通孔电连接至第一总线,并且第一组指部的每个指部均与第二组指部的每个指部重叠。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法。

    半导体装置
    6.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN113809042A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202110141281.2

    申请日:2021-02-02

    Abstract: 一种半导体装置包括具有第一组电路部件的电路,其中电路是在基板的第一侧上的电路区域中,及基板的第一侧上方的第一组导电柱。在半导体装置中,第一导电轨条电连接至第一组导电柱中的每一者,其中第一组导电柱中的每一者通过第一导电轨条电连接至第一组电路部件中的每一者;及延伸穿过基板的第一电力单元,其中第一电力单元包括延伸穿过基板的一第一数目个电力柱,其中第一数目个电力柱中的每一者并行电连接至第一导电轨条。

    用于工作周期表征的系统及方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119382672A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411284464.X

    申请日:2024-09-13

    Abstract: 一种方法包括:将第一信号耦合至阻抗;确定在第一时间内第一信号经过阻抗的第一平均电流,第一平均电流对应于第一信号的工作周期;将第二信号耦合至阻抗;确定在第二时间内第二信号经过阻抗的第二平均电流,第二平均电流对应于第二信号的第一工作周期;根据第一平均电流与第二平均电流确定第一工作周期;确定在第三时间内第二信号经过阻抗的第三平均电流,第三平均电流对应于第二信号的第二工作周期;根据第一平均电流与第三平均电流确定第二工作周期;以及对第一工作周期与第二工作周期进行平均。

    开发电子架构设计布局的系统、方法和计算机可读介质

    公开(公告)号:CN112307702B

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202010757158.9

    申请日:2020-07-31

    Abstract: 电子设计流程从原理图为模拟回路生成电子架构设计布局。电子设计流程将原理图的模拟电路分配给模拟电路的各种类别。电子设计流程将与模拟电路的这些类别对应的各种模拟标准单元布局到分配给模拟电路的模拟布局位点中。这些模拟标准单元具有均匀的单元高度,这允许这些模拟标准单元可以容易地连接或合并到数字标准单元,这减小了电子架构设计布局的面积。与非均匀的模拟标准单元相比,这些模拟标准单元之间的高度均匀性额外提供了更可靠的良率。本发明的实施例还涉及开发电子架构设计布局的系统、方法和计算机可读介质。

    开发电子架构设计布局的系统、方法和计算机可读介质

    公开(公告)号:CN112307702A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202010757158.9

    申请日:2020-07-31

    Abstract: 电子设计流程从原理图为模拟回路生成电子架构设计布局。电子设计流程将原理图的模拟电路分配给模拟电路的各种类别。电子设计流程将与模拟电路的这些类别对应的各种模拟标准单元布局到分配给模拟电路的模拟布局位点中。这些模拟标准单元具有均匀的单元高度,这允许这些模拟标准单元可以容易地连接或合并到数字标准单元,这减小了电子架构设计布局的面积。与非均匀的模拟标准单元相比,这些模拟标准单元之间的高度均匀性额外提供了更可靠的良率。本发明的实施例还涉及开发电子架构设计布局的系统、方法和计算机可读介质。

    设计集成电路的系统、方法以及计算机可读媒体

    公开(公告)号:CN119514466A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411401916.8

    申请日:2024-10-09

    Abstract: 本发明提供一种包括用于执行方法的计算机可执行指令的计算机可读媒体。此方法包括:产生包括多个构件的集成电路的示意图,每个构件与一种格式相关联,该格式指示表示相应电路功能的匹配组;将第一装置阵列布局和第二装置阵列布局合并,以形成第三装置阵列布局,第一装置阵列布局对应于共享第一符合群组的构件的第一子集,第二装置阵列布局对应于共享第二匹配组的构件的第二子集,响应于检测到第一装置阵列布局和第二装置阵列布局共享相同的单元类型;形成包围第三装置阵列布局的第一层;在第一层周围插入虚设图案;并进一步插入围绕虚设图案的保护环。

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