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公开(公告)号：CN114122168A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110220304.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明的实施例公开了用于光学感测的器件及其制造方法。在一个实施例中，用于光学感测的器件包括衬底、光电探测器和反射器。光电探测器设置在衬底中。反射器设置在衬底中并且与光电探测器间隔开，其中，反射器具有相对于光电探测器倾斜的反射表面，该反射表面将传输至反射表面上的光反射到光电探测器。
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公开(公告)号：CN102970007A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210241810.7
申请日：2012-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K5/19
Abstract: 一种时间电流转换装置和方法。包含阻抗，该阻抗具有选择性地接收时变周期信号或已知电压信号的输入；以及电流输出，连接至阻抗。透过观测在时间周期内已知电压信号流经阻抗的平均电流以及观测时变周期信号流经阻抗的平均电流，可以借着评估第一平均电流和第二平均电流的比率来找出时变周期信号的工作周期，其中，在时变周期信号连接至阻抗的同时在电流输出处观测第一平均电流并且在已知电压信号连接至阻抗的同时在电流输出处观测第二平均电流。提供了时间电流转换电路的实施例。提供了用于找出时变周期信号的工作周期的方法实施例。
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公开(公告)号：CN113131906B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202110166685.7
申请日：2021-02-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K5/14
Abstract: 数字控制延迟线(DCDL)包含：输入端；输出端；以及多个级，该多个级被配置为将信号沿第一信号路径从输入端传播到多个级的可选返回级，然后沿第二信号路径从多个级的返回级传播到输出端。该多个级中的每一级包含：第一和第二反相器，被配置为选择性将该信号沿该第一信号路径传播；第三和第四反相器，被配置为选择性将该信号沿该第二信号路径传播；以及第五反相器，被配置为选择性将该信号从该第一信号路径传播到第二信号路径。
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公开(公告)号：CN114597192A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210073362.8
申请日：2022-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L27/06
Abstract: 本申请公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括在衬底之上的有源区域，该有源区域沿第一横向方向延伸。该半导体器件包括多个第一导电结构，可操作地耦合到有源区域。第一导电结构沿第二横向方向延伸。该半导体器件包括设置在多个第一导电结构之上的多个第二导电结构。第二导电结构沿第一横向方向延伸。该半导体器件包括具有第一电极和第二电极的第一电容器。第一电极包括第一导电结构之一和有源区域，并且第二电极包括第二导电结构中的第一个。有源区域和第一导电结构中的每一个电耦合到被配置为载送电源电压的电源轨结构。
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公开(公告)号：CN113131906A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110166685.7
申请日：2021-02-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K5/14
Abstract: 数字控制延迟线(DCDL)包含：输入端；输出端；以及多个级，该多个级被配置为将信号沿第一信号路径从输入端传播到多个级的可选返回级，然后沿第二信号路径从多个级的返回级传播到输出端。该多个级中的每一级包含：第一和第二反相器，被配置为选择性将该信号沿该第一信号路径传播；第三和第四反相器，被配置为选择性将该信号沿该第二信号路径传播；以及第五反相器，被配置为选择性将该信号从该第一信号路径传播到第二信号路径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107065998A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611200612.0
申请日：2016-12-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/46
Abstract: 本发明的实施例公开了一种集成电路器件，包含控制电路、范围电路和时间‑电流转换器。控制电路配置为使电压信号延迟一延迟时间，以产生第一控制信号，并根据第一控制信号和电压信号产生第二控制信号。范围电路配置为响应于第二控制信号和电压信号而产生第一电流信号。时间‑电流转换器配置为根据第一控制信号和电压信号而产生第二电流信号。本发明的实施例还提供了一种集成电路器件的操作方法。
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公开(公告)号：CN102970007B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201210241810.7
申请日：2012-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K5/19
Abstract: 一种时间电流转换装置和方法。包含阻抗，该阻抗具有选择性地接收时变周期信号或已知电压信号的输入；以及电流输出，连接至阻抗。透过观测在时间周期内已知电压信号流经阻抗的平均电流以及观测时变周期信号流经阻抗的平均电流，可以借着评估第一平均电流和第二平均电流的比率来找出时变周期信号的工作周期，其中，在时变周期信号连接至阻抗的同时在电流输出处观测第一平均电流并且在已知电压信号连接至阻抗的同时在电流输出处观测第二平均电流。提供了时间电流转换电路的实施例。提供了用于找出时变周期信号的工作周期的方法实施例。
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公开(公告)号：CN101740568B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910134052.7
申请日：2009-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/07 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L21/823418 , H01L21/823481
Abstract: 本发明提供一种集成电路。上述集成电路包括一有源区域于一半导体基板中；一第一场效应晶体管(FET)设置于该有源区域中；以及一隔离结构设置于该有源区域中。上述场效应晶体管(FET)包括一第一栅极；一第一源极形成于该有源区域中，且设置于一第一区域上，邻接该第一栅极；以及一第一漏极形成于该有源区域中，且设置于一第二区域上，邻接该栅极。上述隔离结构包括一隔离栅极设置于邻接该第一漏极；以及一隔离源极形成于该有源区域中，且设置于邻接该隔离栅极使得该隔离源极和该第一漏极位于该隔离栅极的不同边处。本发明可以很好地保证元件的有源区域的连续性。
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公开(公告)号：CN102420145A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110208241.1
申请日：2011-07-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L27/1211
Abstract: 一种器件，包括：第一半导体鳍；以及第二半导体鳍，平行于第一半导体鳍；直线型栅电极，位于第一半导体鳍和第二半导体鳍上方，并且分别与第一半导体鳍和第二半导体鳍形成第一鳍式场效晶体管(FinFET)和第二FinFET，其中，第一FinFET和第二FinFET的导电类型相同；以及第一电连接件，位于直线型栅电极的一侧，并且将第一FinFET的第一源极/漏极与第二FinFET的第一源极/漏极相连接，其中，第一FinFET的第二源极/漏极不与第二FinFET的第二源极/漏极相连接。本发明还提供了一种串联FinFET的实施方法。
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公开(公告)号：CN101740568A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910134052.7
申请日：2009-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/07 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L21/823418 , H01L21/823481
Abstract: 本发明提供一种集成电路。上述集成电路包括一有源区域于一半导体基板中；一第一场效应晶体管(FET)设置于该有源区域中；以及一隔离结构设置于该有源区域中。上述场效应晶体管(FET)包括一第一栅极；一第一源极形成于该有源区域中，且设置于一第一区域上，邻接该第一栅极；以及一第一漏极形成于该有源区域中，且设置于一第二区域上，邻接该栅极。上述隔离结构包括一隔离栅极设置于邻接该第一漏极；以及一隔离源极形成于该有源区域中，且设置于邻接该隔离栅极使得该隔离源极和该第一漏极位于该隔离栅极的不同边处。本发明可以很好地保证元件的有源区域的连续性。
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