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公开(公告)号：CN113160860B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202110478689.9
申请日：2021-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在存储器计算(“CIM”)系统中，通过将来自CIM存储器电路的电流信号与参考电流进行比较，来计算表示乘法和累加运算结果的电流信号通过电流数模转换器(“DAC”)电路实现。存储器电路可以包括非易失性存储器(“NVM”)单元，其可以是多级或二级NVM单元。存储器元件的特征尺寸可以被二进制加权以对应于多位权重和/或多位输入信号中的各个位置值。可替代地，相等大小的NVM单元可以用于驱动二进制加权大小的晶体管。电流比较操作可以比电压计算更高的速度执行。在一些实施例中，简单的时钟门控开关用于在电流求和分支中生成均匀电流。时钟门控开关还用于限制单元电流导通的时间，从而减少静态功耗。
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公开(公告)号：CN115527984A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210853444.4
申请日：2022-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64
Abstract: IC器件包括第一电阻器和第二电阻器。第一电阻器包括：第一金属段和第二金属段，在第一金属层中在第一方向上延伸；以及第三金属段，在第二金属层中在第二方向上延伸并且电连接第一金属段和第二金属段。第二电阻器包括：第四金属段和第五金属段，在第一金属层中在第一方向上延伸；以及第六金属段，在第三金属层中在第二方向上延伸并且电连接第四金属段和第五金属段。第四金属段和第五金属段具有大于第一金属段和第二金属段的宽度的宽度，第四金属段位于第一金属段和第二金属段之间并且与第一金属段分隔开一定距离，并且第四金属段和第五金属段分隔大于距离。
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公开(公告)号：CN110967128B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201910931842.1
申请日：2019-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，热传感器包括两个温度敏感支路，每个支路包括热感测器件，诸如一个或多个双极结晶体管，以及用于在热感测器件中生成电流密度以生成温度依赖性信号的电流源。热传感器还包括信号处理器，该信号处理器配置为将来自支路的温度依赖性信号乘以相应和不同的增益因子，并且将得到的信号组合以生成输出信号，该输出信号基本上与热传感器所设置的绝对温度成比例。本发明的实施例还涉及温度测量的方法。
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公开(公告)号：CN113658947A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110845945.3
申请日：2021-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/06
Abstract: 本发明的实施例公开了一种解耦电容系统及方法。一种解耦电容系统，包括：解耦电容电耦接在第一或第二参考电压轨与第一节点之间；偏压电路耦接于第一节点与对应的第二参考电压轨或第一参考电压轨之间。由于解耦电容电路和偏置电路之间的串联连接，偏置电路两端的电压降有效地降低了解耦电容电路两端的电压降，从而使解耦电容电路两端的电压降小于解耦电容系统两端的电压降。
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公开(公告)号：CN113554158A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110215141.5
申请日：2021-02-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种用于卷积神经网络应用的记忆体元件及其操作方法，卷积神经网络(CNN)包括记忆体单元阵列，其包括多个记忆体单元。每一个记忆体单元包括多个第一电容性元件中的至少一个第一电容性元件。每一个记忆体单元用以使权重位元与输入位元相乘以产生乘积。当乘积满足预定阈值时，至少一个第一电容性元件被启用。CNN包括参考单元阵列，其包括多个第二电容性元件。CNN包括记忆体控制器，其用以比较与多个第一电容性元件相关联的第一信号与和多个第二电容性元件中的至少一个第二电容性元件相关联的第二信号，且基于此比较，决定是否启用此至少一个第一电容性元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110967128A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910931842.1
申请日：2019-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，热传感器包括两个温度敏感支路，每个支路包括热感测器件，诸如一个或多个双极结晶体管，以及用于在热感测器件中生成电流密度以生成温度依赖性信号的电流源。热传感器还包括信号处理器，该信号处理器配置为将来自支路的温度依赖性信号乘以相应和不同的增益因子，并且将得到的信号组合以生成输出信号，该输出信号基本上与热传感器所设置的绝对温度成比例。本发明的实施例还涉及温度测量的方法。
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公开(公告)号：CN110957999A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910911710.2
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开用于减少和消除反冲噪声的电路和方法。在一个实例中，公开一种用于比较器的电路。电路包括：第一晶体管组、第二晶体管组以及第一开关。第一晶体管组包括具有耦合到第一节点的漏极的第一晶体管以及具有耦合到第一节点的源极的第二晶体管。第一晶体管及第二晶体管的栅极一起耦合到比较器的第一输入端。第二晶体管组包括具有耦合到第二节点的漏极的第三晶体管，以及具有耦合到第二节点的源极的第四晶体管。第三晶体管及第四晶体管的栅极一起耦合到比较器的第二输入端。第一开关连接到第一节点及第二节点且在第一节点与第二节点之间。
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公开(公告)号：CN104236735A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310367573.3
申请日：2013-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01K3/04 , G01K7/01 , Y10T307/858
Abstract: 一种热传感器包括比较器单元和开关网络。比较器单元被配置成接收电压节点的第一电压值、第二电压值和第三电压值，并且提供控制信号。开关网络包括电压节点，并且被配置成基于控制信号在第一条件或第二条件下操作。基于第一条件，电压节点被配置成使电压值增大至第一电压值。基于第二条件，电压节点被配置成使电压降低至第二电压。
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公开(公告)号：CN103577625A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310300865.5
申请日：2013-07-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: H01L27/0207 , G06F17/5072 , G06F17/5081
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。所述方法包括比较所述半导体器件的电路图设计与所述半导体器件的布局设计。所述方法进一步包括基于所述布局设计生成布局样式信息以及基于所述布局设计和所述电路图设计生成阵列边缘信息。所述方法进一步包括用智能伪插入使用述布局样式信息和所述阵列边缘信息选择性地修正布局设计。所述方法进一步包括使用所述布局样式信息和所述阵列边缘信对在修正的布局设计执行设计规则检查。本发明还涉及用于制造半导体器件的系统和半导体器件。
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公开(公告)号：CN113852355A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110190026.7
申请日：2021-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03F3/45
Abstract: 本文揭示内容揭示一种电压放大器、放大输入电压的方法及其系统，是关于基于串接电荷泵浦升压的放大输入电压的系统及方法。在一态样中，根据输入电压将第一电荷储存于第一电容器以获得第二电压。在一态样中，根据储存于第一电容器的第一电荷来放大第二电压以获得第三电压。在一态样中，根据第三电压将第二电荷储存于第二电容器。在一态样中，根据储存于第二电容器的第二电荷来放大第三电压以获得第四电压。
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