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公开(公告)号：CN112307702B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202010757158.9
申请日：2020-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/36
Abstract: 电子设计流程从原理图为模拟回路生成电子架构设计布局。电子设计流程将原理图的模拟电路分配给模拟电路的各种类别。电子设计流程将与模拟电路的这些类别对应的各种模拟标准单元布局到分配给模拟电路的模拟布局位点中。这些模拟标准单元具有均匀的单元高度，这允许这些模拟标准单元可以容易地连接或合并到数字标准单元，这减小了电子架构设计布局的面积。与非均匀的模拟标准单元相比，这些模拟标准单元之间的高度均匀性额外提供了更可靠的良率。本发明的实施例还涉及开发电子架构设计布局的系统、方法和计算机可读介质。
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公开(公告)号：CN112307702A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010757158.9
申请日：2020-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/36
Abstract: 电子设计流程从原理图为模拟回路生成电子架构设计布局。电子设计流程将原理图的模拟电路分配给模拟电路的各种类别。电子设计流程将与模拟电路的这些类别对应的各种模拟标准单元布局到分配给模拟电路的模拟布局位点中。这些模拟标准单元具有均匀的单元高度，这允许这些模拟标准单元可以容易地连接或合并到数字标准单元，这减小了电子架构设计布局的面积。与非均匀的模拟标准单元相比，这些模拟标准单元之间的高度均匀性额外提供了更可靠的良率。本发明的实施例还涉及开发电子架构设计布局的系统、方法和计算机可读介质。
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公开(公告)号：CN107872224A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710660815.6
申请日：2017-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03L7/197
CPC classification number: H03L7/0991 , H03L7/18 , H03L7/181 , H03L2207/50 , H03L7/197
Abstract: 本发明实施例涉及一种频率合成器。具体而言，本发明实施例的频率合成器包括：参考振荡器，其经配置以产生具有参考频率的第一时钟信号；及除法器控制器，其经配置以接收所述第一时钟信号、第二时钟信号及乘数值。所述除法器控制器经配置以获得所述第一时钟信号的频率对所述第二时钟信号的频率的比率且将所述所得比率除以所述乘数值以获得控制器输出值。除法器经配置以接收所述第一时钟信号及控制器输出值且输出具有等于所述第一时钟信号的所述频率除以所述控制器输出值的频率的输出时钟信号。
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公开(公告)号：CN102237356B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010289505.6
申请日：2010-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 杨忠杰
CPC classification number: G06F17/5072 , G06F17/5068 , G06F2217/78 , H01L23/5223 , H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种集成电路及其电源布局与电源布局方法。所述集成电路的电源布局包含至少一电源网格单元。每个电源网格单元包含：配置以耦合至高电源供应电压的至少一第一电源层与配置以耦合至低电源供应电压的至少一第二电源层。第一电源层具有位于至少二不同方向的导线，且第二电源层亦具有位于至少二不同方向的导线。
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公开(公告)号：CN102970007A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210241810.7
申请日：2012-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K5/19
Abstract: 一种时间电流转换装置和方法。包含阻抗，该阻抗具有选择性地接收时变周期信号或已知电压信号的输入；以及电流输出，连接至阻抗。透过观测在时间周期内已知电压信号流经阻抗的平均电流以及观测时变周期信号流经阻抗的平均电流，可以借着评估第一平均电流和第二平均电流的比率来找出时变周期信号的工作周期，其中，在时变周期信号连接至阻抗的同时在电流输出处观测第一平均电流并且在已知电压信号连接至阻抗的同时在电流输出处观测第二平均电流。提供了时间电流转换电路的实施例。提供了用于找出时变周期信号的工作周期的方法实施例。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116387288A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310083880.2
申请日：2023-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括金属‑氧化物‑金属(MOM)单元，该单元包括在第一高度且沿第一方向延伸的第一总线，以及在第二高度且沿不同于第一方向的第二方向延伸并且通过通孔电连接至第一总线的第二总线。MOM单元还包括位于第一高度且沿第一方向延伸的第一组指部；以及位于第二高度且沿第二方向延伸的第二组指部。第一组指部的每个指部均通过对应的通孔电连接至第二总线，第二组指部的每个指部均通过对应的通孔电连接至第一总线，并且第一组指部的每个指部均与第二组指部的每个指部重叠。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN107065998B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201611200612.0
申请日：2016-12-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/46
Abstract: 本发明的实施例公开了一种集成电路器件，包含控制电路、范围电路和时间‑电流转换器。控制电路配置为使电压信号延迟一延迟时间，以产生第一控制信号，并根据第一控制信号和电压信号产生第二控制信号。范围电路配置为响应于第二控制信号和电压信号而产生第一电流信号。时间‑电流转换器配置为根据第一控制信号和电压信号而产生第二电流信号。本发明的实施例还提供了一种集成电路器件的操作方法。
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公开(公告)号：CN110783319A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910327285.2
申请日：2019-04-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 此处公开低电容的电容器结构。在一例中，公开的电容器结构包括第一电极与第二电极。第一电极包括第一金属指。第二电极包括第二金属指与第三金属指，且第二金属指与第三金属指彼此平行并平行于第一金属指。第一金属指形成于第二金属指与第三金属指之间。电容器结构亦包含第四金属指形成于第一金属指与第二金属指之间并作为虚置金属指，以及第五金属指形成于第一金属指与第三金属指之间并作为另一虚置金属指。第四金属指与第五金属指平行于第一金属指。
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公开(公告)号：CN116344505A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310083053.3
申请日：2023-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/64 , H01L27/06 , H01L21/768
Abstract: 本申请的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括电容器，该电容器具有第一导体板、第二导体板和插入在其间的介电层的部分。半导体器件包括与第一导体板电接触的多个第一接触结构。半导体器件包括与第二导体板电接触的多个第二接触结构。多个第一接触结构和多个第二接触结构以棋盘图案横向布置，从而使得多个第一接触结构中的每个由多个第二接触结构中的相应四个第二接触结构围绕。
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公开(公告)号：CN107017244A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610664839.4
申请日：2016-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本公开提供半导体装置及其制造方法。半导体装置包含设置于基底上的虚设鳍状结构，设置于一部分虚设鳍状结构上的虚设栅极结构，虚设栅极结构嵌入于其中的第一层间介电层，设置于第一层间介电层上的第二层间介电层，以及由导电材料形成且嵌入于第二层间介电层的电阻导线。在平面图中，电阻导线与虚设栅极结构重叠。
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