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公开(公告)号：CN113053993B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911381957.4
申请日：2019-12-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/868
Abstract: 本发明公开了一种快恢复二极管芯片，该快恢复二极管芯片或快恢复二极管芯片的有源区中包括一个或多个周期性排布的预设区域，每个预设区域中设置有多个P型岛。其中，在每个预设区域中，P型岛的横截面的尺寸在沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上呈阶梯性递减；和/或每个预设区域在沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上划分为若干子区，若干子区的P型岛面积占比在沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上呈阶梯性递减。通过设置P型岛的横截面的尺寸或横截面面积总和沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上呈阶梯性递减，可以优化FRD反向恢复软度与反向恢复能量之间的折中。
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公开(公告)号：CN114628530A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011474140.4
申请日：2020-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本公开提供一种快恢复二极管、芯片及其制作方法，包括：P+型阳极区、基区和N+型阴极区，在所述基区靠近所述N+阴极区的部分还包括：至少一个埋层区，所述至少一个埋层区包括具有第一掺杂类型的第一部分和具有第二掺杂类型的第二部分，所述第一部分与所述第二部分构成PN结。
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公开(公告)号：CN114122104A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010878410.1
申请日：2020-08-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种逆导IGBT器件，包括IGBT器件主体，所述IGBT器件主体的N++发射区包括第一N+源区和第二N+源区，所述第一N+源区的右端与所述第二N+源区的左端连接，所述N++发射区的横截面中所述第一N+源区的后端位于所述第二N+源区前端与后端之间，所述第二N+源区的前端位于所述第二N+源区前端与后端之间。通过将现有的完整的矩形N++发射区，变为交错相交的第一N+源区和第二N+源区，消除了部分N++发射区的存在，当器件工作在FRD模式时，阳极短路效应减少，从而避免沟道短路效应的影响，提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN107564815B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201610507639.8
申请日：2016-06-30
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 一种制作功率半导体的方法，该方法包括：步骤一、在衬底上形成预设厚度的栅氧化层；步骤二、对预设厚度的栅氧化层进行刻蚀，使得栅氧化层具有多种厚度，其中，栅氧化层的厚度从第一端到第二端呈现逐渐增大的趋势；步骤三、在刻蚀后的栅氧化层上形成多晶硅层。相较于现有的功率半导体制作方法，本方法制作得到的功率半导体更加平整，其工艺(例如记号对准、光刻及刻蚀等)难度得到有效降低，这样也就有助于提高功率半导体器件的性能以及芯片封装功能的可靠性。
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公开(公告)号：CN112201688A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010864142.8
申请日：2020-08-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供一种逆导型IGBT芯片，包括第一导电类型衬底；若干间隔设置于所述衬底下方且与所述集电区相邻接的第一导电类型短路区；其中，所述短路区位于以芯片中心为中心的第一预设范围外；在所述第一预设范围外且于第二预设范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第一预设阈值；在所述第二预设范围外且于第三预设范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第二预设阈值；在所述第三预设范围外且于所述芯片边缘范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第三预设阈值。不仅解决了逆导型IGBT芯片的初次和二次电压折回现象，还降低了芯片的终端区的注入效率，从而降低了器件的高温漏电流。
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公开(公告)号：CN114220842B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202111537531.0
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率晶体管的结终端，包括介质层、多个场限环组以及多个与场限环组对应的场板；场板在介质层的投影面积大于场限环组在介质层的投影面积；其中，场限环组包括主场限环和多个辅助场限环；主场限环通过介质层的接触孔与对应的场板相连，辅助场限环通过介质层与对应的场板隔离。这样，一个场板、一个主场限环和多个辅助场限环形成一个复合结构，在相同阻断电压的约束下，场板的数量更少，场板之间的间隙的数量也越少，终端暴露面积随之减少，在后续芯片工艺、封装过程以及外部环境中，尽可能的减少电荷通过这些间隙进入到介质层中，避免因为集聚的电荷过多，破坏结终端的电场分布，防止功率晶体管的耐压降低。
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公开(公告)号：CN111129131B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811277094.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种平面栅IGBT器件，涉及半导体功率器件技术领域，用于解决现有技术中关断损耗较大的技术问题。本发明的平面栅IGBT器件，包括第一关断通路和第二关断通路，由于第一关断通路和第二关断通路是IGBT关断过程中载流子抽取的通道，因此通过增加一条额外的关断通路，从而提高了抗闩锁能力，因此既可缩短关断时间，也可增大可关断电流，从而减少关断损耗。
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公开(公告)号：CN111129130B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811276601.X
申请日：2018-10-30
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供的一种沟槽栅IGBT器件，该沟槽栅IGBT器件包括第一关断通路和第二关断通路，第一关断通路和第二关断通路均为IGBT关断过程中载流子抽取的通道，相对于现有技术新增了一条额外的关断通路，新增的关断通路和原关断通路同时工作能够加快对漂移区的载流子的抽取，使载流子快速复合，提高了抗闩锁能力，缩短了关断时间，同时也增大了可关断电流。
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公开(公告)号：CN113066861B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911296084.7
申请日：2019-12-16
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本发明提出了一种沟槽栅功率半导体器件及制作方法，该方法包括，在衬底表面形成第一导电类型区域和第二导电类型区域；在衬底表面刻蚀方形沟槽栅极和方形沟槽陪栅，陪栅位于栅极围成的区域内；在衬底表面和沟槽内部形成栅氧；在衬底表面及沟槽内部淀积多晶硅；在栅极围成的区域内表面形成第一导电类型源区；在栅氧表面及沟槽栅围成的区域表面沉积绝缘介质层；刻蚀沟槽栅极与沟槽陪栅之间的部分区域、沟槽陪栅之间的所有区域、沟槽陪栅及其上方的绝缘介质层，在刻蚀的窗口区域形成第二导电类型源区；在刻蚀的窗口内部及衬底表面形成发射极，并将多晶硅通过金属引出形成栅极；在衬底背面形成第一导电类型缓冲层、第二导电类型发射区及集电极。
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公开(公告)号：CN112687728B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202011474978.3
申请日：2020-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种沟槽栅IGBT器件及其制备方法，所述器件包括：第一导电类型衬底；设置于所述第一导电类型衬底上的第一沟槽栅和第二沟槽栅，所述第一沟槽栅和第二沟槽栅相互平行且均沿第一方向延伸；以及设置于所述第一沟槽栅和第二沟槽栅之间的浮空区，所述浮空区包括沿所述第一方向交替间隔排布的P型浮空块和N型浮空块；其中，每个所述P型浮空块的掺杂量与相邻的每个所述N型浮空块的掺杂量相等。本发明对栅氧非沟道一侧的掺杂区提出了优化设计，通过分区域进行不同类型的掺杂实现内置二极管；该二极管可以对浮空P区进行钳位，从而降低浮空P区对栅极的充电电流，提升器件的SCSOA。
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