公开(公告)号：CN114628530A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011474140.4

申请日：2020-12-14

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 胡巍 ,  覃荣震 ,  肖海波 ,  张中华 ,  肖强 ,  罗海辉

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本公开提供一种快恢复二极管、芯片及其制作方法，包括：P+型阳极区、基区和N+型阴极区，在所述基区靠近所述N+阴极区的部分还包括：至少一个埋层区，所述至少一个埋层区包括具有第一掺杂类型的第一部分和具有第二掺杂类型的第二部分，所述第一部分与所述第二部分构成PN结。

公开(公告)号：CN114220842B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202111537531.0

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 胡巍 ,  刘鹏飞 ,  覃荣震 ,  王梦洁 ,  肖强 ,  罗海辉

IPC: H10D62/10 ,  H10D64/00 ,  H10D30/63

Abstract: 本发明公开了一种功率晶体管的结终端，包括介质层、多个场限环组以及多个与场限环组对应的场板；场板在介质层的投影面积大于场限环组在介质层的投影面积；其中，场限环组包括主场限环和多个辅助场限环；主场限环通过介质层的接触孔与对应的场板相连，辅助场限环通过介质层与对应的场板隔离。这样，一个场板、一个主场限环和多个辅助场限环形成一个复合结构，在相同阻断电压的约束下，场板的数量更少，场板之间的间隙的数量也越少，终端暴露面积随之减少，在后续芯片工艺、封装过程以及外部环境中，尽可能的减少电荷通过这些间隙进入到介质层中，避免因为集聚的电荷过多，破坏结终端的电场分布，防止功率晶体管的耐压降低。

公开(公告)号：CN114220842A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111537531.0

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 胡巍 ,  刘鹏飞 ,  覃荣震 ,  王梦洁 ,  肖强 ,  罗海辉

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种功率晶体管的结终端，包括介质层、多个场限环组以及多个与场限环组对应的场板；场板在介质层的投影面积大于场限环组在介质层的投影面积；其中，场限环组包括主场限环和多个辅助场限环；主场限环通过介质层的接触孔与对应的场板相连，辅助场限环通过介质层与对应的场板隔离。这样，一个场板、一个主场限环和多个辅助场限环形成一个复合结构，在相同阻断电压的约束下，场板的数量更少，场板之间的间隙的数量也越少，终端暴露面积随之减少，在后续芯片工艺、封装过程以及外部环境中，尽可能的减少电荷通过这些间隙进入到介质层中，避免因为集聚的电荷过多，破坏结终端的电场分布，防止功率晶体管的耐压降低。