公开(公告)号：CN113053993B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN201911381957.4

申请日：2019-12-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王梦洁 ,  刘鹏飞 ,  肖强 ,  陈辉 ,  覃荣震 ,  周飞宇 ,  张中华

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种快恢复二极管芯片，该快恢复二极管芯片或快恢复二极管芯片的有源区中包括一个或多个周期性排布的预设区域，每个预设区域中设置有多个P型岛。其中，在每个预设区域中，P型岛的横截面的尺寸在沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上呈阶梯性递减；和/或每个预设区域在沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上划分为若干子区，若干子区的P型岛面积占比在沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上呈阶梯性递减。通过设置P型岛的横截面的尺寸或横截面面积总和沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上呈阶梯性递减，可以优化FRD反向恢复软度与反向恢复能量之间的折中。

公开(公告)号：CN113053993A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201911381957.4

申请日：2019-12-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王梦洁 ,  刘鹏飞 ,  肖强 ,  陈辉 ,  覃荣震 ,  周飞宇 ,  张中华

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种快恢复二极管芯片，该快恢复二极管芯片或快恢复二极管芯片的有源区中包括一个或多个周期性排布的预设区域，每个预设区域中设置有多个P型岛。其中，在每个预设区域中，P型岛的横截面的尺寸在沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上呈阶梯性递减；和/或每个预设区域在沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上划分为若干子区，若干子区的P型岛面积占比在沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上呈阶梯性递减。通过设置P型岛的横截面的尺寸或横截面面积总和沿着预设区域的中心至预设区域的周边的方向上呈阶梯性递减，可以优化FRD反向恢复软度与反向恢复能量之间的折中。