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公开(公告)号：CN102243991A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110116134.6
申请日：2011-05-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种制备多晶硅薄膜的方法，具体的说就是利用金属锡在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法。本发明方法的主要技术方案：1、对玻璃衬底用丙酮和去离子水分别进行超声波清洗，使玻璃衬底清洁；2、在玻璃衬底上用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）生长一层非晶硅(a-Si:H)薄膜，沉积时衬底温度为200℃左后，薄膜厚度为200nm-300nm；3、在非晶硅薄膜上用物理气相沉积法生长一层金属锡(Sn)薄膜，厚度为10nm-20nm，得到衬底/(a-Si:H)/Sn结构；4、将衬底/(a-Si:H)/Sn叠层置于热处理炉中，在450℃下热处理1小时以上自然冷却，退火全过程通入氮气(N2)作为保护气体；5、用浓盐酸溶液(浓度为37.5%)来除去表面残留的金属锡，最后制得锡诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为70-200nm。本发明适用于薄膜场效应晶体管(TFT)和太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN100358111C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200610023277.1
申请日：2006-01-12
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/203 , H01L31/18 , C23C14/24
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种提高硫化锡半导体薄膜电导率的方法，属半导体薄膜制备及改性处理技术领域。本发明方法具有以下工艺过程和步骤：(1)在高纯度的硫化锡粉末中掺加入0.2～1.2wt%的金属锑粉，并进行充分的研磨和混合；(2)然后将上述混合料放于钼舟中，在真空镀膜机内进行蒸发制膜，真空蒸发过程中的工艺参数为：真空度1.5～2.0×10-4Pa、基片与蒸发源的距离10cm、蒸发源温度1100℃，最终可在基片上获得高电导率的硫化锡半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN104993010A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510189550.7
申请日：2015-04-21
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种AZO/Ag/AZO薄膜太阳能电池前电极的制备方法，利用物理溅射制备AZO层，利用化学实验的方法制备银纳米颗粒等离子体，并通过控制实验条件来形成不同大小、尺寸、形状的纳米颗粒、纳米线等。本发明综合了物理磁控溅射和液相化学还原方法，分别获得了三层膜中的AZO层和Ag纳米颗粒层，利用此方法获得的薄膜太阳电池前电极，在银纳米颗粒等离子体共振吸收方面的应用上将会有较大的发展空间。在化学还原法中利用还原性的有机化学溶剂，可以很好的实现银离子的分离与还原，然后通过不同的还原剂浓度、反应温度、生长周期等可以实现纳米颗粒、纳米线的制备。
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公开(公告)号：CN102888584B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210342060.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法。具有以下工艺步骤：首先，将硅衬底/金刚石薄膜进行清洗预处理；之后，将预处理后的金刚石薄膜放入紫外臭氧清洗机中进行表面修饰与改性，降低薄膜表面的带隙与表面态，提高薄膜结合力；之后，进行CdTe薄膜沉积，沉积工艺参数：衬底温度为450～500℃，源温度为550～650℃，沉积室压强为500～1500Pa，沉积时间1～2分钟；CdTe薄膜沉积结束后CdCl2退火处理20～30分钟。通过该方法可以在金刚石薄膜表面沉积高质量的CdTe薄膜，从而实现金刚石薄膜表面CdTe薄膜的高效沉积。
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公开(公告)号：CN103489749A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310111713.0
申请日：2013-04-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02422 , H01L21/02532
Abstract: 本发明涉及一种多循环快速热退火辅助金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将氯化镍溶于酒精和甲苯的混合溶液，并加入乙基纤维素，配成粘稠性溶液；将该溶液旋涂，随后在400℃退火2小时；再进行快速热退火处理，升温速率在150~200℃/s左右，将薄膜样品从室温升至600℃左右再恒温15s，然后自然冷却，待薄膜温度降到室温后再进行下一次快速热退火；经过三次快速热退火后可使非晶硅薄膜晶化。和传统固相晶化法和常规金属诱导晶化法相比，降低了退火温度，减少了残余金属污染物量，缩短了退火时间，工艺简单、成本低。
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公开(公告)号：CN103311105A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310181115.0
申请日：2013-05-16
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/203 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种铝在低温下诱导非晶硅制备多晶硅薄膜的方法，其属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用，在低温下通过两步退火法，将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜，以减少金属沾污。其主要技术方案是：首先在玻璃上作为生长衬底，后续依次制备非晶硅、二氧化硅及铝膜，形成多重界面的结构。然后，进行两步退火，先进行快退，后续将样品置退火炉中进行慢退火、再腐蚀去铝，并用氮气吹干。最后可制得铝诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可有效缓解金属诱导晶化（MIC）技术中，金属污染，适用于场效应晶体管和薄膜太阳能电池等光电器件制备。
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公开(公告)号：CN103255385A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310181827.2
申请日：2013-05-16
Applicant: 上海大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射用复合靶材的设计方法，涉及磁控溅射技术及无机化合物功能薄膜制备技术领域。其是由切割成5°、10°、30°、60°的扇形段的各组元单质薄板靶材，按照一定角度比例均匀交替拼接构成的复合靶材，其组元成分比例均匀、稳定、易于变更。通过调节各组元的扇形段角度就可以调整复合靶材的成分，从而调节化合物薄膜的化学计量比，且溅射得到的化合物薄膜成分均匀。本发明特别适用于如赫斯勒及半赫斯勒化合物等具有脆性、及由于组元熔点差异较大或部分组元成分易于偏析而难以制成符合化学计量比的化合物靶材的薄膜制备，是一种不需要使用多靶材共溅射法、但能取得共溅射生长化合物薄膜或复合薄膜效果的新型复合靶材设计方法。
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公开(公告)号：CN102956750A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210472790.4
申请日：2012-11-21
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种多晶碘化汞探测器金钯材料电极制备方法，具体步骤如下：a.多晶碘化汞厚膜的生长，b.多晶碘化汞厚膜表面的处理，c.电极材料的制备，d.电极的热蒸发制备工艺。本发明工艺简单，易于操作，电极掩模板图形可变，可大面积探测器电极的制备。通过本电极制备方法制得的多晶碘化汞厚膜探测器具有漏电流小，探测效率高，X射线像素明显等优点。
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公开(公告)号：CN102689920A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210204656.6
申请日：2012-06-20
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明一种溶剂热合成铜锌锡硫材料的方法，属于光电材料制备技术领域。本发明包括如下步骤：硫粉和金属铜锌锡盐分别溶于乙二胺和醇类有机溶剂中，在氮气的保护下将两种溶液混合，然后将混合溶液放入耐高压反应釜中，在180-240℃反应6-48小时，经离心、干燥后即可得到纯相的铜锌锡硫粉体。本发明方法采用混合溶剂，重复性好，成本低，易分离，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN102544214A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210001623.1
申请日：2012-01-05
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列的制备方法。生长出来的ZnO纳米阵列可作为SnS太阳能电池的窗口层。属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明先采用磁控溅射法在掺杂氟的SnO2导电玻璃（FTO）上溅射ZnO晶种，工作气压为0.3Pa，溅射功率为150W，溅射时间为20min；接着使用快速退火仪，在N2气氛中对晶种进行热处理，温度为400℃，时间为20min。然后通过水热法生长ZnO纳米阵列，生长溶液为0.05mol/L硝酸锌的水溶液和0.05mol/L六亚甲基四胺（HMT）的水溶液，生长温度为92.5℃，生长时间为2h；最后用管式退火炉，在N2气氛中对ZnO纳米阵列进行退火，温度为400℃，时间为30min。
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