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公开(公告)号：CN102888584B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210342060.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法。具有以下工艺步骤：首先，将硅衬底/金刚石薄膜进行清洗预处理；之后，将预处理后的金刚石薄膜放入紫外臭氧清洗机中进行表面修饰与改性，降低薄膜表面的带隙与表面态，提高薄膜结合力；之后，进行CdTe薄膜沉积，沉积工艺参数：衬底温度为450～500℃，源温度为550～650℃，沉积室压强为500～1500Pa，沉积时间1～2分钟；CdTe薄膜沉积结束后CdCl2退火处理20～30分钟。通过该方法可以在金刚石薄膜表面沉积高质量的CdTe薄膜，从而实现金刚石薄膜表面CdTe薄膜的高效沉积。
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公开(公告)号：CN1928151A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610029240.X
申请日：2006-07-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种厚度可控的三层式金刚石薄膜的制备方法，属无机非金属材料化学气相沉积工艺技术领域。本发明主要解决金刚石薄膜粗糙度与厚度之间的矛盾，采用现有的热丝化学气相沉积实验装置，调节控制碳源浓度、沉积温度、反应气压、施加偏压等参数，在硅片上沉积三层式金刚石薄膜。本发明方法可直接得到厚度大且非常平整的金刚石膜，因而不需要对该薄膜进行后期抛光处理。
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公开(公告)号：CN100510957C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610030241.6
申请日：2006-08-21
Applicant: 上海大学
IPC: G03F1/14
Abstract: 本发明涉及一种X射线光刻掩模版的制备方法，属光刻掩模版制造技术领域。本发明主要采用热丝化学气相沉积法沉积的金刚石薄膜作为X射线光刻掩模基膜材料，并通过改进的工艺参数和后期处理工艺，改善金刚石薄膜的性能，提高金刚石薄膜的光学透过率和表面平整度。通过对硅片的预处理、金刚石薄膜的沉积、去除部分硅片开出圆形透光宽口并形成硅支撑以及金刚石薄膜上贴附一层重金属金膜层，最终制成具有掩模曝光图形的掩模板。
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公开(公告)号：CN1900356A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610029242.9
申请日：2006-07-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种强磁场下金刚石薄膜的制备方法，它是先对基片进行预处理，然后放入带有超导磁铁线圈的热丝化学气相沉积装置的真空反应室中，通入氢气和丙酮，经过氢等离子体清洗、表面碳化、偏压增强成核和生长四个过程制得高质量高度定向金刚石膜，后两个过程施加1～14T的强磁场。本发明是一种高效制备高质量高度定向CVD金刚石膜的方法。
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公开(公告)号：CN102891217B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210342053.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种金刚石/CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，电池结构为硅衬底/p型金刚石/n型CdTe三层结构。该方法具有以下工艺步骤：首先，对硅衬底/p型金刚石薄膜进行清洗预处理和表面修饰与改性，在p型金刚石薄膜上进行n型CdTe薄膜沉积形成异质结，CdTe薄膜沉积结束后进行CdCl2退火处理，刻蚀掉窗口层光吸收区的硅衬底，进行金属接触沉积形成薄膜太阳能电池器件。通过该方法可以实现p型金刚石/n型CdTe薄膜太阳能电池的制备，使用p型金刚石作为窗口层材料和n型CdTe作为吸收层材料制备成异质结太阳能电池，解决了宽禁带p型半导体材料在太阳能电池领域的可用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102888584A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210342060.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法。具有以下工艺步骤：首先，将硅衬底/金刚石薄膜进行清洗预处理；之后，将预处理后的金刚石薄膜放入紫外臭氧清洗机中进行表面修饰与改性，降低薄膜表面的带隙与表面态，提高薄膜结合力；之后，进行CdTe薄膜沉积，沉积工艺参数：衬底温度为450～500℃，源温度为550～650℃，沉积室压强为500～1500Pa，沉积时间1～2分钟；CdTe薄膜沉积结束后CdCl2退火处理20～30分钟。通过该方法可以在金刚石薄膜表面沉积高质量的CdTe薄膜，从而实现金刚石薄膜表面CdTe薄膜的高效沉积。
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公开(公告)号：CN100432287C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610029242.9
申请日：2006-07-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种强磁场下金刚石薄膜的制备方法，它是先对基片进行预处理，然后放入带有超导磁铁线圈的热丝化学气相沉积装置的真空反应室中，通入氢气和丙酮，经过氢等离子体清洗、表面碳化、偏压增强成核和生长四个过程制得高质量高度定向金刚石膜，后两个过程施加1～14T的强磁场。本发明是一种高效制备高质量高度定向CVD金刚石膜的方法。
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公开(公告)号：CN1908813A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610030241.6
申请日：2006-08-21
Applicant: 上海大学
IPC: G03F1/14
Abstract: 本发明涉及一种X射线光刻掩模版的制备方法，属光刻掩模版制造技术领域。本发明主要采用热丝化学气相沉积法沉积的金刚石薄膜作为X射线光刻掩模基膜材料，并通过改进的工艺参数和后期处理工艺，改善金刚石薄膜的性能，提高金刚石薄膜的光学透过率和表面平整度。通过对硅片的预处理、金刚石薄膜的沉积、去除部分硅片开出圆形透光宽口并形成硅支撑以及金刚石薄膜上贴附一层重金属金膜层，最终制成具有掩模暴光图形的掩模板。
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公开(公告)号：CN1874009A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610028171.0
申请日：2006-06-27
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种高性能的紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明方法采用传统的、现有的热丝化学气相淀积装置，在硅片衬底上(100)晶面上淀积金刚石薄膜，再在此金刚石薄膜层上蒸镀一定厚度的金电极，并经光刻工艺形成指宽和间距均为25微米的叉指状梳状电极，并用镁铝丝引线引出，最终制成金刚石膜紫外光探测器。此金刚石膜紫外光探测器能达到的性能指标为：暗电流＜1nA/cm2，响应时间接近10－10秒，其综合性能优于其他紫外光探测器。
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公开(公告)号：CN102891217A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210342053.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种金刚石/CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，电池结构为硅衬底/p型金刚石/n型CdTe三层结构。该方法具有以下工艺步骤：首先，对硅衬底/p型金刚石薄膜进行清洗预处理和表面修饰与改性，在p型金刚石薄膜上进行n型CdTe薄膜沉积形成异质结，CdTe薄膜沉积结束后进行CdCl2退火处理，刻蚀掉窗口层光吸收区的硅衬底，进行金属接触沉积形成薄膜太阳能电池器件。通过该方法可以实现p型金刚石/n型CdTe薄膜太阳能电池的制备，使用p型金刚石作为窗口层材料和n型CdTe作为吸收层材料制备成异质结太阳能电池，解决了宽禁带p型半导体材料在太阳能电池领域的可用性。
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