公开(公告)号：CN103489749B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310111713.0

申请日：2013-04-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  戴文韫 ,  瞿晓雷 ,  邱宇峰 ,  史伟民

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种多循环快速热退火辅助金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将氯化镍溶于酒精和甲苯的混合溶液，并加入乙基纤维素，配成粘稠性溶液；将该溶液旋涂，随后在400℃退火2小时；再进行快速热退火处理，升温速率在150~200℃/s左右，将薄膜样品从室温升至600℃左右再恒温15s，然后自然冷却，待薄膜温度降到室温后再进行下一次快速热退火；经过三次快速热退火后可使非晶硅薄膜晶化。和传统固相晶化法和常规金属诱导晶化法相比，降低了退火温度，减少了残余金属污染物量，缩短了退火时间，工艺简单、成本低。

公开(公告)号：CN102709182B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201210201410.3

申请日：2012-06-19

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  瞿晓雷 ,  史伟民 ,  邱宇峰 ,  周平生 ,  廖阳

IPC: H01L21/324

Abstract: 本发明涉及两步退火辅助氯化镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将溶有氯化镍的乙醇溶液加入到乙基纤维素、酒精、甲苯的混合溶液中，得到粘稠的溶液并将其旋涂在非晶硅薄膜表面，随后在400oC～450oC退火1～2小时先形成NiSi2作为晶种层，再升温到500oC～550退火1～4小时诱导晶化。经过两步退火后可获得晶化率在80%左右，晶粒大小在200nm左右的多晶硅薄膜。和常规物理法金属诱导的方法相比，所制得的多晶硅薄膜更加均匀且金属残余污染更小，因此用本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。

公开(公告)号：CN104037269A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410254559.7

申请日：2014-06-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  匡华慧 ,  黄璐 ,  金晶 ,  陆舒逸 ,  杨伟光 ,  刘进 ,  明秀春

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/202 ,  H01L21/02686 ,  H01L31/077

Abstract: 本发明涉及一种基于激光诱导晶化的新型非晶硅薄膜太阳能电池器件，属无机材料太阳能器件制备的工艺技术领域。光学薄膜包括减反膜、增透膜、增反膜等，本发明主要通过控制晶粒大小，来达到调制光学薄膜层的增反和增透功能。本发明方法特征在于通过等离子体化学气相沉积法（PECVD）在氧化铟锡（ITO）导电玻璃上沉积三层分别为p型、i型和n型的非晶硅（a-Si）薄膜，然后使用波长为532nm的倍频掺钕钇铝石榴石（Nd:YAG）激光辐照样品表面，来实现n型和p型层由非晶硅转变为多晶硅(poly-Si)光学薄膜层。通过变化激光能量密度，来控制晶化光学薄膜层多晶硅晶粒大小，以调节光电转换效率。本发明的无机材料硅薄膜可应用于太阳能汽车玻璃上和建筑物玻璃幕墙上。

公开(公告)号：CN102709182A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210201410.3

申请日：2012-06-19

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  瞿晓雷 ,  史伟民 ,  邱宇峰 ,  周平生 ,  廖阳

IPC: H01L21/324

Abstract: 本发明涉及两步退火辅助氯化镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将溶有氯化镍的乙醇溶液加入到乙基纤维素、酒精、甲苯的混合溶液中，得到粘稠的溶液并将其旋涂在非晶硅薄膜表面，随后在400℃～450℃退火1～2小时先形成NiSi2作为晶种层，再升温到500℃～550℃退火1～4小时诱导晶化。经过两步退火后可获得晶化率在80%左右，晶粒大小在200nm左右的多晶硅薄膜。和常规物理法金属诱导的方法相比，所制得的多晶硅薄膜更加均匀且金属残余污染更小，因此用本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。

公开(公告)号：CN101710568B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200910199555.2

申请日：2009-11-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  金晶 ,  陈盛 ,  陈洁利 ,  余俊阳 ,  黄璐

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/30 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法。属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。本发明方法主要过程为：(1)将镀有氧化铟锡(ITO)的玻璃作为衬底，并进行洁净处理；(2)非晶硅薄膜的制备，用气相沉积法在玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜；用硅烷与氢气的混合气体为反应气体；(3)配制醋酸镍溶液；(4)涂覆醋酸镍溶液，随后热处理，温度为500～550℃，处理4～6小时，最终制得的微晶硅薄膜的晶化率为60～80％，晶粒大小在100nm以上。本发明产物适用于太阳能电池制造领域。

公开(公告)号：CN101710568A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200910199555.2

申请日：2009-11-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  金晶 ,  陈盛 ,  陈洁利 ,  余俊阳 ,  黄璐

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/30 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法。属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。本发明方法主要过程为：(1)将镀有氧化铟锡(ITO)的玻璃作为衬底，并进行洁净处理；(2)非晶硅薄膜的制备，用气相沉积法在玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜；用硅烷与氢气的混合气体为反应气体；(3)配制醋酸镍溶液；(4)涂覆醋酸镍溶液，随后热处理，温度为500～550℃，处理4～6小时，最终制得的微晶硅薄膜的晶化率为60～80％，晶粒大小在100nm以上。本发明产物适用于太阳能电池制造领域。

公开(公告)号：CN110277311B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201810209232.6

申请日：2018-03-14

Applicant: 上海大学 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 董超 ,  王建峰 ,  徐科 ,  金晶

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/268 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明公开了一种提高GaN欧姆接触性能的方法、欧姆接触结构及应用。所述方法包括：于非故意掺杂GaN材料上形成非晶Si层或金属Ge层；以激光辐照所述非晶Si层或金属Ge层的选定区域，以使所述选定区域内的非晶Si或金属Ge从所述非故意掺杂GaN材料的表面向内部扩散，从而至少在所述非故意掺杂GaN材料的表层区域形成n型掺杂区域。本发明使制备的GaN材料的Ga面欧姆接触更易形成，且比接触电阻率降低、热稳定性好，从而使GaN材料更易于用在新型半导体器件中；同时工艺操作简单，制作速度快，激光参数易于控制，不产生环境污染。

公开(公告)号：CN110277311A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201810209232.6

申请日：2018-03-14

Applicant: 上海大学 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 董超 ,  王建峰 ,  徐科 ,  金晶

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/268 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明公开了一种提高GaN欧姆接触性能的方法、欧姆接触结构及应用。所述方法包括：于非故意掺杂GaN材料上形成非晶Si层或金属Ge层；以激光辐照所述非晶Si层或金属Ge层的选定区域，以使所述选定区域内的非晶Si或金属Ge从所述非故意掺杂GaN材料的表面向内部扩散，从而至少在所述非故意掺杂GaN材料的表层区域形成n型掺杂区域。本发明使制备的GaN材料的Ga面欧姆接触更易形成，且比接触电阻率降低、热稳定性好，从而使GaN材料更易于用在新型半导体器件中；同时工艺操作简单，制作速度快，激光参数易于控制，不产生环境污染。

公开(公告)号：CN104993010A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510189550.7

申请日：2015-04-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  惠朝先 ,  戴文韫 ,  刘灿 ,  吕康 ,  李嘉诚 ,  史伟民

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种AZO/Ag/AZO薄膜太阳能电池前电极的制备方法，利用物理溅射制备AZO层，利用化学实验的方法制备银纳米颗粒等离子体，并通过控制实验条件来形成不同大小、尺寸、形状的纳米颗粒、纳米线等。本发明综合了物理磁控溅射和液相化学还原方法，分别获得了三层膜中的AZO层和Ag纳米颗粒层，利用此方法获得的薄膜太阳电池前电极，在银纳米颗粒等离子体共振吸收方面的应用上将会有较大的发展空间。在化学还原法中利用还原性的有机化学溶剂，可以很好的实现银离子的分离与还原，然后通过不同的还原剂浓度、反应温度、生长周期等可以实现纳米颗粒、纳米线的制备。

公开(公告)号：CN103489749A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310111713.0

申请日：2013-04-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  戴文韫 ,  瞿晓雷 ,  邱宇峰 ,  史伟民

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532

Abstract: 本发明涉及一种多循环快速热退火辅助金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将氯化镍溶于酒精和甲苯的混合溶液，并加入乙基纤维素，配成粘稠性溶液；将该溶液旋涂，随后在400℃退火2小时；再进行快速热退火处理，升温速率在150~200℃/s左右，将薄膜样品从室温升至600℃左右再恒温15s，然后自然冷却，待薄膜温度降到室温后再进行下一次快速热退火；经过三次快速热退火后可使非晶硅薄膜晶化。和传统固相晶化法和常规金属诱导晶化法相比，降低了退火温度，减少了残余金属污染物量，缩短了退火时间，工艺简单、成本低。