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公开(公告)号：CN102888584B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210342060.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法。具有以下工艺步骤：首先，将硅衬底/金刚石薄膜进行清洗预处理；之后，将预处理后的金刚石薄膜放入紫外臭氧清洗机中进行表面修饰与改性，降低薄膜表面的带隙与表面态，提高薄膜结合力；之后，进行CdTe薄膜沉积，沉积工艺参数：衬底温度为450～500℃，源温度为550～650℃，沉积室压强为500～1500Pa，沉积时间1～2分钟；CdTe薄膜沉积结束后CdCl2退火处理20～30分钟。通过该方法可以在金刚石薄膜表面沉积高质量的CdTe薄膜，从而实现金刚石薄膜表面CdTe薄膜的高效沉积。
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公开(公告)号：CN102689920A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210204656.6
申请日：2012-06-20
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明一种溶剂热合成铜锌锡硫材料的方法，属于光电材料制备技术领域。本发明包括如下步骤：硫粉和金属铜锌锡盐分别溶于乙二胺和醇类有机溶剂中，在氮气的保护下将两种溶液混合，然后将混合溶液放入耐高压反应釜中，在180-240℃反应6-48小时，经离心、干燥后即可得到纯相的铜锌锡硫粉体。本发明方法采用混合溶剂，重复性好，成本低，易分离，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN102891217B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210342053.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种金刚石/CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，电池结构为硅衬底/p型金刚石/n型CdTe三层结构。该方法具有以下工艺步骤：首先，对硅衬底/p型金刚石薄膜进行清洗预处理和表面修饰与改性，在p型金刚石薄膜上进行n型CdTe薄膜沉积形成异质结，CdTe薄膜沉积结束后进行CdCl2退火处理，刻蚀掉窗口层光吸收区的硅衬底，进行金属接触沉积形成薄膜太阳能电池器件。通过该方法可以实现p型金刚石/n型CdTe薄膜太阳能电池的制备，使用p型金刚石作为窗口层材料和n型CdTe作为吸收层材料制备成异质结太阳能电池，解决了宽禁带p型半导体材料在太阳能电池领域的可用性。
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公开(公告)号：CN103227239A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310111724.9
申请日：2013-04-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用，在低温下通过两步退火法，将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜，以减少金属沾污。首先在玻璃上作为生长衬底，后续依次制备非晶硅、二氧化硅及铝膜，形成多重界面的结构。然后，进行两步退火，先进行快退，后续将样品置退火炉中进行慢退火、再刻蚀去铝。最后可制得铝诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可有效缓解金属诱导晶化（MIC）技术中，金属污染，适用于场效应晶体管和薄膜太阳能电池制备。
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公开(公告)号：CN102888584A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210342060.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法。具有以下工艺步骤：首先，将硅衬底/金刚石薄膜进行清洗预处理；之后，将预处理后的金刚石薄膜放入紫外臭氧清洗机中进行表面修饰与改性，降低薄膜表面的带隙与表面态，提高薄膜结合力；之后，进行CdTe薄膜沉积，沉积工艺参数：衬底温度为450～500℃，源温度为550～650℃，沉积室压强为500～1500Pa，沉积时间1～2分钟；CdTe薄膜沉积结束后CdCl2退火处理20～30分钟。通过该方法可以在金刚石薄膜表面沉积高质量的CdTe薄膜，从而实现金刚石薄膜表面CdTe薄膜的高效沉积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102709404A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210205718.5
申请日：2012-06-21
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅薄膜的制备方法，具体来说就是利用金属铜的催化作用在低温下通过循环退火将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜。本发明的主要技术方案是首先在玻璃衬底上生长衬底/非晶硅/二氧化硅/铜膜的结构，然后进行循环式退火，第一次退火完成之后将样品置于腐蚀液中腐蚀并再次循环式退火、腐蚀，并用氮气吹干。最后可制得铜诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可缓解现有金属诱导晶化（MIC）技术中金属重污染的问题，并适用于薄膜场效应晶体管和薄膜太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN102650050A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210148775.4
申请日：2012-05-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米级多晶碘化汞晶种层薄膜的制备方法，采用电磁搅拌和温度调节方法对反应溶液化学平衡进行控制，加快化学液相沉积的过程。本发明还公开了一种纳米级多晶碘化汞晶种层薄膜制备装置，主要包括反应容器、恒温系统和加速溶液反应系统，恒温系统为油浴温度控制系统，油浴温度控制系统包括油浴容器、加热器和油浴温度控制器，油浴温度控制器监测储热油的温度，并控制加热器的热量输出，该加速溶液反应系统为电磁搅拌系统，电磁搅拌系统对反应溶液施加电磁搅拌；反应容器内部保持非真空气氛。该装置结构简单，可重复使用，易于操作，不受外界温度的影响，可制备大面积多晶碘化汞晶种层薄膜，成品率高，适用于批量制备。
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公开(公告)号：CN102709182B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210201410.3
申请日：2012-06-19
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/324
Abstract: 本发明涉及两步退火辅助氯化镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将溶有氯化镍的乙醇溶液加入到乙基纤维素、酒精、甲苯的混合溶液中，得到粘稠的溶液并将其旋涂在非晶硅薄膜表面，随后在400oC～450oC退火1～2小时先形成NiSi2作为晶种层，再升温到500oC～550退火1～4小时诱导晶化。经过两步退火后可获得晶化率在80%左右，晶粒大小在200nm左右的多晶硅薄膜。和常规物理法金属诱导的方法相比，所制得的多晶硅薄膜更加均匀且金属残余污染更小，因此用本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。
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公开(公告)号：CN102891217A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210342053.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种金刚石/CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，电池结构为硅衬底/p型金刚石/n型CdTe三层结构。该方法具有以下工艺步骤：首先，对硅衬底/p型金刚石薄膜进行清洗预处理和表面修饰与改性，在p型金刚石薄膜上进行n型CdTe薄膜沉积形成异质结，CdTe薄膜沉积结束后进行CdCl2退火处理，刻蚀掉窗口层光吸收区的硅衬底，进行金属接触沉积形成薄膜太阳能电池器件。通过该方法可以实现p型金刚石/n型CdTe薄膜太阳能电池的制备，使用p型金刚石作为窗口层材料和n型CdTe作为吸收层材料制备成异质结太阳能电池，解决了宽禁带p型半导体材料在太阳能电池领域的可用性。
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公开(公告)号：CN102709182A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210201410.3
申请日：2012-06-19
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/324
Abstract: 本发明涉及两步退火辅助氯化镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将溶有氯化镍的乙醇溶液加入到乙基纤维素、酒精、甲苯的混合溶液中，得到粘稠的溶液并将其旋涂在非晶硅薄膜表面，随后在400℃～450℃退火1～2小时先形成NiSi2作为晶种层，再升温到500℃～550℃退火1～4小时诱导晶化。经过两步退火后可获得晶化率在80%左右，晶粒大小在200nm左右的多晶硅薄膜。和常规物理法金属诱导的方法相比，所制得的多晶硅薄膜更加均匀且金属残余污染更小，因此用本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。
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