公开(公告)号：CN104037269A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410254559.7

申请日：2014-06-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  匡华慧 ,  黄璐 ,  金晶 ,  陆舒逸 ,  杨伟光 ,  刘进 ,  明秀春

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/202 ,  H01L21/02686 ,  H01L31/077

Abstract: 本发明涉及一种基于激光诱导晶化的新型非晶硅薄膜太阳能电池器件，属无机材料太阳能器件制备的工艺技术领域。光学薄膜包括减反膜、增透膜、增反膜等，本发明主要通过控制晶粒大小，来达到调制光学薄膜层的增反和增透功能。本发明方法特征在于通过等离子体化学气相沉积法（PECVD）在氧化铟锡（ITO）导电玻璃上沉积三层分别为p型、i型和n型的非晶硅（a-Si）薄膜，然后使用波长为532nm的倍频掺钕钇铝石榴石（Nd:YAG）激光辐照样品表面，来实现n型和p型层由非晶硅转变为多晶硅(poly-Si)光学薄膜层。通过变化激光能量密度，来控制晶化光学薄膜层多晶硅晶粒大小，以调节光电转换效率。本发明的无机材料硅薄膜可应用于太阳能汽车玻璃上和建筑物玻璃幕墙上。

公开(公告)号：CN102689920A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210204656.6

申请日：2012-06-20

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  李杰 ,  杨伟光 ,  李季戎 ,  周平生 ,  袁安东 ,  廖阳 ,  钱隽 ,  沈春夏 ,  陆舒逸 ,  张月璐 ,  许月阳

IPC: C01G19/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明一种溶剂热合成铜锌锡硫材料的方法，属于光电材料制备技术领域。本发明包括如下步骤：硫粉和金属铜锌锡盐分别溶于乙二胺和醇类有机溶剂中，在氮气的保护下将两种溶液混合，然后将混合溶液放入耐高压反应釜中，在180-240℃反应6-48小时，经离心、干燥后即可得到纯相的铜锌锡硫粉体。本发明方法采用混合溶剂，重复性好，成本低，易分离，适用于大规模生产。

公开(公告)号：CN103268904A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201310181487.3

申请日：2013-05-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  廖阳 ,  陶佳佳 ,  钱隽 ,  李季戎 ,  王国华 ,  陆舒逸

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/203

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及利用超声辅助物理气相沉积技术，生长多晶碘化汞薄膜，并在薄膜上制备了X射线探测器方法，属于以半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。该发明解决了制作碘化汞薄膜技术，与射线探测器制备工艺问题。此技术以经多次提纯后的碘化汞为原材料，采用物理气相沉积方法，制作了多晶碘化汞，并对其隔离大气，配置电极，又对薄膜器件进行有效封装，获得质佳的射线探测器。薄膜及制作的探测器经XRD、SEM、I-V等特性分析，表明气相沉积法可制得沿 晶向，柱状生长的多晶碘化汞薄膜，且获甚佳晶粒完整性及均匀性，探测器与金有良好的欧姆接触。本发明适用于对X射线及Gama射线等的检测，有潜在的实际应用价值。

公开(公告)号：CN103208563A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310111690.3

申请日：2013-04-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 廖阳 ,  史伟民 ,  李季戎 ,  钱隽 ,  王国华 ,  刘功龙 ,  陆舒逸

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种多晶碘化汞薄膜与金电极形成良好欧姆接触的制备方法，属于半导体厚膜制备技术领域。以经多次提纯后的碘化汞为原材料，采用超声辅助气相沉积装置制得了多晶碘化汞薄膜，再对薄膜进行表面处理，最后真空蒸镀一层金电极阵列。通过该方法可得到较好的金半接触，金电极与薄膜之间有很好的粘附性，I-V的正反响应特性都较好，金属电极漏电流小，性能稳定。该方法制得的多晶碘化汞厚膜探测器特别适合于对X射线、Gama射线的探测，本发明具有潜在的实际应用前景。