公开(公告)号：CN103489749A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310111713.0

申请日：2013-04-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  戴文韫 ,  瞿晓雷 ,  邱宇峰 ,  史伟民

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532

Abstract: 本发明涉及一种多循环快速热退火辅助金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将氯化镍溶于酒精和甲苯的混合溶液，并加入乙基纤维素，配成粘稠性溶液；将该溶液旋涂，随后在400℃退火2小时；再进行快速热退火处理，升温速率在150~200℃/s左右，将薄膜样品从室温升至600℃左右再恒温15s，然后自然冷却，待薄膜温度降到室温后再进行下一次快速热退火；经过三次快速热退火后可使非晶硅薄膜晶化。和传统固相晶化法和常规金属诱导晶化法相比，降低了退火温度，减少了残余金属污染物量，缩短了退火时间，工艺简单、成本低。

公开(公告)号：CN102709404A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210205718.5

申请日：2012-06-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  周平生 ,  周平华 ,  李杰 ,  瞿晓雷 ,  廖阳 ,  钱隽 ,  李季戎 ,  张月璐 ,  许月阳

IPC: H01L31/20 ,  C23C16/44

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种多晶硅薄膜的制备方法，具体来说就是利用金属铜的催化作用在低温下通过循环退火将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜。本发明的主要技术方案是首先在玻璃衬底上生长衬底/非晶硅/二氧化硅/铜膜的结构，然后进行循环式退火，第一次退火完成之后将样品置于腐蚀液中腐蚀并再次循环式退火、腐蚀，并用氮气吹干。最后可制得铜诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可缓解现有金属诱导晶化（MIC）技术中金属重污染的问题，并适用于薄膜场效应晶体管和薄膜太阳能电池领域。

公开(公告)号：CN102978590A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210487362.9

申请日：2012-11-27

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  瞿晓雷 ,  史伟民 ,  戴文韫 ,  袁安东

IPC: C23C16/56

Abstract: 本发明涉及多循环快速热退火晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在普通玻璃载片衬底上沉积非晶硅薄膜；随后进行快速热处理，升温速率在150-200℃/s左右，将薄膜样品从室温升至640℃后再恒温一段时间，然后自然冷却，当薄膜温度冷却到达室温时，再进行下一次循环；经过多次快速热退火后晶化非晶硅薄膜。用该方法可制得晶化率在71.9%左右的多晶硅薄膜。和传统的固相晶化非晶硅薄膜工艺相比，该方法在降低了对衬底要求的同时，也缩短了处理时间，具有制备工艺简单、污染小和成本低等特点。因此用本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。

公开(公告)号：CN103489749B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310111713.0

申请日：2013-04-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  戴文韫 ,  瞿晓雷 ,  邱宇峰 ,  史伟民

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种多循环快速热退火辅助金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将氯化镍溶于酒精和甲苯的混合溶液，并加入乙基纤维素，配成粘稠性溶液；将该溶液旋涂，随后在400℃退火2小时；再进行快速热退火处理，升温速率在150~200℃/s左右，将薄膜样品从室温升至600℃左右再恒温15s，然后自然冷却，待薄膜温度降到室温后再进行下一次快速热退火；经过三次快速热退火后可使非晶硅薄膜晶化。和传统固相晶化法和常规金属诱导晶化法相比，降低了退火温度，减少了残余金属污染物量，缩短了退火时间，工艺简单、成本低。

公开(公告)号：CN102709182B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201210201410.3

申请日：2012-06-19

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  瞿晓雷 ,  史伟民 ,  邱宇峰 ,  周平生 ,  廖阳

IPC: H01L21/324

Abstract: 本发明涉及两步退火辅助氯化镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将溶有氯化镍的乙醇溶液加入到乙基纤维素、酒精、甲苯的混合溶液中，得到粘稠的溶液并将其旋涂在非晶硅薄膜表面，随后在400oC～450oC退火1～2小时先形成NiSi2作为晶种层，再升温到500oC～550退火1～4小时诱导晶化。经过两步退火后可获得晶化率在80%左右，晶粒大小在200nm左右的多晶硅薄膜。和常规物理法金属诱导的方法相比，所制得的多晶硅薄膜更加均匀且金属残余污染更小，因此用本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。

公开(公告)号：CN102709182A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210201410.3

申请日：2012-06-19

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  瞿晓雷 ,  史伟民 ,  邱宇峰 ,  周平生 ,  廖阳

IPC: H01L21/324

Abstract: 本发明涉及两步退火辅助氯化镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将溶有氯化镍的乙醇溶液加入到乙基纤维素、酒精、甲苯的混合溶液中，得到粘稠的溶液并将其旋涂在非晶硅薄膜表面，随后在400℃～450℃退火1～2小时先形成NiSi2作为晶种层，再升温到500℃～550℃退火1～4小时诱导晶化。经过两步退火后可获得晶化率在80%左右，晶粒大小在200nm左右的多晶硅薄膜。和常规物理法金属诱导的方法相比，所制得的多晶硅薄膜更加均匀且金属残余污染更小，因此用本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。

公开(公告)号：CN202610310U

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201220115203.1

申请日：2012-03-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 刘功龙 ,  史伟民 ,  吕燕芳 ,  廖阳 ,  杨伟光 ,  袁安东 ,  瞿晓雷

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  C30B28/12 ,  C30B29/12

Abstract: 本实用新型超声波辅助下水浴真空物理气相沉积厚膜的系统装置，主要包括有具有真空室、沉积厚膜的TFT基片、基片温度控制仪、真空抽气泵、循环冷却水管、膜原料蒸发管及其水浴加热槽超声波产生器。本实用新型的装置结构简单，易于操作，可重复使用；特别适合于制备较大面积的探测器级碘化汞薄膜。本实用新型属于真空蒸发厚膜生长领域，涉及熔点或升华温度低于200摄氏度材料的厚膜的生长，特别是一种作为χ射线、γ射线探测器的碘化汞厚膜的生长系统，属物理气相沉积技术领域。