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公开(公告)号：CN105891949B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610338171.4
申请日：2016-05-20
Applicant: 上海大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种基于激光刻蚀空气柱二维光子晶体的制备方法，属制备光子晶体技术领域。本发明主要通过控制膜的厚度、孔径大小和孔间隙，来调节反射的颜色的不同。本发明是通过磁控溅射的方法在硅（Si）衬底上沉积铬（Cr）层和氧化硅（SiOx）层，然后在氧化硅（SiOx）层通过激光刻蚀的方法刻蚀空气柱来制备二维光子晶体。通过激光能量来调节孔径大小和孔间隙。本发明的二维光子晶体可以应用于光学防伪方面。
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公开(公告)号：CN102351430B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110192217.3
申请日：2011-07-11
Applicant: 上海大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜的工艺，生长出来的多晶碘化汞薄膜作为过度缓冲层，特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备，本发明属化学液相沉积技术领域。本发明以2,7-二溴-4-羟汞基荧光红双钠盐（又名汞溴红）、碘酊为先驱反应溶液，无水酒精为溶剂，制得了多晶碘化汞薄膜。对所制备的薄膜采用金相显微镜、XRD、紫外-可见分光光度计进行表征。结果表明化学液相垂直沉积法可制备得到沿 晶向柱状生长的多晶碘化汞薄膜，且晶粒结构完整性好、均匀性佳，膜厚约为800nm，禁带宽度为2.26eV。本发明具有潜在的实际应用前景。
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公开(公告)号：CN102881764A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210332308.7
申请日：2012-09-11
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L27/146 , C23C14/06
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种X射线成像多晶碘化汞探测器的制备方法，主要是先通过物理气相沉积法生长多晶碘化汞厚膜，最后再经过电极的制备及探测器封装等步骤，属于半导体探测器制备工艺技术领域。通过本方法制得的多晶碘化汞厚膜探测器具有漏电流小，探测效率高，X射线像素明显等优点。通过I-V特性测试表明金电极与多晶碘化汞厚膜均形成良好的欧姆接触。同时对制备的探测器进行了电容频率和能谱响应特性等测试。结果表明所制得的探测器的信噪比可达到2，显示出了良好的信号噪声分辨率；所制备的多晶碘化汞厚膜探测器的电容都比较小；在室温下对5.9keV的55FeX射线、有较好的计数响应，并获得最佳的能量分辨率分别为4％。
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公开(公告)号：CN102456768A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010527713.5
申请日：2010-11-02
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种含有ZnO:Al窗口层的ZnO/SnS太阳能电池元件的制备方法，属太阳能电池元件制造工艺技术领域，本发明的太阳能电池元件为多层结构，包括有：涂有ITO膜的玻璃衬底基材，ZnO:Al膜窗口层，作为N层的ZnO层，作为P层的SnS，及最上层的Al膜电极；主要的一层为窗口层ZnO:Al，采用传统通用的JC500—3/D型射频磁控溅射装置来制备ZnO:Al薄膜；溅射的工艺条件为：溅射功率为100W~200W，工作真空气压为0.3Pa~0.9Pa，温度为室温，溅射时间为40~120分钟，靶基距为8cm。该薄膜是有较好的透明导电性很红外反射功率。
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公开(公告)号：CN105891949A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610338171.4
申请日：2016-05-20
Applicant: 上海大学
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/1225 , G02B2006/12176
Abstract: 本发明公开了一种基于激光刻蚀空气柱二维光子晶体的制备方法，属制备光子晶体技术领域。本发明主要通过控制膜的厚度、孔径大小和孔间隙，来调节反射的颜色的不同。本发明是通过磁控溅射的方法在硅（Si）衬底上沉积铬（Cr）层和氧化硅（SiOx）层，然后在氧化硅（SiOx）层通过激光刻蚀的方法刻蚀空气柱来制备二维光子晶体。通过激光能量来调节孔径大小和孔间隙。本发明的二维光子晶体可以应用于光学防伪方面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102544214B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210001623.1
申请日：2012-01-05
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列的制备方法。生长出来的ZnO纳米阵列可作为SnS太阳能电池的窗口层。属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明先采用磁控溅射法在掺杂氟的SnO2导电玻璃（FTO）上溅射ZnO晶种，工作气压为0.3Pa，溅射功率为150W，溅射时间为20min；接着使用快速退火仪，在N2气氛中对晶种进行热处理，温度为400℃，时间为20min。然后通过水热法生长ZnO纳米阵列，生长溶液为0.05mol/L硝酸锌的水溶液和0.05mol/L六亚甲基四胺（HMT）的水溶液，生长温度为92.5℃，生长时间为2h；最后用管式退火炉，在N2气氛中对ZnO纳米阵列进行退火，温度为400℃，时间为30min。
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公开(公告)号：CN102965617A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210469242.6
申请日：2012-11-20
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种超声波辅助下油浴真空物理气相沉积多晶碘化汞厚膜的装置和方法，本装置包括油浴加热槽，厚膜原料蒸发管，基板温度控制仪，真空室，磨砂石英顶盖和超声波发生器；多晶碘化汞粉末放置于厚膜原料蒸发管的底部，多晶碘化汞粉末蒸发后即沉积于基片的下表面上。本方法为超声波辅助下油浴真空物理气相沉积法的改进。本发明装置结构简单、可重复使用、易于操作、生长腔体成本低廉，基板温度可精确控制；本发明方法制备得到的多晶碘化汞厚膜取向性高，致密性好，晶粒尺寸小，电学性能佳，为多晶碘化汞半导体辐射探测的制备打下了坚实的基础。
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公开(公告)号：CN102337588A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110336271.0
申请日：2011-10-31
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜，生长出来的多晶碘化汞薄膜作为晶种层，通过真空蒸发物理气相沉积法在晶种层上沉积生长高取向性多晶碘化汞厚膜的制备方法。生长出来的高取向性多晶碘化汞厚膜特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备，本发明属于半导体厚膜制备技术领域。本发明以2,7-二溴-4-羟汞基荧光红双钠盐（又名汞溴红）、碘酊为先驱反应溶液，无水酒精为溶剂，制得了多晶碘化汞薄膜。以碘化汞薄膜作为晶种层，再通过真空蒸发物理气象沉积法沉积生长多晶碘化汞厚膜，最终在衬底基片上获得柱状晶粒的高取向性多晶碘化汞厚膜。
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公开(公告)号：CN102351430A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110192217.3
申请日：2011-07-11
Applicant: 上海大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜的工艺，生长出来的多晶碘化汞薄膜作为过渡缓冲层，特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备，本发明属化学液相沉积技术领域。本发明以2,7-二溴-4-羟汞基荧光红双钠盐（又名汞溴红）、碘酊为先驱反应溶液，无水酒精为溶剂，制得了多晶碘化汞薄膜。对所制备的薄膜采用金相显微镜、XRD、紫外-可见分光光度计进行表征。结果表明化学液相垂直沉积法可制备得到沿 晶向柱状生长的多晶碘化汞薄膜，且晶粒结构完整性好、均匀性佳，膜厚约为800nm，禁带宽度为2.26eV。本发明具有潜在的实际应用前景。
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公开(公告)号：CN101962752A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010524867.9
申请日：2010-10-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种真空蒸发法制备太阳能电池ZnS/SnS双层薄膜的方法，属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明使用P半导体SnS为作为吸收层，使用真空蒸发系统，采用连续分舟蒸发ZnS和SnS薄膜获得双层薄膜的方式。调整样品架本发明中，ITO玻璃衬底温度控制为150℃～160℃，真空压力为2~3×10-3Pa，衬底与蒸发源钼舟间的距离为20cm左右，控制SnS和ZnS的蒸发温度为1000～1200℃；蒸发过程完成后，进入真空管式退火炉进行退火，退火的温度分别选择为300℃，400℃和500℃。本发明方法工艺简单，薄膜制备的效率高，制得的薄膜具有良好的电学和光学性能，适合应用于太阳能电池。
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