公开(公告)号：CN100358111C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200610023277.1

申请日：2006-01-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 魏光普 ,  史伟民 ,  邱永华 ,  葛艳辉

IPC: H01L21/203 ,  H01L31/18 ,  C23C14/24

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种提高硫化锡半导体薄膜电导率的方法，属半导体薄膜制备及改性处理技术领域。本发明方法具有以下工艺过程和步骤：(1)在高纯度的硫化锡粉末中掺加入0.2～1.2wt%的金属锑粉，并进行充分的研磨和混合；(2)然后将上述混合料放于钼舟中，在真空镀膜机内进行蒸发制膜，真空蒸发过程中的工艺参数为：真空度1.5～2.0×10-4Pa、基片与蒸发源的距离10cm、蒸发源温度1100℃，最终可在基片上获得高电导率的硫化锡半导体薄膜。

公开(公告)号：CN1821592A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200510111338.5

申请日：2006-04-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 王志明 ,  李磊 ,  张洪欣 ,  魏光普

IPC: F16B47/00

Abstract: 本发明涉及一种单体太阳电池在线测试用防碎、防粘连吸盘。它由一个吸盘本体的底面上连接小吸盘和吸盘本体的侧面或顶面上连接的真空管接头构成，吸盘本体内有气路使所述的小吸盘与真空管接头连通，其特征在于所述的吸盘本体底面有多个所述的小吸盘，多个小吸盘离吸盘本体底面的高度，彼此间存在有效差值。本发明用于太阳电池片移栽过程稳定，电池片不破裂，片与片间不粘连。

公开(公告)号：CN1825540A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610023277.1

申请日：2006-01-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 魏光普 ,  史伟民 ,  邱永华 ,  葛艳辉

IPC: H01L21/203 ,  H01L31/18 ,  C23C14/24

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种提高硫化锡半导体薄膜电导率的方法，属半导体薄膜制备及改性处理技术领域。本发明方法具有以下工艺过程和步骤：(1)在高纯度的硫化锡粉末中掺加入0.2～1.2wt％的金属锑粉，并进行充分的研磨和混合；(2)然后将上述混合料放于钼舟中，在真空镀膜机内进行蒸发制膜，真空蒸发过程中的工艺参数为：真空度1.5～2.0×10－4pa、基片与蒸发源的距离10cm、蒸发源温度1100℃，最终可在基片上获得高电导率的硫化锡半导体薄膜。

公开(公告)号：CN100485005C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610023279.0

申请日：2006-01-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 魏光普 ,  史伟民 ,  葛艳辉 ,  郭浩进 ,  邱永华 ,  林飞燕

IPC: C09D127/12 ,  C09D7/12

Abstract: 本发明涉及一种能吸收太阳能的纳米硫化锡涂层材料的制备方法，属太阳能吸收涂层材料制备技术领域。本发明具有以下制备过程和步骤：将市售的氯化亚锡用去离子水配制成1mol/L的溶液A；再取硫代乙酰胺用去离子水配成1mol/L的溶液B；将A和B溶液以5∶4的体积比配制成A和B的混合溶液；随后用氨水调节pH值至8～9；在室温下使其反应，将沉淀物干燥后，球磨成纳米微粉，即为纳米硫化锡粉末；将上述制得的纳米硫化锡粉末和电损耗型吸收剂碳黑及铁氧体铁磁型吸收剂Fe2O3均匀混合，其配合质量比SnS∶C∶Fe2O3为1∶1∶1；采用氟碳树脂作为涂料基体，将步骤b所得的混合物与氟碳树脂按0.2∶1的重量比进行混合，搅拌均匀，即为纳米硫化锡涂层材料；固化剂异氰酸酯与纳米硫化锡涂层材料的重量比为1∶12，使用前加入并均匀混合。本发明方法制得的硫化锡涂层材料其耐久性长、耐候性较好。

公开(公告)号：CN100383413C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200510111338.5

申请日：2006-04-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 王志明 ,  李磊 ,  张洪欣 ,  魏光普

IPC: F16B47/00

Abstract: 本发明涉及一种单体太阳电池在线测试用防碎、防粘连吸盘。它由一个吸盘本体的底面上连接小吸盘和吸盘本体的侧面或顶面上连接的真空管接头构成，吸盘本体内有气路使所述的小吸盘与真空管接头连通，其特征在于所述的吸盘本体底面有多个所述的小吸盘，多个小吸盘离吸盘本体底面的高度，彼此间存在有效差值。本发明用于太阳电池片移栽过程稳定，电池片不破裂，片与片间不粘连。

公开(公告)号：CN100368159C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200510111337.0

申请日：2005-12-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 王志明 ,  李磊 ,  张洪欣 ,  魏光普

IPC: B25J15/12 ,  B25J13/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明涉及一种单体太阳电池在线测试用防碎、翻转机械手。它包括电机经传动机构驱动机构手爪，机械手爪为旋转式手爪，手爪表面附有缓冲覆层。本发明能适应单体太阳电池生产速度较快的特点，实现单体太阳电池片在移载、转移过程中翻转且防碎。

公开(公告)号：CN1775490A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510111337.0

申请日：2005-12-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 王志明 ,  李磊 ,  张洪欣 ,  魏光普

IPC: B25J15/12 ,  B25J13/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明涉及一种单体太阳电池在线测试用防碎、翻转机械手。它包括电机经传动机构驱动机构手爪，机械手爪为旋转式手爪，手爪表面附有缓冲覆层。本发明能适应单体太阳电池生产速度较快的特点，实现单体太阳电池片在移载、转移过程中翻转且防碎。

公开(公告)号：CN100568545C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200710045848.6

申请日：2007-09-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 郭余英 ,  史伟民 ,  郑耀明 ,  魏光普 ,  张瑜

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法，主要采用真空蒸发气相沉积方法来制备薄膜，属真空蒸发物理气相沉积工艺技术领域。本发明的特点是利用掺加杂质和热处理的办法来降低硫化锡薄膜的电阻率。本发明通过试验表明：当在SnS中掺杂0.2wt%的Sb2O3时，真空蒸发沉积所制得的薄膜在氢气氛围中再进行热处理，热处理的温度为400℃；热处理的时间为3小时；最终制得的SnS薄膜的电阻率为6.4Ω·cm，该SnS薄膜适用于作为太阳能电池的吸收层材料。

公开(公告)号：CN100390560C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200510111339.X

申请日：2005-12-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 王志明 ,  李磊 ,  张洪欣 ,  魏光普

IPC: G01R31/36

Abstract: 本发明涉及一种单体太阳电池在线测试用防碎移栽吸盘。它由吸盘体和与其连接的真空接头组成，真空接头经吸盘体内的气路连通吸盘体底面的真空吸附孔，所述的吸盘体底面有均布的多个真空吸附孔；吸盘体底面有缓冲覆层。本发明能使移栽过程稳定，工作可靠，解决在单体太阳电池在线测试过程中因材料原因而产生的脆碎问题。

公开(公告)号：CN101127375A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710045848.6

申请日：2007-09-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 郭余英 ,  史伟民 ,  郑耀明 ,  魏光普 ,  张瑜

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法，主要采用真空蒸发气相沉积方法来制备薄膜，属真空蒸发物理气相沉积工艺技术领域。本发明的特点是利用掺加杂质和热处理的办法来降低硫化锡薄膜的电阻率。本发明通过试验表明：当在SnS中掺杂0.2wt％的Sb2O3时，真空蒸发沉积所制得的薄膜在氢气氛围中再进行热处理，热处理的温度为400℃；热处理的时间为3小时；最终制得的SnS薄膜的电阻率为6.4Ω·cm，该SnS薄膜适用于作为太阳能电池的吸收层材料。