公开(公告)号：CN103489749B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310111713.0

申请日：2013-04-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  戴文韫 ,  瞿晓雷 ,  邱宇峰 ,  史伟民

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种多循环快速热退火辅助金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将氯化镍溶于酒精和甲苯的混合溶液，并加入乙基纤维素，配成粘稠性溶液；将该溶液旋涂，随后在400℃退火2小时；再进行快速热退火处理，升温速率在150~200℃/s左右，将薄膜样品从室温升至600℃左右再恒温15s，然后自然冷却，待薄膜温度降到室温后再进行下一次快速热退火；经过三次快速热退火后可使非晶硅薄膜晶化。和传统固相晶化法和常规金属诱导晶化法相比，降低了退火温度，减少了残余金属污染物量，缩短了退火时间，工艺简单、成本低。

公开(公告)号：CN104022023A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410285021.2

申请日：2014-06-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  戴文韫 ,  惠朝先 ,  刘灿 ,  史伟民

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/30 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02683

Abstract: 本发明涉及准分子激光辅助醋酸镍溶液金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。以载玻片为衬底，用等离子体增强气相沉积法在衬底上沉积非晶硅薄膜；将醋酸镍溶于酒精和甲苯的混合溶液，并加入乙基纤维素，配置成粘稠性溶液；将所配置的溶液旋涂，随后在400℃~450℃退火1~2小时；然后将样品固定在载物台上，通过蝇眼整形后的193nm的ArF准分子激光对整个样品表面进行扫描处理，这样便实现了非晶硅薄膜的诱导晶化。和传统激光晶化法相比，降低了晶化所需的激光功率；和常规金属诱导晶化法相比，减少了残余金属污染物的量，缩短了退火时间，具有制备工艺简单、污染小和成本低等特点。因此本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。

公开(公告)号：CN102978590A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210487362.9

申请日：2012-11-27

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  瞿晓雷 ,  史伟民 ,  戴文韫 ,  袁安东

IPC: C23C16/56

Abstract: 本发明涉及多循环快速热退火晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在普通玻璃载片衬底上沉积非晶硅薄膜；随后进行快速热处理，升温速率在150-200℃/s左右，将薄膜样品从室温升至640℃后再恒温一段时间，然后自然冷却，当薄膜温度冷却到达室温时，再进行下一次循环；经过多次快速热退火后晶化非晶硅薄膜。用该方法可制得晶化率在71.9%左右的多晶硅薄膜。和传统的固相晶化非晶硅薄膜工艺相比，该方法在降低了对衬底要求的同时，也缩短了处理时间，具有制备工艺简单、污染小和成本低等特点。因此用本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。

公开(公告)号：CN104993010A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510189550.7

申请日：2015-04-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  惠朝先 ,  戴文韫 ,  刘灿 ,  吕康 ,  李嘉诚 ,  史伟民

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种AZO/Ag/AZO薄膜太阳能电池前电极的制备方法，利用物理溅射制备AZO层，利用化学实验的方法制备银纳米颗粒等离子体，并通过控制实验条件来形成不同大小、尺寸、形状的纳米颗粒、纳米线等。本发明综合了物理磁控溅射和液相化学还原方法，分别获得了三层膜中的AZO层和Ag纳米颗粒层，利用此方法获得的薄膜太阳电池前电极，在银纳米颗粒等离子体共振吸收方面的应用上将会有较大的发展空间。在化学还原法中利用还原性的有机化学溶剂，可以很好的实现银离子的分离与还原，然后通过不同的还原剂浓度、反应温度、生长周期等可以实现纳米颗粒、纳米线的制备。

公开(公告)号：CN103489749A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310111713.0

申请日：2013-04-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  戴文韫 ,  瞿晓雷 ,  邱宇峰 ,  史伟民

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532

Abstract: 本发明涉及一种多循环快速热退火辅助金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将氯化镍溶于酒精和甲苯的混合溶液，并加入乙基纤维素，配成粘稠性溶液；将该溶液旋涂，随后在400℃退火2小时；再进行快速热退火处理，升温速率在150~200℃/s左右，将薄膜样品从室温升至600℃左右再恒温15s，然后自然冷却，待薄膜温度降到室温后再进行下一次快速热退火；经过三次快速热退火后可使非晶硅薄膜晶化。和传统固相晶化法和常规金属诱导晶化法相比，降低了退火温度，减少了残余金属污染物量，缩短了退火时间，工艺简单、成本低。