公开(公告)号：CN105974699B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201610493244.7

申请日：2016-06-29

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 林碧芬 ,  甘启明

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: G02F1/136204 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02669 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种阵列基板，包括：依次层叠设置的基板、公共电极层、隔离层、栅极层、第一绝缘层、数据线层、第二绝缘层、第一透明电极、第三绝缘层和第二透明电极，所述隔离层上设有第一过孔，所述第一绝缘层上设有第二过孔，所述第二绝缘层设有第三过孔和与所述第二过孔连通的第四过孔，所述第一透明电极经所述第一过孔、所述第二过孔和所述第四过孔连接至所述公共电极层，所述第三绝缘层设有与所述第三过孔连通的第五过孔，所述第二透明电极经所述第五过孔和所述第三过孔与所述数据线层连接。本发明中将栅极线层和公共电极层设置在不同的导电层中，避免了由于两者距离过近造成的短路形成线类不良异常，提升了液晶显示面板的稳定性。

公开(公告)号：CN107851585A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201780002399.9

申请日：2017-03-28

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 申东明 ,  全相起 ,  李范祐

IPC: H01L21/465 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/479 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/306 ,  H01L21/465 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/76865

Abstract: 本发明涉及一种使用电场吸附方案去除异物的系统和方法，该系统和方法在去除膜表面上的异物的处理过程中，能够通过使用微电流(数微安)电压驱动方法的电场吸附方案，而不是诸如等离子体放电处理、电晕放电处理和空气吹风处理等的对膜的表面造成损坏的表面处理方法，来容易地吸附并去除膜表面上的异物的，并且特别地，该系统和方法排除高压放电处理等，从而降低了操作者的安全事故的发生率，并且防止了膜的表面被划伤。

公开(公告)号：CN104704617B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201380053394.0

申请日：2013-12-16

Applicant: 弗立泽姆公司 ,  瑞士材料科学技术研究所

Inventor： 阿德里安·希里拉 ,  史蒂芬·布撤勒 ,  费边·皮内泽 ,  帕特里克·莱因哈德 ,  阿约蒂亚·纳什·蒂瓦里

IPC: H01L21/36 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L31/0323 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/18

Abstract: 用于制造薄膜光电装置(100)的方法(200)和沉积区设备(300)，该方法包括：提供一个钾不扩散衬底(110)；形成一个背接触层(120)；形成至少一个吸收层(130)，该吸收层由一种ABC硫族化物材料制成；添加至少两种不同的碱金属；以及形成至少一个前接触层(150)，其中所述至少两种不同的碱金属中的一者是钾并且其中，在形成所述前接触层之后，在从背接触层(120)(不包括背接触层(120))到前接触层(150)(包括前接触层(150))的层区间(470)中，由添加至少两种不同的碱金属产生的包含量对于钾是在500到10000ppm的范围内，并且对于所述至少两种不同的碱金属中的另一者是在5到2000ppm的范围内并且是该钾的包含量的至多1/2并且至少1/2000。该方法(200)和设备(300)对于以高光伏转化效率和更快的生产速率在柔性衬底上更环境友好地生产光伏装置(100)是有利的。

公开(公告)号：CN107256825A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710536600.3

申请日：2017-07-04

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 祁一晗 ,  刘辉 ,  郝秋艳 ,  刘彩池 ,  任刚 ,  陈秋颖

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  C23C18/48

CPC classification number: H01L21/02422 ,  C23C18/48 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0326

Abstract: 本发明为一种基于多元醇纳米晶墨水制备铜锌锡硒薄膜的方法。该方法包括以下步骤：将铜的二元纳米晶粉末、锌的二元纳米晶粉末、锡的二元纳米晶粉末超声分散于无水乙醇中，得到分散液；溶液中摩尔比Cu：Zn：Sn＝2:1:1；再将前驱溶液经过拉膜的工艺制备1.2～2.0微米厚铜锌锡硒前驱薄膜，再经过硒化热处理，得到厚度为1.0～1.8微米厚的铜锌锡硒薄膜。本发明工艺简单并且多元醇体系低毒低成本；改善了肼溶液作为溶剂剧毒的特性以及目前普遍采用的物理法成本高、材料利用率低且最终成膜不均匀的现象。

公开(公告)号：CN107207310A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580075510.8

申请日：2015-12-07

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： T·J·基克辛斯基 ,  S·J·蔻瑟巴 ,  N·文卡特拉曼

IPC: C03B17/06 ,  C03B25/08 ,  C03B25/12 ,  C03B32/00 ,  C03C3/093 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/091 ,  H01L21/02

CPC classification number: B32B17/06 ,  B32B2250/03 ,  C03B17/02 ,  C03B17/064 ,  C03B17/067 ,  C03B25/08 ,  C03B25/12 ,  C03B32/00 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093

Abstract: 强化玻璃制品(100)，例如用于p‑Si基晶体管的基材，包括第一和第二玻璃包覆层(104、106)以及布置在其间的玻璃芯层(102)。可以由相同玻璃制造的各包覆层(104、106)的热膨胀系数[CTE]至少比芯层(102)的CTE小1x10‑7℃‑1。芯层和包覆层的应变点分别小于700℃。玻璃制品(100)的压缩至多约20ppm[参见图1]。一种方法包括形成玻璃制品和/或加热玻璃制品至至少约400℃的第一温度。玻璃制品具有玻璃芯层(102)和与芯层相邻的玻璃包覆层(104、106)。玻璃制品在400‑600℃的温度范围内维持30‑90分钟的保持时间段，之后在30秒至5分钟的冷却时间段内冷却到至多50℃的温度。可以通过熔合溢流下拉工艺生产用于热强化的玻璃制品(100)，例如参见图3所示。

公开(公告)号：CN107068545A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710167835.X

申请日：2017-03-20

Applicant: 迪夫泰克激光公司

Inventor： 道格拉斯·R·迪卡尔

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02422 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/0243

Abstract: 某些电子应用，例如，有机发光二极管显示背板，要求在大面积上分布高品质半导体材料小岛。该面积超出了利用传统的基于晶锭的技术所能够制造的晶体半导体晶片的面积。本申请提供了一种岛状材料晶体岛的制造方法，该方法包括将岛状材料颗粒沉积在基板上，加热基板和岛状材料颗粒以熔化和融合颗粒从而形成熔球，然后冷却基板和熔球使熔球结晶，从而将岛状材料晶体岛固定在基板上。该方法可以用于在大面积范围内制造晶体岛阵列，远超基于传统晶锭技术所能制造的晶体半导体晶片面积。

公开(公告)号：CN104221126B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201380007966.1

申请日：2013-01-03

Applicant: 道达尔销售服务公司 ,  科学研究国家中心 ,  综合工科学校

Inventor： L·于 ,  P·罗卡伊 ,  卡瓦鲁卡斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L31/182 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/167 ,  H01L29/24 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及在基底上(2)低温制造径向电子结半导体纳米结构的方法，包括步骤：a)在基底(2)上形成金属集聚物(2)，该金属集聚物能电掺杂第一半导体材料；b)在存在第一半导体材料的一种或多种非掺杂剂前体气体的条件下气相生长掺杂的半导体纳米线(1)，基底(2)被加热至金属集聚物处于液相的温度，掺杂的半导体纳米线(1)的气相生长被金属集聚物(3)催化；c)使残余金属集聚物(3)钝化；及d)在存在掺杂剂气体和一种或多种前体气体的条件下化学气相沉积第二半导体材料的至少一个薄层以在纳米线与至少一个掺杂薄膜之间形成至少一个径向电子结纳米结构。本发明还涉及包括多个根据本发明制造的径向电子结纳米结构的太阳能电池。

公开(公告)号：CN104037066B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201410294517.6

申请日：2014-06-25

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 余威 ,  王烨文 ,  李泳锐

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686

Abstract: 本发明提供一种定义多晶硅生长方向的方法，包括：步骤1、提供一玻璃基板(1)；步骤2、在玻璃基板(1)上形成一缓冲层(3)；步骤3、在缓冲层(3)上形成一金属膜层(5)；步骤4、对金属膜层(5)进行蚀刻，形成金属膜阵列(51)；步骤5、在缓冲层(3)上覆盖一层高纯度的石英掩膜(7)；步骤6、在高纯度石英掩膜(7)与金属膜阵列(51)上形成一石墨烯层(9)；步骤7、对石墨烯层(9)进行蚀刻，形成石墨烯层阵列(91)；步骤8、在缓冲层(3)上生长非晶硅薄膜(2)；步骤9、对非晶硅薄膜(2)进行高温去氢处理；步骤10、对非晶硅薄膜(2)进行ELA准分子激光退火处理；步骤11、熔化后的非晶硅进行重结晶。

公开(公告)号：CN106653577A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201710048551.9

申请日：2017-01-23

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 李丽波 ,  王福日 ,  杨雪莹 ,  王文涛

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/1836

Abstract: 一种电沉积制备n型半导体ZnO薄膜的方法，它涉及一种制备n型半导体ZnO薄膜的方法。本发明要解决现有方法制备透光性n型半导体ZnO薄膜对光的透过率低、工艺复杂等问题。本发明的方法如下：一、导电玻璃的前处理；二、电沉积制备n型半导体ZnO薄膜；三、ZnO薄膜的热处理。本发明的方法制备的n型半导体ZnO薄膜对光的透过率达到了80%，而且大大节省了生产成本，简化了生产工艺，还具有沉积速度快，操作安全等特征，非常适合大规模制备n型半导体ZnO薄膜。

公开(公告)号：CN104716218B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201310745979.0

申请日：2013-12-26

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 徐为哲 ,  张仕政

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1828 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543

Abstract: 本发明提供的太阳能电池，包括：基板；电极层，位于基板上；p型吸光层，位于电极层上；n型ZnS层，位于p型吸光层上；以及透明电极层，位于n型ZnS层上。将基板浸置于锌盐、螯合剂、以及硫代乙酰胺的酸性溶液中，可形成n型ZnS层于该基板上。