公开(公告)号：CN102956750A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210472790.4

申请日：2012-11-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 刘功龙 ,  马磊 ,  史伟民 ,  廖阳 ,  吕燕芳 ,  李季戎 ,  钱隽 ,  陶佳佳

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种多晶碘化汞探测器金钯材料电极制备方法，具体步骤如下：a.多晶碘化汞厚膜的生长，b.多晶碘化汞厚膜表面的处理，c.电极材料的制备，d.电极的热蒸发制备工艺。本发明工艺简单，易于操作，电极掩模板图形可变，可大面积探测器电极的制备。通过本电极制备方法制得的多晶碘化汞厚膜探测器具有漏电流小，探测效率高，X射线像素明显等优点。

公开(公告)号：CN103268904A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201310181487.3

申请日：2013-05-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  廖阳 ,  陶佳佳 ,  钱隽 ,  李季戎 ,  王国华 ,  陆舒逸

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/203

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及利用超声辅助物理气相沉积技术，生长多晶碘化汞薄膜，并在薄膜上制备了X射线探测器方法，属于以半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。该发明解决了制作碘化汞薄膜技术，与射线探测器制备工艺问题。此技术以经多次提纯后的碘化汞为原材料，采用物理气相沉积方法，制作了多晶碘化汞，并对其隔离大气，配置电极，又对薄膜器件进行有效封装，获得质佳的射线探测器。薄膜及制作的探测器经XRD、SEM、I-V等特性分析，表明气相沉积法可制得沿 晶向，柱状生长的多晶碘化汞薄膜，且获甚佳晶粒完整性及均匀性，探测器与金有良好的欧姆接触。本发明适用于对X射线及Gama射线等的检测，有潜在的实际应用价值。

公开(公告)号：CN102881764A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210332308.7

申请日：2012-09-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  刘功龙 ,  廖阳 ,  吕燕芳 ,  张月璐 ,  马磊 ,  陶佳佳

IPC: H01L31/18 ,  H01L27/146 ,  C23C14/06

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种X射线成像多晶碘化汞探测器的制备方法，主要是先通过物理气相沉积法生长多晶碘化汞厚膜，最后再经过电极的制备及探测器封装等步骤，属于半导体探测器制备工艺技术领域。通过本方法制得的多晶碘化汞厚膜探测器具有漏电流小，探测效率高，X射线像素明显等优点。通过I-V特性测试表明金电极与多晶碘化汞厚膜均形成良好的欧姆接触。同时对制备的探测器进行了电容频率和能谱响应特性等测试。结果表明所制得的探测器的信噪比可达到2，显示出了良好的信号噪声分辨率；所制备的多晶碘化汞厚膜探测器的电容都比较小；在室温下对5.9keV的55FeX射线、有较好的计数响应，并获得最佳的能量分辨率分别为4％。