一种ZnS包覆的ZnO纳米阵列核壳结构的制备方法

    公开(公告)号:CN102800747A

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN201210237891.3

    申请日:2012-07-11

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。生长出来的ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构可作为铜锌锡硫(CZTS)太阳能电池的窗口层。属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。本发明先采用磁控溅射法在掺杂氟的SnO2导电玻璃(FTO)上溅射ZnO晶种,接着使用真空管式炉,在N2气氛中对晶种进行热处理,温度为400℃,时间为20min。然后通过水热法生长ZnO纳米阵列,生长溶液为0.05mol/L硝酸锌水溶液和0.05mol/L六亚甲基四胺(HMT)的水溶液。最后,通过水热法硫化生长ZnS壳层结构,生长溶液为0.05~0.50mol/L硫代乙酰胺(TAA)的水溶液,在水热反应釜中硫化1~9小时后取出,然后放入烘箱烘干,即可得到ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构。

    一种基于手表表带的充电装置

    公开(公告)号:CN104617618A

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201510034451.1

    申请日:2015-01-23

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: H02J7/32 H01L35/28 H02N11/002

    Abstract: 本发明涉及一种基于手表表带的充电装置,属于环保供电技术领域。充电装置组装方法为将以碲化锌及其合金为主题材料制作的温差发电晶片加工成手表表链,通过卡扣将每个发电晶片连接起来,实现各个发电模块的串联以达到足够大的电压。将得到的电能通过稳压放大模块和充电模块连接到表盘的锂电池和外接接口上。锂电池连接到表盘中的耗电设备。该种装置可以通过人体表皮与周围环境温度差实现温差发电,可以实现无时无刻为锂电池或者外界电路充电,是一种便携式利用绿色资源的环保供电装置。通过组装可以得到利用温差发电得到的电能为表盘中的电子表永久供电,同时也可以为外接的小型蓝牙耳机进行充电。

    自支撑CdZnTe薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN104952972A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201510174196.0

    申请日:2015-04-14

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: H01L31/1832

    Abstract: 本发明公开了一种自支撑CdZnTe薄膜的制备方法,采用近空间升华方法,通过对沉积后的薄膜进行后处理,来分离薄膜与衬底,获取连续平整的样品。本发明工艺以CdZnTe单晶切片为升华源,通过表面处理获得理想的欧姆电极接触。该方法具有工艺简单、成本更低、可重复性高等特点,可以制备不受衬底尺寸限制,灵活应用于大面积、低漏电流的辐射探测器的薄膜,有望使得辐射探测器的制造技术更加简便。

    平面型核辐射探测器件的制备方法及可携带式核辐射探测装置

    公开(公告)号:CN104730559A

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201510134207.2

    申请日:2015-03-26

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种平面型核辐射探测器件的制备方法,具体为采用CdZnTe晶片制备方法或CdZnTe薄膜制备方法制备平面型核辐射探测器件。本发明还公开了一种可携带式核辐射探测装置,包括探测器感应装置1、前级放大电路2、后级主放大电路3、模拟数字转换电路4、单片机处理器5、显示模块6、报警模块7和USB接口模块8,采用CdZnTe材料作为感应核辐射粒子射线的核辐射吸收层,具有平面式叉指电极结构,在电源模块9中还设有输出的电压为5-50V的DC/DC电压转换模块,核辐射探测装置集成为能够安装在使用者随身携带的物品上的小型器件。本发明方便携带,能实时报警,可长期可持续供电,适合于野外作业,适用于国防军事和有核辐射的民用场合。

    自支撑CdZnTe薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN104952972B

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201510174196.0

    申请日:2015-04-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种自支撑CdZnTe薄膜的制备方法,采用近空间升华方法,通过对沉积后的薄膜进行后处理,来分离薄膜与衬底,获取连续平整的样品。本发明工艺以CdZnTe单晶切片为升华源,通过表面处理获得理想的欧姆电极接触。该方法具有工艺简单、成本更低、可重复性高等特点,可以制备不受衬底尺寸限制,灵活应用于大面积、低漏电流的辐射探测器的薄膜,有望使得辐射探测器的制造技术更加简便。

    X射线成像多晶碘化汞探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN102881764A

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:CN201210332308.7

    申请日:2012-09-11

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及一种X射线成像多晶碘化汞探测器的制备方法,主要是先通过物理气相沉积法生长多晶碘化汞厚膜,最后再经过电极的制备及探测器封装等步骤,属于半导体探测器制备工艺技术领域。通过本方法制得的多晶碘化汞厚膜探测器具有漏电流小,探测效率高,X射线像素明显等优点。通过I-V特性测试表明金电极与多晶碘化汞厚膜均形成良好的欧姆接触。同时对制备的探测器进行了电容频率和能谱响应特性等测试。结果表明所制得的探测器的信噪比可达到2,显示出了良好的信号噪声分辨率;所制备的多晶碘化汞厚膜探测器的电容都比较小;在室温下对5.9keV的55FeX射线、有较好的计数响应,并获得最佳的能量分辨率分别为4%。

    纳米级多晶碘化汞晶种层薄膜的制备方法及其专用制备装置

    公开(公告)号:CN102650050A

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:CN201210148775.4

    申请日:2012-05-15

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种纳米级多晶碘化汞晶种层薄膜的制备方法,采用电磁搅拌和温度调节方法对反应溶液化学平衡进行控制,加快化学液相沉积的过程。本发明还公开了一种纳米级多晶碘化汞晶种层薄膜制备装置,主要包括反应容器、恒温系统和加速溶液反应系统,恒温系统为油浴温度控制系统,油浴温度控制系统包括油浴容器、加热器和油浴温度控制器,油浴温度控制器监测储热油的温度,并控制加热器的热量输出,该加速溶液反应系统为电磁搅拌系统,电磁搅拌系统对反应溶液施加电磁搅拌;反应容器内部保持非真空气氛。该装置结构简单,可重复使用,易于操作,不受外界温度的影响,可制备大面积多晶碘化汞晶种层薄膜,成品率高,适用于批量制备。

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