-
公开(公告)号:CN103311105A
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN201310181115.0
申请日:2013-05-16
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/203 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种铝在低温下诱导非晶硅制备多晶硅薄膜的方法,其属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用,在低温下通过两步退火法,将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜,以减少金属沾污。其主要技术方案是:首先在玻璃上作为生长衬底,后续依次制备非晶硅、二氧化硅及铝膜,形成多重界面的结构。然后,进行两步退火,先进行快退,后续将样品置退火炉中进行慢退火、再腐蚀去铝,并用氮气吹干。最后可制得铝诱导晶化的多晶硅薄膜,晶粒大小约为50-200nm。本发明可有效缓解金属诱导晶化(MIC)技术中,金属污染,适用于场效应晶体管和薄膜太阳能电池等光电器件制备。
-
公开(公告)号:CN102689920A
公开(公告)日:2012-09-26
申请号:CN201210204656.6
申请日:2012-06-20
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明一种溶剂热合成铜锌锡硫材料的方法,属于光电材料制备技术领域。本发明包括如下步骤:硫粉和金属铜锌锡盐分别溶于乙二胺和醇类有机溶剂中,在氮气的保护下将两种溶液混合,然后将混合溶液放入耐高压反应釜中,在180-240℃反应6-48小时,经离心、干燥后即可得到纯相的铜锌锡硫粉体。本发明方法采用混合溶剂,重复性好,成本低,易分离,适用于大规模生产。
-
公开(公告)号:CN102709404A
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN201210205718.5
申请日:2012-06-21
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅薄膜的制备方法,具体来说就是利用金属铜的催化作用在低温下通过循环退火将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜。本发明的主要技术方案是首先在玻璃衬底上生长衬底/非晶硅/二氧化硅/铜膜的结构,然后进行循环式退火,第一次退火完成之后将样品置于腐蚀液中腐蚀并再次循环式退火、腐蚀,并用氮气吹干。最后可制得铜诱导晶化的多晶硅薄膜,晶粒大小约为50-200nm。本发明可缓解现有金属诱导晶化(MIC)技术中金属重污染的问题,并适用于薄膜场效应晶体管和薄膜太阳能电池领域。
-
-