铝在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103311105A

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201310181115.0

    申请日:2013-05-16

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种铝在低温下诱导非晶硅制备多晶硅薄膜的方法,其属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用,在低温下通过两步退火法,将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜,以减少金属沾污。其主要技术方案是:首先在玻璃上作为生长衬底,后续依次制备非晶硅、二氧化硅及铝膜,形成多重界面的结构。然后,进行两步退火,先进行快退,后续将样品置退火炉中进行慢退火、再腐蚀去铝,并用氮气吹干。最后可制得铝诱导晶化的多晶硅薄膜,晶粒大小约为50-200nm。本发明可有效缓解金属诱导晶化(MIC)技术中,金属污染,适用于场效应晶体管和薄膜太阳能电池等光电器件制备。

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