公开(公告)号：CN1800280A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200610023279.0

申请日：2006-01-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 魏光普 ,  史伟民 ,  葛艳辉 ,  郭浩进 ,  邱永华 ,  林飞燕

IPC: C09D127/12 ,  C09D7/12

Abstract: 本发明涉及一种能吸收太阳能的纳米硫化锡涂层材料的制备方法，属太阳能吸收涂层材料制备技术领域。本发明具有以下制备过程和步骤：(1)取氯化亚锡及硫代乙酰胺分别用去离子水配制成1mol/L的溶液，将该两种溶液以5∶4的体积比相混合，用氨水调节pH值至8～9，在室温下使其反应，即可获得纳米硫化锡粉末；(2)然后采用粘结剂氟碳树脂和固化剂异氰酸脂以10∶1的重量比相混合，得混合料；将上述所得的纳米硫化锡粉末加入到上述的混合料中，其配比为0.2∶1；(3)然后在上述硫化锡配合料中再加入碳黑和磁性氧化铁吸收剂，其配合的质量比SnS∶C∶Fe2O3为1∶1∶1；混合均匀后最终制成纳米硫化锡涂层材料。

公开(公告)号：CN100485005C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610023279.0

申请日：2006-01-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 魏光普 ,  史伟民 ,  葛艳辉 ,  郭浩进 ,  邱永华 ,  林飞燕

IPC: C09D127/12 ,  C09D7/12

Abstract: 本发明涉及一种能吸收太阳能的纳米硫化锡涂层材料的制备方法，属太阳能吸收涂层材料制备技术领域。本发明具有以下制备过程和步骤：将市售的氯化亚锡用去离子水配制成1mol/L的溶液A；再取硫代乙酰胺用去离子水配成1mol/L的溶液B；将A和B溶液以5∶4的体积比配制成A和B的混合溶液；随后用氨水调节pH值至8～9；在室温下使其反应，将沉淀物干燥后，球磨成纳米微粉，即为纳米硫化锡粉末；将上述制得的纳米硫化锡粉末和电损耗型吸收剂碳黑及铁氧体铁磁型吸收剂Fe2O3均匀混合，其配合质量比SnS∶C∶Fe2O3为1∶1∶1；采用氟碳树脂作为涂料基体，将步骤b所得的混合物与氟碳树脂按0.2∶1的重量比进行混合，搅拌均匀，即为纳米硫化锡涂层材料；固化剂异氰酸酯与纳米硫化锡涂层材料的重量比为1∶12，使用前加入并均匀混合。本发明方法制得的硫化锡涂层材料其耐久性长、耐候性较好。

公开(公告)号：CN100358111C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200610023277.1

申请日：2006-01-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 魏光普 ,  史伟民 ,  邱永华 ,  葛艳辉

IPC: H01L21/203 ,  H01L31/18 ,  C23C14/24

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种提高硫化锡半导体薄膜电导率的方法，属半导体薄膜制备及改性处理技术领域。本发明方法具有以下工艺过程和步骤：(1)在高纯度的硫化锡粉末中掺加入0.2～1.2wt%的金属锑粉，并进行充分的研磨和混合；(2)然后将上述混合料放于钼舟中，在真空镀膜机内进行蒸发制膜，真空蒸发过程中的工艺参数为：真空度1.5～2.0×10-4Pa、基片与蒸发源的距离10cm、蒸发源温度1100℃，最终可在基片上获得高电导率的硫化锡半导体薄膜。

公开(公告)号：CN1825540A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610023277.1

申请日：2006-01-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 魏光普 ,  史伟民 ,  邱永华 ,  葛艳辉

IPC: H01L21/203 ,  H01L31/18 ,  C23C14/24

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种提高硫化锡半导体薄膜电导率的方法，属半导体薄膜制备及改性处理技术领域。本发明方法具有以下工艺过程和步骤：(1)在高纯度的硫化锡粉末中掺加入0.2～1.2wt％的金属锑粉，并进行充分的研磨和混合；(2)然后将上述混合料放于钼舟中，在真空镀膜机内进行蒸发制膜，真空蒸发过程中的工艺参数为：真空度1.5～2.0×10－4pa、基片与蒸发源的距离10cm、蒸发源温度1100℃，最终可在基片上获得高电导率的硫化锡半导体薄膜。