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公开(公告)号：CN113990983A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111243682.5
申请日：2021-10-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/102 , H01L31/108
Abstract: 本发明提供一种光吸收能力强的光敏二极管及其制备方法，在晶圆表面的接触孔和受光区域中生长介质层，得到受光区域的增透膜结构；然后对介质层进行第二次接触孔光刻，得到欧姆接触孔；然后在晶圆表面溅射金属薄膜，进行第一次光刻、刻蚀工艺保留受光区域和欧姆接触孔上的顶层金属层；然后在晶圆表面淀积钝化层，并将受光区域上的钝化层去掉；然后在晶圆表面受光区域的顶层金属层进行第二次光刻、刻蚀工艺，去掉受光区域的金属薄膜，退火，得到光敏二极管，通过上述方法本发明实现调节光敏二极管受光区增透膜材料和结构的目的，从而增强光敏二极管对指定波长光线的吸收能力，提高光敏二极管的电流传输比(CTR)，最终提升光电耦合器传输特性。
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公开(公告)号：CN109872853A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910132465.5
申请日：2019-02-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了本发明的一种CrSi2薄膜电阻，通过CrSi2薄膜电阻结构设计和激光修调方法的优化，开发五级并联可调区和两个连续修调可调区的电阻设计结构，使修调后大部分打断的CrSi2薄膜电阻均不参与导电，将激光修调对CrSi2薄膜电阻稳定性的影响降到最小；本发明还公开了一种CrSi2薄膜电阻的激光修调方法，修调时根据电阻实际值选择打断或修调不同可调区；修调过程中当测试精度超过激光修调机本身的精度时，用外接测量表测试修调后的精度，克服了激光修调机精度分辨率对测量数据的制约，进一步提高精度，修调后CrSi2薄膜电阻温度系数达到±10ppm/℃，电阻精度达到±0.01％。
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公开(公告)号：CN119917331A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510009575.8
申请日：2025-01-03
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本申请公开一种复位电路、控制方法及其电子设备，包括控制器和逻辑门电路组合，控制器包括定时器电路、第一处理器、第二处理器以及芯片。逻辑门电路组合，用于根据接收的定时器电路、第一处理器、第二处理器以及外部控制信号，通过组合逻辑控制产生复位信号，并分别输出至第一处理器和第二处理器。外部控制信号包括ZL_RST#信号和ZL_FRST_EN#信号，以实现定时器电路、第一处理器、第二处理器之间的复位控制，使得第一处理器和第二处理器能够单独或同时被复位。本申请设计简单，能够灵活性地解决各核心器件间复位不同步或是可靠性差的问题，降低了功耗，提高了可靠性，能够满足中长期加电和高性能星载计算机的使用需求。
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公开(公告)号：CN116260105A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310113984.3
申请日：2023-02-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种双极欠压锁定保护电路，包括电阻比例电流镜和启动电路，电阻比例电流镜包括LPNP1管、LPNP2管和LPNP3管，LPNP1管发射极通过电阻R1与电源Vcc连接，LPNP2管发射极通过电阻R2与电源Vcc连接；LPNP2管与LPNP3管共基极，LPNP2管集电极LPNP3管发射极连接，LPNP3集电极通过电阻R3接地；LPNP2管集电极与偏置电路以及电流源连接；偏置电路和电流源分别与达林顿管的集电极和基极连接，达林顿管的发射极与电阻R9第一端连接，R9第二端与NPN19管的集电极连接，NPN19管的基极与集电极连接，发射极接地；具有工艺简单、功耗低、阈值电压精度高、可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN113992162A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111276011.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构，包括运算放大器的输入级电路，所述输入级电路中的输入差分对管采用三极管QD1和三极管QD2形成输入NPN对管；输入NPN对管的版图结构采用四管交叉结构；三极管QD1和三极管QD2的发射极与集电极之间设置有铝线，发射极与铝线的间距为5‑8μm。通过在运算放大器的输入级电路中将输入NPN对管的版图采用四管交叉(共重心)结构，版图结构上要求四管必须足够靠近并将面积裕量用来增加发射极面积以减小失调和噪声电压。本发明中利用现有NPN管设计面积，结合工艺规则，输入NPN对管的版图结构进行修正，实现国产电路辐照后参数合格。并且本发明的版图结构改进后不影响电路其他性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109872853B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201910132465.5
申请日：2019-02-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了本发明的一种CrSi2薄膜电阻，通过CrSi2薄膜电阻结构设计和激光修调方法的优化，开发五级并联可调区和两个连续修调可调区的电阻设计结构，使修调后大部分打断的CrSi2薄膜电阻均不参与导电，将激光修调对CrSi2薄膜电阻稳定性的影响降到最小；本发明还公开了一种CrSi2薄膜电阻的激光修调方法，修调时根据电阻实际值选择打断或修调不同可调区；修调过程中当测试精度超过激光修调机本身的精度时，用外接测量表测试修调后的精度，克服了激光修调机精度分辨率对测量数据的制约，进一步提高精度，修调后CrSi2薄膜电阻温度系数达到±10ppm/℃，电阻精度达到±0.01％。
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公开(公告)号：CN113394301B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110657287.5
申请日：2021-06-11
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , G02B5/08 , G02B1/11
Abstract: 本发明提供了一种提高光电耦合器光学特性的介质膜层制备方法及结构，基于现有主流半导体钝化膜制备工艺条件，通过对主流半导体钝化材料二氧化硅SiO2和氮化硅Si3N4光学特性的进行优化计算，本发明涉及的膜结构能够在特定红外波段范围内提高介质膜的光学特性。与现行主流钝化工艺相比较，解决了受光区钝化层整体低反射曲线无法满足范围覆盖的缺点。此外针对820nm～920nm近红外波段，可同时实现光耦接收芯片受光区的增透和非受光区的增反，在820nm～920nm波段，可将受光区平均透射率提升至96.83％同时可将非受光区的平均反射率由40％提高到77％并且拓宽了高反射率覆盖范围。针对5％～10％工艺误差，本发明设计的膜层结构具有较宽松的工艺实施性。
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公开(公告)号：CN111521925B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202010364331.9
申请日：2020-04-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种4M 1553总线收发器系统级测试系统及测试方法，采用电阻网络单元、第一变压器单元和第二变压器单元组成4M 1553总线收发器系统级的测试系统，采用电阻网络单元作为收发器输出信号端的输出幅值调节，结合变压器单元实现信号的稳定传输，可覆盖4M 1553总线通信所有的应用环境下收发器的测试，电路结构简单，集成度好，测试结果准确，相对于搭建通信网络的测试方法，能够极大程度的降低了测试系统开发成本及周期，并且测试验证全面、可靠，为4M 1553总线收发器的应用发展提供了测试可靠性保证。
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公开(公告)号：CN113220062A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110500674.8
申请日：2021-05-08
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种双极线性稳压器的过温保护电路，属于过温保护领域。一种双极线性稳压器的过温保护电路，由温度传感器电路、采样反馈电路和输出电路构成。本发明的双极线性稳压器的过温保护电路，通过引入电流反馈回路，使电路具有的温度滞回特性，避免了在温度保护点处被保护电路的频繁开启，芯片结温不能充分降温，电路不能返回到正常工作状态，本发明适用于低电源电压。采用本发明的过温保护电路可以精确识别双极线性稳压器及其它模拟电路芯片结温是否超出安全工作区。本发明采用双极工艺设计实现，电路结构简洁，使用的元器件数量少，物理设计面积小。
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公开(公告)号：CN109634343A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910091058.4
申请日：2019-01-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于模拟集成片上二次电源技术领域，具体涉及一种由带隙基准结构为核心的片上二次电源供电结构，以带隙基准为核心结构，通过比例电阻将带隙基准电压放大到其需要的二次电源电压，并在其基础上增加驱动线路模块，得到具有一定驱动能力的二次电源供电结构。该实现电路结构简单、易于在各种工艺上移植，该结构可适配多种应用条件，并具有较好的温度系数，满足在极端温度条件下正常工作的需求。
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