公开(公告)号：CN116260105A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310113984.3

申请日：2023-02-14

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 鲁亚翠 ,  白欢利 ,  李新瑞 ,  尤路 ,  魏海龙 ,  王勇

IPC: H02H3/24 ,  H02H1/00 ,  H02M1/088 ,  H02H3/02

Abstract: 本发明公开了一种双极欠压锁定保护电路，包括电阻比例电流镜和启动电路，电阻比例电流镜包括LPNP1管、LPNP2管和LPNP3管，LPNP1管发射极通过电阻R1与电源Vcc连接，LPNP2管发射极通过电阻R2与电源Vcc连接；LPNP2管与LPNP3管共基极，LPNP2管集电极LPNP3管发射极连接，LPNP3集电极通过电阻R3接地；LPNP2管集电极与偏置电路以及电流源连接；偏置电路和电流源分别与达林顿管的集电极和基极连接，达林顿管的发射极与电阻R9第一端连接，R9第二端与NPN19管的集电极连接，NPN19管的基极与集电极连接，发射极接地；具有工艺简单、功耗低、阈值电压精度高、可靠性高的特点。

公开(公告)号：CN119105613A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411258140.9

申请日：2024-09-09

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 鲁亚翠 ,  李新瑞 ,  白欢利

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种电压不敏感的低温漂电流源，包括电源VCC，接地VEE，第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第一NPN管Q1，第二NPN管Q2，第三NPN管Q3，第四NPN管Q4，第五NPN管Q5，第一PNP管Q6，第二PNP管Q7，NJFET管Jn1。通过NJFET管提供启动电流，调整电阻比例及晶体管面积比，得到一种结构简洁，元器件用量少，可用于较宽工作电压范围的双极工艺电压不敏感的低温漂电流源，本发明电路能够采用纯双极工艺实现，实现简单，成本低。