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公开(公告)号：CN108447901A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810168020.8
申请日：2018-02-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种抗总剂量辐射PNP晶体管结构，包括p型衬底和设置在p型衬底内的n阱；p型衬底内设置与n阱间隔的第二p+区；n阱内分别间隔设置有第一p+区和n+注入区；第一p+区外环绕设置有环形多晶硅栅。本发明与常规CMOS工艺PNP晶体管相比较，由于采用了环形多晶硅环绕第一p+区，从而完全避免了现有技术中的厚场氧形成的p-n+结，消除了总剂量辐射效应，从而使得采用本发明的CMOS带隙基准的抗总剂量辐照能力在50rad(Si)/s剂量率下可达300krad(Si)。
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公开(公告)号：CN119374768A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411544235.7
申请日：2024-10-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了基于压力测量胶片的芯片粘接残余应力的测量结构和方法，涉及封装技术领域，包括粘接应力放大结构；所述粘接应力放大结构上方设置有压力测量胶片，所述压力测量胶片上设置有透明玻璃压块；所述粘接应力放大结构包括玻璃基板，所述玻璃基板上通过粘结剂粘贴有硅芯片，所述硅芯片和压力测量胶片之间设置有隔热膜。本发明可广泛适用于对各类粘接剂在不同粘接界面中粘接残余应力的分布情况和量化数据的可视化考量和评价，可有效指导对粘接残余应力敏感型集成电路产品在封装过程中粘接剂和涂覆图案的选择，对残余应力敏感型集成电路产品前期的封装工艺开发具有指导意义。
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公开(公告)号：CN117929804A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311811041.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及光耦在线调试技术领域，尤其涉及一种在线调试光耦传输比的工装及方法，步骤如下：步骤1：将光耦电路安装于测试夹具上，并粘接光耦电路与光耦盖板，获得待测电路；步骤2：将待测电路送入CTR调试工序，此时光耦电路连同PCB基板共同进入CTR调试工序；步骤3：将PCB基板插入控制开关盒，并连接控制开关和光耦测试仪，通过琴键式开关切换控制PCB基板上每个位置光耦电路每个通道的通断，并调整盖板安装位置进行CTR的在线实时调试，获得调试合格的光耦电路。本发明通过将光耦电路测试夹具矩阵式制作在PCB基板上并将各夹具的引腿并联引出，通过琴键式开关控制每只光耦每个通道的通断，制作生产‑测试通用工装，达到提升光耦电路组装效率的目标。
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公开(公告)号：CN117743050A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311725878.7
申请日：2023-12-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成电路电阻网络调值装置，包括基板和多个调值板卡；基板上设置有调值连接端口、多个调值板卡插槽、一个调值控制单元和一个调值信号连接器。调值连接端口、调值板卡插槽和调值板卡的数量均一致，每个调值连接端口对应连接一个调值板卡插槽，每个调值板卡插槽对应连接一个调值板卡，每个调值板卡上设置有多个调值单元，每个调值单元相互独立。调值板卡用金手指连接到调值板卡插槽，把调值板卡上的调值单元与调值连接端口相接。调值信号连接器用于接入调值资源和调值控制信号，调值控制单元对调值信号进行处理，并分配给各调值板卡上的各调值单元。本申请将调值装置小型化，有效缩短了调值连线长度，降低调值连线对测试的影响。
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公开(公告)号：CN108415506A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810169099.6
申请日：2018-02-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开一种抗γ瞬时电离剂量率辐射的LDO电路，包括误差放大器、输出驱动电路、反馈放大电路、输出调整管和采样电阻模块；误差放大器输出端经输出驱动电路连接输出调整管的驱动端；反相端连接基准电压源产生的参考电压；输出调整管的输入端连接输入电压，输出端输出输出电压；输出端经接地的采样电阻模块连接误差放大器的正相端，形成第一反馈环路；输出端经反馈放大电路连接输出驱动电路，形成第二反馈环路。能够有效减少LDO的输出电压在辐照瞬间发生扰动恢复时间。增强LDO电路对瞬时辐射引起输出电压变化的响应速度，提高LDO电路抗γ瞬时电离剂量率辐射能力；可以应用于任何LDO电路的抗瞬时辐射效应的加固设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119714637A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411610748.3
申请日：2024-11-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种残余应力的量化表征方法及其粘接应力放大结构，涉及封装技术领域，包括以下步骤：S1，剥离裸硅片表面的蓝膜；S2，通过拉曼光谱的选区测量对S1处理过的裸硅片进行表征；S3，把S1处理过的裸硅片通过气压将其吸附在点胶台上，使用粘接剂按照紧凑的回字形图案进行点胶，并且提高胶层厚度；S4，点胶完毕后，裸硅片上形成粘接剂层，在粘接剂层和粘接基底进行固化得到粘接应力放大结构；S5，通过拉曼光谱的选区测量对粘接应力放大结构的裸硅片进行表征；S6，得到拉曼光谱频移值Δwj，进而计算得到裸硅片所受的残余应力值。本发明有效地解决了常规芯片因尺寸和应力水平限制而难以进行准确拉曼光谱表征的难题。
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公开(公告)号：CN113220062B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110500674.8
申请日：2021-05-08
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种双极线性稳压器的过温保护电路，属于过温保护领域。一种双极线性稳压器的过温保护电路，由温度传感器电路、采样反馈电路和输出电路构成。本发明的双极线性稳压器的过温保护电路，通过引入电流反馈回路，使电路具有的温度滞回特性，避免了在温度保护点处被保护电路的频繁开启，芯片结温不能充分降温，电路不能返回到正常工作状态，本发明适用于低电源电压。采用本发明的过温保护电路可以精确识别双极线性稳压器及其它模拟电路芯片结温是否超出安全工作区。本发明采用双极工艺设计实现，电路结构简洁，使用的元器件数量少，物理设计面积小。
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公开(公告)号：CN108415506B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810169099.6
申请日：2018-02-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开一种抗γ瞬时电离剂量率辐射的LDO电路，包括误差放大器、输出驱动电路、反馈放大电路、输出调整管和采样电阻模块；误差放大器输出端经输出驱动电路连接输出调整管的驱动端；反相端连接基准电压源产生的参考电压；输出调整管的输入端连接输入电压，输出端输出输出电压；输出端经接地的采样电阻模块连接误差放大器的正相端，形成第一反馈环路；输出端经反馈放大电路连接输出驱动电路，形成第二反馈环路。能够有效减少LDO的输出电压在辐照瞬间发生扰动恢复时间。增强LDO电路对瞬时辐射引起输出电压变化的响应速度，提高LDO电路抗γ瞬时电离剂量率辐射能力；可以应用于任何LDO电路的抗瞬时辐射效应的加固设计。
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公开(公告)号：CN119833457A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510009585.1
申请日：2025-01-03
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于半导体集成电路封装技术领域，具体涉及一种针对熔封电路的盖板定位工装及其装配方法。采用钨铜作为定位工装的核心材料，其高硬度、高热导保证了工装在300‑350℃的高温下正常使用；定位柱对盖板和管壳有效限位，定位柱上的斜角结构，给盖板侧边焊料溢出提供了足够空间；该工装代替了人工使用镊子装配盖板的过程，电路在整个封装工序中腔体全程朝下，避免了镊子划伤盖板和误入腔体内碰丝的问题，也隔绝了外界因素对腔体内造成的污染、损伤，对外来多余物的防控起到至关重要的作用；工装与盖板表面接触的压力施加面仅会覆盖管壳封焊面区域，保证了熔封时焊料受力均匀，减少了因夹具造成的盖板压痕、蹭痕问题，进一步提升了产品的封装一致性。
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公开(公告)号：CN119703252A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510111154.6
申请日：2025-01-23
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种自动金锡熔封焊接工艺方法，设计了一种针对管座封焊面尺寸的环形吸嘴，可以拾取管座和盖板，并同时对封焊面提供焊接压力。通过对管座和盖板位置精准定位，实现高精度的对位，解决了盖板对位偏斜问题。通过吸嘴对焊接压力的精准控制，以及设备内加热台对温度的精准控制，保证了每一颗电路焊接工艺条件的一致性，在设备腔体内填充纯度大于99.999%的氮气，一方面保护了焊料在高温时不会被氧化，另一方面实现了密封后电路内部为纯氮气的目的，吸嘴表面进行镀金处理，与盖板表面镀金成分一致，保护高盖板表面镀金层在拾取过程中的损伤。
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