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公开(公告)号：CN116301151A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310070930.3
申请日：2023-01-28
Applicant: 西安微电子技术研究所 , 西北工业大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种具有低压输入输出特性的低压差宽带线性稳压器，属于电源管理集成电路领域。采用双差分放大器将线性稳压器输出分压后的电压信号与基准电压进行比较放大，推挽放大器对双差分放大器比较放大后的信号进行处理，控制功率晶体管的基极驱动电流，实现低压宽带稳压输出。本发明未采用片内电容进行稳压环路频率补偿，而利用双差分放大器、推挽放大器、功率晶体管及分压电阻组成高速稳压环路，功率晶体管基极串联电阻一方面实现功率元包阵列电流平衡，另一方面产生一个零点，抵消功率晶体管基极较大寄生电容产生的次极点，输出电容采用陶瓷电容产生输出极点，作为环路补偿电容实现稳压环路补偿，显著增强了负载瞬态响应能力。
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公开(公告)号：CN116260105A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310113984.3
申请日：2023-02-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种双极欠压锁定保护电路，包括电阻比例电流镜和启动电路，电阻比例电流镜包括LPNP1管、LPNP2管和LPNP3管，LPNP1管发射极通过电阻R1与电源Vcc连接，LPNP2管发射极通过电阻R2与电源Vcc连接；LPNP2管与LPNP3管共基极，LPNP2管集电极LPNP3管发射极连接，LPNP3集电极通过电阻R3接地；LPNP2管集电极与偏置电路以及电流源连接；偏置电路和电流源分别与达林顿管的集电极和基极连接，达林顿管的发射极与电阻R9第一端连接，R9第二端与NPN19管的集电极连接，NPN19管的基极与集电极连接，发射极接地；具有工艺简单、功耗低、阈值电压精度高、可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN111968971B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202010889839.0
申请日：2020-08-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种抗辐照的共岛LPNP和SPNP版图结构，包括LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、SPNP的发射极、基区复合墙、衬底、外延层沟道电阻和埋层；衬底的表面覆盖有外延层，外延层和衬底之间设置有埋层；外延层上排布有LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、基区复合墙和SPNP的发射极；基区复合墙将共岛的LPNP和SPNP分隔形成LPNP隔离岛和SPNP隔离岛，LPNP隔离岛和SPNP隔离岛之间通过外延层连通，形成外延层沟道电阻；LPNP的基极B通过外延层连接外延沟道电阻的一端，外延沟道电阻的另一端连接SPNP的基极。有效提高SPNP的电流放大倍数，提升抗辐照性能，并节约版图面积。该版图结构可推广应用于任一款低压抗辐照双极电路版图设计，有效降低芯片版图面积并提升抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN114070205A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111275872.5
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种低噪声的运算放大器电路，包括放大器电路，放大器均包括输入级电路、中间级电路和输出级电路。输入级电路采用差分对管结构提高输入阻抗、降低失调电压与温度漂移、建立良好的匹配直流工作点，完成输入电压的缓冲和首级放大；中间级电路采用折叠式共基级共发射级结构提高电压增益及输出摆幅；输出级电路采用参数相同的三极管以推挽的形式输出来扩展内部电流、提高后级驱动能力、增大输出摆幅；本发明采用改变电阻尺寸的方法优化输入电压噪声，多晶硅修调代替金属薄膜电阻激光修调，实现了电路高精度的特点。本发明的电路结构能够提高噪声性能，能够兼容现有的抗辐照标准双极工艺。
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公开(公告)号：CN113992162A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111276011.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构，包括运算放大器的输入级电路，所述输入级电路中的输入差分对管采用三极管QD1和三极管QD2形成输入NPN对管；输入NPN对管的版图结构采用四管交叉结构；三极管QD1和三极管QD2的发射极与集电极之间设置有铝线，发射极与铝线的间距为5‑8μm。通过在运算放大器的输入级电路中将输入NPN对管的版图采用四管交叉(共重心)结构，版图结构上要求四管必须足够靠近并将面积裕量用来增加发射极面积以减小失调和噪声电压。本发明中利用现有NPN管设计面积，结合工艺规则，输入NPN对管的版图结构进行修正，实现国产电路辐照后参数合格。并且本发明的版图结构改进后不影响电路其他性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113014208A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110271708.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03F1/52
Abstract: 本发明公开了一种输入端口相位翻转保护电路，包括电阻R5、电流源Iss、三极管Q5、三极管Q6、三极管Q7、三极管Q8和三极管Q9；三极管Q5的集电极连接负电源，三极管Q5的基极连接三极管Q5的发射极，三极管Q5的发射极连接三极管Q6的发射极，三极管Q6的基极连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端分别连接Q6的集电极、三极管Q7的基极和三极管Q7的发射极，电阻R5的一端连接电流源Iss的一端，电流源Iss的另一端连接正电源；三极管Q7的集电极分别连接三极管Q8的基极和三极管Q9的基极，三极管Q8的集电极和三极管Q9的集电极均连接正电源；三极管Q8的发射极连接运算放大器的正向输入对管的基极，三极管Q9的发射极连接运算放大器的反向输入对管的基极。
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公开(公告)号：CN111968971A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010889839.0
申请日：2020-08-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种抗辐照的共岛LPNP和SPNP版图结构，包括LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、SPNP的发射极、基区复合墙、衬底、外延层沟道电阻和埋层；衬底的表面覆盖有外延层，外延层和衬底之间设置有埋层；外延层上排布有LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、基区复合墙和SPNP的发射极；基区复合墙将共岛的LPNP和SPNP分隔形成LPNP隔离岛和SPNP隔离岛，LPNP隔离岛和SPNP隔离岛之间通过外延层连通，形成外延层沟道电阻；LPNP的基极B通过外延层连接外延沟道电阻的一端，外延沟道电阻的另一端连接SPNP的基极。有效提高SPNP的电流放大倍数，提升抗辐照性能，并节约版图面积。该版图结构可推广应用于任一款低压抗辐照双极电路版图设计，有效降低芯片版图面积并提升抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN116909343A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310926907.X
申请日：2023-07-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种高瞬态响应低压差线性稳压器及其控制方法，涉及集成电路设计领域，在PMOS管的体端增加电位调节电路，这与原有阻容反馈网络、误差放大器组成的控制环路相互独立，对IP1的调节速度是叠加关系。体端电位调节电路是逻辑电路与小型开关电路，静态功耗低、面积小，不影响低压差线性稳压器的效率、体积。在控制环路功耗不变、Class‑AB静态偏置电流不变、不增加额外功率管的情况下，利用开关型电位转换电路改变Class‑AB中NMOS管体电位，实现额外的LDO输出电流变化，从而提高LDO速度。本发明在不用大幅增加静态功耗的条件下提高输出电流IOUT调节速度，降低VOUT在输出负载跳变后的恢复时间。
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公开(公告)号：CN116388715A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310378296.X
申请日：2023-04-10
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种仪表放大器超低增益误差修调电路及方法。电阻R3的一端连接仪表放大器的RG1端，另一端连接节点A；电阻R4的一端连接节点A，另一端连接节点B；电阻R5的一端连接节点B，另一端连接仪表放大器的RG2端；电阻R6的一端连接节点A，另一端连接仪表放大器的RG2端。在不影响电路功能的前提下，本发明一方面可通过最小精度2Ω/步的粗修调调整电阻R3、电阻R4和电阻R5的阻值；另一方面通过并联精修调网络实现对电阻R3、电阻R4和电阻R5的阻值0.01Ω/步的高精度调整，两者配合可将仪表放大器增益误差控制在0.1％以下。
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公开(公告)号：CN116301152A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310146155.5
申请日：2023-02-21
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供一种超低电压输出的基准电路结构，包括启动电路，所述启动电路输出端分别连接有PTAT电流产生电路和基准电压产生电路；所述PTAT电流产生电路的输出端连接基准电压产生电路；所述启动电路用于建立起始工作点，所述PTAT电流产生电路包括比例恒流源电路，用于产生一个正比于绝对温度的电流，并将该电流镜像到基准电压产生电路；所述基准电压产生电路用于输出一个低压基准；本申请的基准电路结构输入电源电压低于1.65V，基准电压可低至500mV，远远低于现有技术中的带隙基准电压，适用于低压、低功耗的LDO系统；可以满足低压、低功耗的线性稳压器的需求。
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