公开(公告)号：CN113394301A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110657287.5

申请日：2021-06-11

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 陈斌 ,  谢宣蓉 ,  倪洁茹 ,  王勇

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  G02B5/08 ,  G02B1/11

Abstract: 本发明提供了一种提高光电耦合器光学特性的介质膜层制备方法及结构，基于现有主流半导体钝化膜制备工艺条件，通过对主流半导体钝化材料二氧化硅SiO2和氮化硅Si3N4光学特性的进行优化计算，本发明涉及的膜结构能够在特定红外波段范围内提高介质膜的光学特性。与现行主流钝化工艺相比较，解决了受光区钝化层整体低反射曲线无法满足范围覆盖的缺点。此外针对820nm～920nm近红外波段，可同时实现光耦接收芯片受光区的增透和非受光区的增反，在820nm～920nm波段，可将受光区平均透射率提升至96.83％同时可将非受光区的平均反射率由40％提高到77％并且拓宽了高反射率覆盖范围。针对5％～10％工艺误差，本发明设计的膜层结构具有较宽松的工艺实施性。

公开(公告)号：CN113394301B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202110657287.5

申请日：2021-06-11

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 陈斌 ,  谢宣蓉 ,  倪洁茹 ,  王勇

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  G02B5/08 ,  G02B1/11

Abstract: 本发明提供了一种提高光电耦合器光学特性的介质膜层制备方法及结构，基于现有主流半导体钝化膜制备工艺条件，通过对主流半导体钝化材料二氧化硅SiO2和氮化硅Si3N4光学特性的进行优化计算，本发明涉及的膜结构能够在特定红外波段范围内提高介质膜的光学特性。与现行主流钝化工艺相比较，解决了受光区钝化层整体低反射曲线无法满足范围覆盖的缺点。此外针对820nm～920nm近红外波段，可同时实现光耦接收芯片受光区的增透和非受光区的增反，在820nm～920nm波段，可将受光区平均透射率提升至96.83％同时可将非受光区的平均反射率由40％提高到77％并且拓宽了高反射率覆盖范围。针对5％～10％工艺误差，本发明设计的膜层结构具有较宽松的工艺实施性。