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公开(公告)号：CN109872853A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910132465.5
申请日：2019-02-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了本发明的一种CrSi2薄膜电阻，通过CrSi2薄膜电阻结构设计和激光修调方法的优化，开发五级并联可调区和两个连续修调可调区的电阻设计结构，使修调后大部分打断的CrSi2薄膜电阻均不参与导电，将激光修调对CrSi2薄膜电阻稳定性的影响降到最小；本发明还公开了一种CrSi2薄膜电阻的激光修调方法，修调时根据电阻实际值选择打断或修调不同可调区；修调过程中当测试精度超过激光修调机本身的精度时，用外接测量表测试修调后的精度，克服了激光修调机精度分辨率对测量数据的制约，进一步提高精度，修调后CrSi2薄膜电阻温度系数达到±10ppm/℃，电阻精度达到±0.01％。
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公开(公告)号：CN114566340B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210163688.X
申请日：2022-02-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种自动修调环形基板电阻的装置及操作方法，通过在承片板上装载环形基板，在修调机原有承片台的带动下将环形基板运送至工作位，下压探针卡至第一组电阻，修调第一组电阻后探针卡装校台抬起探针卡，信号灯灭，分度信号传感器将灯灭的信号作为旋转承片台的旋转信号发送给CPU，CPU控制环形基板的第二组电阻转至修调第一组电阻位置，信号灯亮，下压探针卡至第二组电阻，修调第二组电阻直至修调完15组电阻，修调机原有承片台带动环形基板退出，光电漫反射传感器将采集到的信号作为旋转承片台的复位信号发送给CPU，CPU控制旋转承片台恢复至初始位置，实现环形基板电阻的自动修调，在半导体混合集成电路领域具有应用前景。
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公开(公告)号：CN109872853B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201910132465.5
申请日：2019-02-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了本发明的一种CrSi2薄膜电阻，通过CrSi2薄膜电阻结构设计和激光修调方法的优化，开发五级并联可调区和两个连续修调可调区的电阻设计结构，使修调后大部分打断的CrSi2薄膜电阻均不参与导电，将激光修调对CrSi2薄膜电阻稳定性的影响降到最小；本发明还公开了一种CrSi2薄膜电阻的激光修调方法，修调时根据电阻实际值选择打断或修调不同可调区；修调过程中当测试精度超过激光修调机本身的精度时，用外接测量表测试修调后的精度，克服了激光修调机精度分辨率对测量数据的制约，进一步提高精度，修调后CrSi2薄膜电阻温度系数达到±10ppm/℃，电阻精度达到±0.01％。
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公开(公告)号：CN114566340A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210163688.X
申请日：2022-02-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种自动修调环形基板电阻的装置及操作方法，通过在承片板上装载环形基板，在修调机原有承片台的带动下将环形基板运送至工作位，下压探针卡至第一组电阻，修调第一组电阻后探针卡装校台抬起探针卡，信号灯灭，分度信号传感器将灯灭的信号作为旋转承片台的旋转信号发送给CPU，CPU控制环形基板的第二组电阻转至修调第一组电阻位置，信号灯亮，下压探针卡至第二组电阻，修调第二组电阻直至修调完15组电阻，修调机原有承片台带动环形基板退出，光电漫反射传感器将采集到的信号作为旋转承片台的复位信号发送给CPU，CPU控制旋转承片台恢复至初始位置，实现环形基板电阻的自动修调，在半导体混合集成电路领域具有应用前景。
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