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公开(公告)号：CN115225081A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210885809.1
申请日：2022-07-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K21/38
Abstract: 本发明公开了一种复位脉宽可调的Timer电路及驱动器，基于CMOS工艺技术实现复位脉宽可调的有效方法，复位脉宽可调的Timer电路包括实现脉宽可调的状态指示模块、电流源模块、充放电模块和比较器模块，源极电压比较电路可以有效地让复位信号脉冲结束时间完全由Timer的比较电压与阈值的比较结果来决定，从而实现了Reset复位信号脉冲宽度可调，极大地提升了Timer计时和重置的精度，从而解决了由于传统Timer结构使用固定脉宽的Reset复位信号导致Timer在计时周期积累后可能出现误关停和异常情况漏检测的问题，提高了隔离型DC/DC电源中同步整流驱动器的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN113394301B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110657287.5
申请日：2021-06-11
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , G02B5/08 , G02B1/11
Abstract: 本发明提供了一种提高光电耦合器光学特性的介质膜层制备方法及结构，基于现有主流半导体钝化膜制备工艺条件，通过对主流半导体钝化材料二氧化硅SiO2和氮化硅Si3N4光学特性的进行优化计算，本发明涉及的膜结构能够在特定红外波段范围内提高介质膜的光学特性。与现行主流钝化工艺相比较，解决了受光区钝化层整体低反射曲线无法满足范围覆盖的缺点。此外针对820nm～920nm近红外波段，可同时实现光耦接收芯片受光区的增透和非受光区的增反，在820nm～920nm波段，可将受光区平均透射率提升至96.83％同时可将非受光区的平均反射率由40％提高到77％并且拓宽了高反射率覆盖范围。针对5％～10％工艺误差，本发明设计的膜层结构具有较宽松的工艺实施性。
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公开(公告)号：CN112816767B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202110217364.5
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R19/175
Abstract: 本发明公开了一种电感电流过零检测电路，包括输入级模块，输入级模块用于监测SW点的电压，并给SW点的电压附加一个超前阈值，将SW点的电压与功率地电位同时进行采集，并输出至比较级模块；比较级模块，比较级模块用于将输入级模块采集的SW点的电压与功率地电位电压进行比较，输出电感电流过零与否的比较结果至输出级模块；输出级模块，用于将比较级模块输出的信号进行整形后输出。可以防止由于系统延迟、工艺误差导致的系统非连续导通模式下的不期望的电感电流反向。
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公开(公告)号：CN116404861A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310604436.0
申请日：2023-05-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种实现有源电压箝位的Timer电路，包括有源箝位模块和比较器模块；有源箝位模块用于为比较器模块提供输入电压VTIMER，所述有源箝位模块的输出端与比较器模块的输入端连接，所述比较器模块用于比较输入电压和超时门限电压的大小，并根据比较结果输出高电平或低电平信号。本发明的Timer电路包括低功耗控制技术和泄漏管栅压动态调整技术，可以根据超时状态下Timer电路的输入电压变化程度智能调节漏电管的工作状态从而实现动态电压箝位，使其输入端电容不会过充，从而降低了恢复后电容的放电时间，提高了工作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116155089A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310153277.7
申请日：2023-02-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种降低传输延迟影响的Timer电路，包括复位模块和比较器模块；复位模块和比较器模块分别加入了两级反相器和开关管构成预偏置启动电路。当同步信号从异常状态恢复正常时，驱动器的逻辑电路会重新产生复位信号，Timer接收到该复位信号后，预偏置启动电路中的两级反相逻辑会让比较器模块的开关管导通，输出端的电平就能快速翻转，极大地降低了驱动器重新恢复工作所需的时间。由于该预偏置启动技术直接作用于Timer的输出端，直接避免了大电容的放电时间和逻辑链路的晶体管寄生效应造成的延迟影响。
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公开(公告)号：CN116126072A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310141270.3
申请日：2023-02-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开一种可用于电压基准电路的高精度修调电路，通过偏置电路外接控制信号输入，锁定电路的输出端与熔断电路阵列的输入端连接，偏置电路的输出端分别与D触发器阵列、锁定电路及熔断电路的输入端连接，D触发器阵列的输出端与熔断电路及锁定电路的输入端连接，熔断电路的输出端与输出电压分压网络的输入端连接，输出电压分压网络输出端反馈信号与输出电压分压网络输入端连接，通过偏置电路对D触发器阵列、熔断电路阵列的控制，改变输出电压分压网络中接入的电阻，从而在保留输出电压温漂特性，噪声特性的前提下修正输出电压值。
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公开(公告)号：CN114844502A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210609393.0
申请日：2022-05-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03L7/185
Abstract: 本发明公开了基于TIA结构有源负载的RFD电路，输入缓冲模块、分频器核心电路模块和输出缓冲模块；所述分频器核心电路模块包括有源负载，Gilbert混频器和射随器电路模块；引入新型TIA有源负载模块，这种电阻并联反馈拓扑降低了与吉尔伯特单元连接处的电阻，从而降低了开环时间常数，由于时间常数与环路增益带宽呈负相关，环路带宽随时间常数的减小而增大，整体上提升了分频器的最大工作频率，进而延展了分频器的分频范围，从而保证VCO的调谐范围和分频器的分频范围充分重叠，甚至分频范围还能远大于调谐范围。
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公开(公告)号：CN113394301A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110657287.5
申请日：2021-06-11
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , G02B5/08 , G02B1/11
Abstract: 本发明提供了一种提高光电耦合器光学特性的介质膜层制备方法及结构，基于现有主流半导体钝化膜制备工艺条件，通过对主流半导体钝化材料二氧化硅SiO2和氮化硅Si3N4光学特性的进行优化计算，本发明涉及的膜结构能够在特定红外波段范围内提高介质膜的光学特性。与现行主流钝化工艺相比较，解决了受光区钝化层整体低反射曲线无法满足范围覆盖的缺点。此外针对820nm～920nm近红外波段，可同时实现光耦接收芯片受光区的增透和非受光区的增反，在820nm～920nm波段，可将受光区平均透射率提升至96.83％同时可将非受光区的平均反射率由40％提高到77％并且拓宽了高反射率覆盖范围。针对5％～10％工艺误差，本发明设计的膜层结构具有较宽松的工艺实施性。
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公开(公告)号：CN112816767A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110217364.5
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R19/175
Abstract: 本发明公开了一种电感电流过零检测电路，包括输入级模块，输入级模块用于监测SW点的电压，并给SW点的电压附加一个超前阈值，将SW点的电压与功率地电位同时进行采集，并输出至比较级模块；比较级模块，比较级模块用于将输入级模块采集的SW点的电压与功率地电位电压进行比较，输出电感电流过零与否的比较结果至输出级模块；输出级模块，用于将比较级模块输出的信号进行整形后输出。可以防止由于系统延迟、工艺误差导致的系统非连续导通模式下的不期望的电感电流反向。
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