公开(公告)号：CN113220062A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110500674.8

申请日：2021-05-08

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 季轻舟 ,  姜洪雨 ,  廖雪 ,  魏海龙 ,  王勇 ,  李新瑞 ,  向宏莉

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种双极线性稳压器的过温保护电路，属于过温保护领域。一种双极线性稳压器的过温保护电路，由温度传感器电路、采样反馈电路和输出电路构成。本发明的双极线性稳压器的过温保护电路，通过引入电流反馈回路，使电路具有的温度滞回特性，避免了在温度保护点处被保护电路的频繁开启，芯片结温不能充分降温，电路不能返回到正常工作状态，本发明适用于低电源电压。采用本发明的过温保护电路可以精确识别双极线性稳压器及其它模拟电路芯片结温是否超出安全工作区。本发明采用双极工艺设计实现，电路结构简洁，使用的元器件数量少，物理设计面积小。

公开(公告)号：CN116301159A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310288936.8

申请日：2023-03-22

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李新瑞 ,  尤路 ,  廖雪 ,  向宏莉 ,  魏海龙 ,  王勇 ,  王清波

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，公开了一种低温漂的双极带隙基准电压源，包括带隙基准模块、温度补偿模块和直流偏置模块；温度补偿模块与带隙基准模块连接，直流偏置模块与带隙基准模块和温度补偿模块均连接；带隙基准模块用于生成一阶补偿的带隙基准电压；温度补偿模块用于生成高阶PTAT电流，并通过高阶PTAT电流补偿带隙基准电压中负温度系数的高阶项，得到低温漂的带隙基准电压；直流偏置模块用于生成第一偏置电流和第二偏置电流，并分别发送至带隙基准模块和温度补偿模块。可让电路在不同温度的工作状态下，使带隙基准电压源输出的基准电压不受温度的变化，具有低温漂、适应双极型工艺的特点，提高了基准电压源电路的应用适用性。

公开(公告)号：CN113220062B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202110500674.8

申请日：2021-05-08

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 季轻舟 ,  姜洪雨 ,  廖雪 ,  魏海龙 ,  王勇 ,  李新瑞 ,  向宏莉

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种双极线性稳压器的过温保护电路，属于过温保护领域。一种双极线性稳压器的过温保护电路，由温度传感器电路、采样反馈电路和输出电路构成。本发明的双极线性稳压器的过温保护电路，通过引入电流反馈回路，使电路具有的温度滞回特性，避免了在温度保护点处被保护电路的频繁开启，芯片结温不能充分降温，电路不能返回到正常工作状态，本发明适用于低电源电压。采用本发明的过温保护电路可以精确识别双极线性稳压器及其它模拟电路芯片结温是否超出安全工作区。本发明采用双极工艺设计实现，电路结构简洁，使用的元器件数量少，物理设计面积小。

公开(公告)号：CN206610809U

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201720290748.9

申请日：2017-03-23

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 季轻舟 ,  赵明 ,  李飞强 ,  刘鹏 ,  向宏莉

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60

Abstract: 本实用新型提供一种双极线性稳压器全芯片ESD保护结构，包括连接在芯片各端口的SCR静电结构单元；所述的SCR静电结构单元包括衬底PNP结构的晶体三极管Q1，以及构成SCR电路的晶体三极管Q2、晶体三极管Q3、电阻Rj和电阻Rb；晶体三极管Q1发射极接IO端口，集电极自然接地，基极为SCR静电结构单元的输入输出端口B；晶体三极管Q2发射极与电阻Rj一端均连接SCR静电结构输入输出端口B，基极接电阻Rj另一端和晶体三极管Q3的集电极，晶体三极管Q2集电极接晶体三极管Q3的基极和电阻Rb电阻的一端；晶体三极管Q3发射极与电阻Rb另一端接SCR静电结构单元的IO端口。