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公开(公告)号：CN112490724B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202011362657.4
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碟簧组件，包括轴、套设在轴上的碟簧，还包括导电柱和母排，所述母排环绕设置在碟簧侧围，且母排上设置有至少三条槽，所述导电柱与轴滑动配合，且导电柱的一端与母排连接；本发明还提供了一种功率半导体模块，包括导电顶盖和导电底座，还包括多个功率子单元和多个上述的碟簧组件，功率子单元与导电柱通过插接一一导通，单个所述功率子单元的侧围设置有绝缘胶体，两两功率子单元之间设置有间隔；本发明的母排具有至少三条通流旁路，且本发明的功率半导体模块热传递性能好，整体的失效通流能力更好。
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公开(公告)号：CN114628375A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011464686.1
申请日：2020-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种压接式半导体子模组，包括一个第二导电片，所述第二导电片连接有多个半导体芯片，每个所述半导体芯片连接有第一导电片，所述第一导电片与半导体芯片的发射极/源极连接，所述第二导电片与半导体芯片的集电极/漏极连连接，所述发射极/源极和集电极/漏极分别设于半导体芯片上相对的两面，所述第二导电片上还设有外框，所述外框上开设有多个凹槽，所述半导体芯片设于凹槽内；本发明提供的压接式半导体子模组加工难度小、能简化工艺流程、提高模块整体的稳定性与可靠性、降低内部结构物理层面上的失效风险。
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公开(公告)号：CN114613731A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011428689.X
申请日：2020-12-09
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L23/04 , H01L25/07 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种硬压接式IGBT模块，包括压接式子单元、管盖、管座和PCB，所述管盖与管座连接，中间形成容纳腔，所述压接式子单元和PCB均设于容纳腔内，所述管盖与压接式子单元的集电极接触，管座表面与所述压接式子单元的发射极接触，所述PCB与压接式子单元的栅极连接，所述管盖和/或管座上设有定向爆破结构；本发明提供的硬压接式IGBT模块加工方便、可靠性高、能实现管壳定向爆破。
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公开(公告)号：CN114597684A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011418761.0
申请日：2020-12-07
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01R12/58
Abstract: 本发明提供了一种IGBT模块信号端子，包括Pin针本体，Pin针本体上设有肩部、应力缓冲部、限位部和底座，所述肩部设于Pin针本体的一端，所述应力缓冲部的一端与肩部连接，另一端与底座连接，所述应力缓冲部可沿Pin针本体延伸方向伸缩，所述限位部沿Pin针本体延伸方向的高度小于应力缓冲部的高度，两个所述限位部设于应力缓冲部的两侧，限位部的一端与肩部连接，另一端悬空于底座上方；本发明提供的IGBT模块信号端子能简化操作工序，使用寿命长，可靠性高。
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公开(公告)号：CN112992795A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911297315.6
申请日：2019-12-17
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种压接式IGBT子模组结构和压接式IGBT器件，所述压接式IGBT子模组结构包括依次层叠设置的框体结构、IGBT芯片组件、电路旁路结构、碟簧组件和管盖，所述电路旁路结构分别与所述IGBT芯片组件和所述框体结构抵接，所述管盖和所述电路旁路结构之间具有间隙，所述碟簧组件使所述管盖具有背离所述电路旁路结构的方向运动的趋势，当对所述管盖施加朝向所述电路旁路结构方向的力时，所述管盖能够朝向所述电路旁路结构的方向移动，并能够与所述电路旁路结构相抵。本发明组装方便，能够节省封装空间，提升流通能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112687676A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011474379.1
申请日：2020-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本公开提供一种压接式IGBT子模组及压接式IGBT模块，该压接式IGBT子模组包括间隔设置于所述下电极板上方的若干IGBT芯片和若干FRD芯片。该压接式IGBT模块包括若干压接式IGBT子模组；管壳，包括管盖和管座；其中，所述管座为镂空结构，所述管座包括若干第五开孔和位于所述第五开孔周围的第三裙边结构；所述第五开孔用于裸露出各个所述压接式IGBT子模组的下电极板；所述第三裙边结构与所述下电极板的第一裙边结构接触，以实现密封封装。该压接式IGBT模块采用镂空结构的管座，降低了热流路径上的热阻，在这种结构下，可采用冷压焊或氩弧焊的方式实现模块密封，简化生产流程。
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公开(公告)号：CN112636054A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011362069.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供了一种半导体设备组件、压接式功率模块及制造方法，该半导体设备组件包括主电路子组件和栅极子组件，所述主电路子组件包括多个主电路导电机构和主电路旁路机构，所述主电路导电机构包括半导体芯片以及一端通过垫片与所述半导体芯片接触的主电路导电柱；其中，所述主电路旁路机构为一体式结构，并且套设在多个所述主电路导电柱上，与每个所述主电路导电柱形成并联连接。通过该半导体设备组件，将所有芯片的旁路结构连通，当某一个导体芯片失效时，与其并联的芯片旁路结构能够继续提供电流导通路径，并且短路结构能够提升通流大小，提升旁路结构的失效通流能力。
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公开(公告)号：CN213546308U
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202022910807.2
申请日：2020-12-07
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种用于IGBT模块的一体化Pin针，包括Pin针本体，所述Pin针本体的两端分别设置有通孔和应力缓冲机构，Pin针本体上设有肩部，所述肩部设于通孔与应力缓冲机构之间，所述应力缓冲机构连接有限位部，所述限位部可抵住/松开应力缓冲机构，所述应力缓冲机构沿Pin针本体延伸方向的伸缩长度由限位部限制；本实用新型提供的用于IGBT模块的一体化Pin针能简化操作工序，使用寿命长，可靠性高。
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公开(公告)号：CN216563104U
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202123172901.3
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本申请提供了一种散热基板以及功率模块。该散热基板的下表面形成有多个针翅，所述针翅构造为以下一种或几种：在散热需求高的区域针翅分布的密度大、具有第一结构以及包括第一结构和不同于第一结构的其他结构的组合；从而提高对散热需求高的区域的换热效率，有利于避免出现散热短板；将第一结构的针翅布置在对散热需求高的区域，由于第一结构的针翅有较高散热能力，有利于避免该区域成为散热短板；不同芯片安装区域的针翅横截面的形状不同，使得模块在保持散热性能的前提下，冷却液流阻降低。
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公开(公告)号：CN213546593U
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202022910715.4
申请日：2020-12-07
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01R12/58
Abstract: 本实用新型提供了一种IGBT模块信号端子，包括Pin针本体，Pin针本体上设有肩部、应力缓冲部、限位部和底座，所述肩部设于Pin针本体的一端，所述应力缓冲部的一端与肩部连接，另一端与底座连接，所述应力缓冲部可沿Pin针本体延伸方向伸缩，所述限位部沿Pin针本体延伸方向的高度小于应力缓冲部的高度，两个所述限位部设于应力缓冲部的两侧，限位部的一端与肩部连接，另一端悬空于底座上方；本实用新型提供的IGBT模块信号端子能简化操作工序，使用寿命长，可靠性高。
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