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公开(公告)号：CN100468716C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN02151866.1
申请日：2002-12-13
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L27/08 , H01F17/0006 , H01F17/0013 , H01F27/292 , H01F27/362 , H01L23/5227 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L28/10 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05011 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/16 , H01L2924/01078 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025
Abstract: 本发明实现了最小化的电子器件，并在最小化时能保持其高可靠性。为此，该电子器件具有电子电路，包括：具有其上形成一部分电子电路的电路形成表面的衬底；形成在电路形成表面上的聚酰亚胺层；以及构成另一部分电子电路的螺旋形电感器，由聚酰亚胺层上的图形形成。
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公开(公告)号：CN100435334C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN03138174.X
申请日：2003-05-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L23/49822 , H01L23/5383 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05599 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/24137 , H01L2224/24145 , H01L2224/24155 , H01L2224/24195 , H01L2224/24226 , H01L2224/24265 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45099 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/48471 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/83132 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2224/85399 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01043 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19103 , H01L2924/19104 , H01L2924/19107 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。在该半导体器件中，当半导体芯片并列地排列时，多个半导体芯片的每一个的电路形成面可以容易地置于齐平的平面上，由此简化了形成重排布线的工艺。半导体芯片借助粘结剂层以两维布局安装在基板上。树脂层形成在基板上并位于半导体元件周围，树脂层的厚度基本上与半导体元件的厚度相同。有机绝缘层形成在树脂层表面以及半导体元件的电路形成面上。重排布线层形成在有机绝缘层以及半导体芯片的电极上。外部连接端子通过重排布线层中的布线电连接到半导体元件的电路形成面。
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公开(公告)号：CN101266935A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810091202.6
申请日：2004-09-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/485 , H01L23/498 , H01L23/58
CPC classification number: H01L22/32 , H01L23/49855 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/1147 , Y10S257/922
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在半导体衬底上形成天线焊盘和测试焊盘；用包含填料的绝缘树脂层覆盖该半导体衬底除了所述天线焊盘之外的部分；在所述天线焊盘和所述包含填料的绝缘树脂层上形成用于电镀的籽晶层；以及电镀所述用于电镀的籽晶层，以便在所述天线焊盘上形成导电凸起。一种半导体器件，具有形成在衬底上的天线焊盘和测试焊盘。包含填料的绝缘树脂层覆盖测试焊盘，在天线焊盘上设置凸起。通过设置包含填料的绝缘树脂层从而抑制该半导体器件中的特定数据被读出或者改写。
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公开(公告)号：CN100409411C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200510083385.3
申请日：2005-07-14
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/585 , H01L2221/68327 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，该方法是在衬底的一个主表面上形成有多个半导体芯片的半导体衬底通过切块法被切割成多个半导体芯片。采用两个第一切割刀片在衬底的一个主表面上执行第一切割工艺，以在多个半导体芯片的两个相邻半导体芯片之间产生两个切割凹槽，每个切割凹槽与多个半导体芯片中的相邻半导体芯片其中之一相邻。采用一个第二切割刀片在衬底的另一主表面上执行第二切割工艺，以产生与由第一切割工艺产生的两个切割凹槽交叠的切割凹槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101047156A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610141451.2
申请日：2006-09-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L24/12 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L27/11502 , H01L28/57 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05017 , H01L2224/05018 , H01L2224/05073 , H01L2224/05093 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05166 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/1134 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45164 , H01L2224/4807 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48477 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/85051 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/15183 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种提高FeRAM抗湿性的半导体器件及其制造方法。在使用焊盘进行探针测试之后，形成金属膜以覆盖保护膜开口中的焊盘以及从该焊盘到该保护膜的开口外围的区域。在该金属膜上形成金属凸点。该金属膜形成为具有第一和第二金属膜的双层结构。主要考虑与该保护膜的粘着性和与该金属凸点的粘着性，分别选择下层和上层的材料。设置金属膜的膜形成条件以提供具有预期质量和厚度的金属膜。因此，能够阻止湿气从焊盘或外围侵入到铁电电容器中，从而有效地抑制由于侵入的湿气导致的电位反转异常的发生。
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公开(公告)号：CN1855466A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200510120001.0
申请日：1997-07-10
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/485
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其特征是具备：在表面上形成有突出电极的半导体器件；在半导体器件的表面上形成的剩下上述突出电极的顶端部分来密封上述突出电极的树脂层；以及上述半导体器件的定位突起，上述突起形成在上述半导体器件的上述表面上，并具有从上述树脂层暴露的顶端部分。
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公开(公告)号：CN1627512A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410097360.4
申请日：2004-11-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/52 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/1147 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2224/13099
Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底和以节距X1排列的凸电极阵列。每个凸电极具有高度X3，并且形成于直径为X2的阻挡金属基底上，该阻挡金属基底连接到该半导体衬底上所排列的电极，以满足关系(X1/2)≤X2≤(3×X1/4)和(X1/2)≤X3≤(3×X1/4)。
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公开(公告)号：CN1579020A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN01823865.3
申请日：2001-12-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L24/11 , H01L23/3114 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05001 , H01L2224/05026 , H01L2224/05548 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/12105 , H01L2224/13099 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/24226 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/73209 , H01L2224/73217 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2224/82 , H01L2224/48227 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2224/81 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/03
Abstract: 半导体器件，包含：在一面上具有第1端子(7)的第1半导体芯片(5)；比第1半导体芯片(5)大，重叠第1半导体芯片(5)并且在一面上具有第2端子(3)的第2半导体芯片(1a)；被形成在第2半导体芯片(1a)上覆盖第1半导体芯片(5)的绝缘膜(10)；在绝缘膜(10)中至少被形成在第1半导体芯片(5)的周边区域上的多个孔(10a)；在孔(10a)的内周面以及底面上形成膜状并且与上述第2半导体芯片(1a)的第2端子(3)电连接的孔(11a)；被形成在绝缘膜(10)的上表面上的布线图案(11b)；被连接在布线图案(11b)上的外部端子(14)。
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公开(公告)号：CN1463043A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN03138174.X
申请日：2003-05-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L23/49822 , H01L23/5383 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05599 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/24137 , H01L2224/24145 , H01L2224/24155 , H01L2224/24195 , H01L2224/24226 , H01L2224/24265 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45099 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/48471 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/83132 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2224/85399 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01043 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19103 , H01L2924/19104 , H01L2924/19107 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。在该半导体器件中，当半导体芯片并列地排列时，多个半导体芯片的每一个的电路形成面可以容易地置于齐平的平面上，由此简化了形成重排布线的工艺。半导体芯片借助粘结剂层以两维布局安装在基板上。树脂层形成在基板上并位于半导体元件周围，树脂层的厚度基本上与半导体元件的厚度相同。有机绝缘层形成在树脂层表面以及半导体元件的电路形成面上。重排布线层形成在有机绝缘层以及半导体芯片的电极上。外部连接端子通过重排布线层中的布线电连接到半导体元件的电路形成面。
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